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Tunable built-in electric field and optical properties in wurtzite ZnO/MgZnO quantum wells
Tunable built-in electric field and optical properties in wurtzite ZnO/MgZnO quantum wells
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Tunable built-in electric field and optical properties in wurtzite ZnO/MgZnO quantum wells

Xia, Congxin ; Zhang, Heng ; An, Jiao ; Wei, Shuyi ; Jia, Yu

Physics letters. A, 2014-06, Vol.378 (30-31), p.2251-2255 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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2
Donor impurity states in wurtzite InGaN staggered quantum wells
Donor impurity states in wurtzite InGaN staggered quantum wells
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Donor impurity states in wurtzite InGaN staggered quantum wells

Xia, Congxin ; Jia, Yalei ; Wei, Shuyi ; Jia, Yu ; Spector, Harold N.

Applied physics letters, 2011-11, Vol.99 (20), p.203110-203110-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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3
Excitonic characteristics of wurtzite InGaN staggered quantum wells for light-emitting diode applications
Excitonic characteristics of wurtzite InGaN staggered quantum wells for light-emitting diode applications
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Excitonic characteristics of wurtzite InGaN staggered quantum wells for light-emitting diode applications

Xia, Congxin ; Zhang, Heng ; Jia, Yalei ; Wei, Shuyi ; Jia, Yu

Scripta materialia, 2013-02, Vol.68 (3-4), p.203-206 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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4
Finite barrier width effects on exciton states and optical properties in wurtzite InGaN/GaN quantum well
Finite barrier width effects on exciton states and optical properties in wurtzite InGaN/GaN quantum well
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Finite barrier width effects on exciton states and optical properties in wurtzite InGaN/GaN quantum well

Xia, Congxin ; Jia, Yalei ; Wei, Shuyi ; Spector, Harold N.

Journal of luminescence, 2012-03, Vol.132 (3), p.607-611 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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5
Donor and acceptor impurity states in N-polar wurtzite InGaN staggered quantum wells: Built-in electric field effects
Donor and acceptor impurity states in N-polar wurtzite InGaN staggered quantum wells: Built-in electric field effects
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Donor and acceptor impurity states in N-polar wurtzite InGaN staggered quantum wells: Built-in electric field effects

Xia, Congxin ; Zhang, Heng ; An, Jiao ; Wei, Shuyi ; Jia, Yu

Physica. E, Low-dimensional systems & nanostructures, 2014-04, Vol.58, p.43-47 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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6
Barrier width dependence of the donor binding energy of hydrogenic impurity in wurtzite InGaN/GaN quantum dot
Barrier width dependence of the donor binding energy of hydrogenic impurity in wurtzite InGaN/GaN quantum dot
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Barrier width dependence of the donor binding energy of hydrogenic impurity in wurtzite InGaN/GaN quantum dot

Xia, Congxin ; Zeng, Zaiping ; Wei, Shuyi

Journal of applied physics, 2009-11, Vol.106 (9), p.094301-094301-6 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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7
Hydrogenic donor states in wurtzite InGaN/GaN coupled quantum dots
Hydrogenic donor states in wurtzite InGaN/GaN coupled quantum dots
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Hydrogenic donor states in wurtzite InGaN/GaN coupled quantum dots

Xia, Congxin ; Wei, Shuyi ; Zhao, Xu

Physics letters. A, 2007-12, Vol.372 (1), p.64-67 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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8
Barrier width and built-in electric field effects on hydrogenic impurity in wurtzite GaN/AlGaN quantum well
Barrier width and built-in electric field effects on hydrogenic impurity in wurtzite GaN/AlGaN quantum well
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Barrier width and built-in electric field effects on hydrogenic impurity in wurtzite GaN/AlGaN quantum well

Wei, Yingnai ; Ji, Yong ; Sun, Q. ; Xia, Congxin ; Jia, Yu

Physica. E, Low-dimensional systems & nanostructures, 2011-11, Vol.44 (2), p.511-514 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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9
The donor bound exciton states in wurtzite GaN quantum dot
The donor bound exciton states in wurtzite GaN quantum dot
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The donor bound exciton states in wurtzite GaN quantum dot

Liu, Yaming ; Xia, Congxin ; Wei, Shuyi

Current Applied Physics, 2009, 9(1), , pp.39-43 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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10
The donor bound exciton states in wurtzite GaN quantum dot
The donor bound exciton states in wurtzite GaN quantum dot
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

The donor bound exciton states in wurtzite GaN quantum dot

Yaming Liu ; Congxin Xia ; Shuyi Wei

Current applied physics, 2009-01, p.39-43 [Periódico revisado por pares]

한국물리학회

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