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Formation of very low leakage current pn junction by low temperature annealing assisted by Xe-lap irradiation. (em CD-Rom)
Formation of very low leakage current pn junction by low temperature annealing assisted by Xe-lap irradiation. (em CD-Rom)
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Formation of very low leakage current pn junction by low temperature annealing assisted by Xe-lap irradiation. (em CD-Rom)

Mauricio Massazumi Oka A Nakada; Y Tamai; T Shibata; T Ohmi; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

Itajubá SBMICRO/EFEI 1997

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Deste Autor:

  1. Shibata, T
  2. Tamai, Y
  3. Ohmi, T
  4. Conference of the Brazilian Microelectronics Society
  5. Nakada, A

Neste Assunto:

  1. Circuitos Integrados
  2. Semicondutores

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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