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Caracterização óptica e estrutural de filmes GaAs e GaAs:Er crescidos pelo método de evaporação resistiva
Caracterização óptica e estrutural de filmes GaAs e GaAs:Er crescidos pelo método de evaporação resistiva
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Caracterização óptica e estrutural de filmes GaAs e GaAs:Er crescidos pelo método de evaporação resistiva

E A Morais Lígia de Oliveira Ruggiero; Máximo Siu Li; Luis Vicente de Andrade Scalvi; Seminario Latinoamericano de Análises por Técnicas de Raios X (7. 2000 São Pedro)

Seminario Latinoamericano de Análises por Técnicas de Raios X, 7 São Pedro, 2000

São Pedro 2000

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  1. Ruggiero, L
  2. Seminario Latinoamericano de Análises por Técnicas de Raios X
  3. Morais, E
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  5. Siu Li, M

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  1. Matéria Condensada

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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