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Intersubband scattering rates in wurtzite InGaN/InAlN quantum well structures
Intersubband scattering rates in wurtzite InGaN/InAlN quantum well structures
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Intersubband scattering rates in wurtzite InGaN/InAlN quantum well structures

Kim, Bonghwan ; Park, Seoung-Hwan

Solid state communications, 2021-10, Vol.337, p.114433, Article 114433 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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Spontaneous and piezoelectric polarization effects in wurtzite ZnO ∕ MgZnO quantum well lasers
Spontaneous and piezoelectric polarization effects in wurtzite ZnO ∕ MgZnO quantum well lasers
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Spontaneous and piezoelectric polarization effects in wurtzite ZnO ∕ MgZnO quantum well lasers

Park, Seoung-Hwan ; Ahn, Doyeol

Applied physics letters, 2005-12, Vol.87 (25), p.253509-253509-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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Electronic and Optical Properties of a-and m-Plane Wurtzite InGaN-GaN Quantum Wells
Electronic and Optical Properties of a-and m-Plane Wurtzite InGaN-GaN Quantum Wells
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Electronic and Optical Properties of a-and m-Plane Wurtzite InGaN-GaN Quantum Wells

PARK, Seoung-Hwan ; AHN, Doyeol ; CHUANG, Shun-Lien

IEEE journal of quantum electronics, 2007-12, Vol.43 (11-12), p.1175-1182 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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Theoretical studies on electronic and optical properties of non-polar wurtzite InGaN/GaN quantum wires
Theoretical studies on electronic and optical properties of non-polar wurtzite InGaN/GaN quantum wires
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Theoretical studies on electronic and optical properties of non-polar wurtzite InGaN/GaN quantum wires

Park, Seoung-Hwan ; Ahn, Doyeol

Physica. E, Low-dimensional systems & nanostructures, 2023-06, Vol.150, p.115706, Article 115706 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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Carrier screening effects on intersubband nonlinear optical rectification in wurtzite InGaN/GaN coupling quantum wells
Carrier screening effects on intersubband nonlinear optical rectification in wurtzite InGaN/GaN coupling quantum wells
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Carrier screening effects on intersubband nonlinear optical rectification in wurtzite InGaN/GaN coupling quantum wells

Hong, Woo-Pyo ; Park, Seoung-Hwan

Solid state communications, 2022-02, Vol.343, p.114624, Article 114624 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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Influence of indium content and carrier density on spontaneous emission spectra of wurtzite InGaN/GaN quantum wires with screening effects
Influence of indium content and carrier density on spontaneous emission spectra of wurtzite InGaN/GaN quantum wires with screening effects
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Influence of indium content and carrier density on spontaneous emission spectra of wurtzite InGaN/GaN quantum wires with screening effects

Park, Seoung-Hwan ; Hong, Woo-Pyo

Solid state communications, 2023-02, Vol.360, p.115038, Article 115038 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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Crystal orientation effects on the optical properties of wurtzite GaN/AlN quantum dots on semi-polar substrates
Crystal orientation effects on the optical properties of wurtzite GaN/AlN quantum dots on semi-polar substrates
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Crystal orientation effects on the optical properties of wurtzite GaN/AlN quantum dots on semi-polar substrates

Park, Seoung-Hwan ; Ahn, Doyeol

Optical and quantum electronics, 2023-05, Vol.55 (5), Article 466 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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Strain and built-in potentials in wurtzite polar and non-polar InGaN/GaN quantum wires
Strain and built-in potentials in wurtzite polar and non-polar InGaN/GaN quantum wires
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Strain and built-in potentials in wurtzite polar and non-polar InGaN/GaN quantum wires

Park, Seoung-Hwan ; Ahn, Doyeol

Journal of the Korean Physical Society, 2022, Vol.81 (7), p.653-657 [Periódico revisado por pares]

Seoul: The Korean Physical Society

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Intersubband absorption of p-type wurtzite GaN/AlN quantum well for fiber-optics telecommunication
Intersubband absorption of p-type wurtzite GaN/AlN quantum well for fiber-optics telecommunication
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Intersubband absorption of p-type wurtzite GaN/AlN quantum well for fiber-optics telecommunication

Park, Seoung-Hwan ; Ahn, Doyeol ; Park, Chan-Yong

Journal of applied physics, 2017-11, Vol.122 (18) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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Non-Polar Wurtzite (1120) GaN/AlN Quantum Dots for Highly Efficient Opto-Electronic Devices
Non-Polar Wurtzite (1120) GaN/AlN Quantum Dots for Highly Efficient Opto-Electronic Devices
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Non-Polar Wurtzite (1120) GaN/AlN Quantum Dots for Highly Efficient Opto-Electronic Devices

Park, Seoung-Hwan ; Ahn, Doyeol

Electronics (Basel), 2020-08, Vol.9 (8), p.1256 [Periódico revisado por pares]

Basel: MDPI AG

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