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Artigo
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Decomposition of On-Current Variability of nMOS FinFETs for Prediction Beyond 20 nm

Matsukawa, T ; Liu, Y ; O'Uchi, S ; Endo, K ; Tsukada, J ; Yamauchi, H ; Ishikawa, Y ; Ota, H ; Migita, S ; Morita, Y ; Mizubayashi, W ; Sakamoto, K ; Masahara, M

IEEE Transactions on Electron Devices, August 2012, Vol.59(8), pp.2003-2010 [Periódico revisado por pares]

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2
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Artigo
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Fin-Height Effect on Poly-Si/PVD-TiN Stacked-Gate FinFET Performance

Hayashida, T ; Endo, K ; Liu, Y ; O'Uchi, S ; Matsukawa, T ; Mizubayashi, W ; Migita, S ; Morita, Y ; Ota, H ; Hashiguchi, H ; Kosemura, D ; Kamei, T ; Tsukada, J ; Ishikawa, Y ; Yamauchi, H ; Ogura, A ; Masahara, M

IEEE Transactions on Electron Devices, March 2012, Vol.59(3), pp.647-653 [Periódico revisado por pares]

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3
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Artigo
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0.6nm-EOT high-k gate stacks with HfSiO x interfacial layer grown by solid-phase reaction between HfO 2 and Si substrate

Ogawa, A ; Iwamoto, K ; Ota, H ; Morita, Y ; Ikeda, M ; Nabatame, T ; Toriumi, A

Microelectronic Engineering, 2007, Vol.84(9), pp.1861-1864 [Periódico revisado por pares]

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Artigo
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Flux Diagrams and Behavior of Three Phase Saturable Reactor

太田, 義一 ; 森田, 泰次 ; 桜井, 良文 ; Ota, Y. ; Morita, Y. ; Sakurai, Y.

電気学会論文誌. B, 1972, Vol.92(4), pp.257-266

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5
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Artigo
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AFM measurement of atomic-scale Si surface etching by active oxidation

Morita, Y ; Migita, S ; Mizubayashi, W ; Ota, H

Surface Science, 2010, Vol.604(17), pp.1432-1437 [Periódico revisado por pares]

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6
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Artigo
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Suppression of threshold voltage variability of double-gate fin field-effect transistors using amorphous metal gate with uniform work function

Matsukawa, T. ; Liu, Y. X. ; Mizubayashi, W. ; Tsukada, J. ; Yamauchi, H. ; Endo, K. ; Ishikawa, Y. ; O'Uchi, S. ; Ota, H. ; Migita, S. ; Morita, Y. ; Masahara, M.

Applied Physics Letters, 22 April 2013, Vol.102(16) [Periódico revisado por pares]

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7
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Artigo
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Exact control of junction position using epitaxial NiSi2 crystallization in ultrathin silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

W. Mizubayashi ; S. Migita ; Y. Morita ; H. Ota

AIP Advances, 01 September 2012, Vol.2(3), pp.032126-032126-5 [Periódico revisado por pares]

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8
Material Type:
Artigo
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Exact control of junction position using epitaxial NiSi 2 crystallization in ultrathin silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Mizubayashi, W. ; Migita, S. ; Morita, Y. ; Ota, H.

AIP Advances, September 2012, Vol.2(3) [Periódico revisado por pares]

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9
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Artigo
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A compact model for tunnel field-effect transistors incorporating nonlocal band-to-band tunneling

Fukuda, K. ; Mori, T. ; Mizubayashi, W. ; Morita, Y. ; Tanabe, A. ; Masahara, M. ; Yasuda, T. ; Migita, S. ; Ota, H.

Journal of Applied Physics, 14 October 2013, Vol.114(14) [Periódico revisado por pares]

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10
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Ata de Congresso
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Electrical performances of junctionless-FETs at the scaling limit (LCH = 3 nm)

Migita, S ; Morita, Y ; Masahara, M ; Ota, H

2012 International Electron Devices Meeting, December 2012, pp.8.6.1-8.6.4

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