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Electronic and magnetic properties of the N monodoping and -codoped ZrS.sub.2
Electronic and magnetic properties of the N monodoping and -codoped ZrS.sub.2
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Electronic and magnetic properties of the N monodoping and -codoped ZrS.sub.2

Zhao, Xu ; Chen, Peng ; Yang, Congxia ; Zhang, Xiaonan ; Wei, Shuyi

Journal of materials science, 2018-05, Vol.53 (10), p.7466 [Periódico revisado por pares]

Springer

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2
Electronic and magnetic properties of the N monodoping and
Electronic and magnetic properties of the N monodoping and
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Electronic and magnetic properties of the N monodoping and

Zhao, Xu ; Chen, Peng ; Yang, Congxia ; Zhang, Xiaonan ; Wei, Shuyi

Journal of materials science, 2018-05, Vol.53 (10), p.7466 [Periódico revisado por pares]

Springer

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3
Solution-processable 2D semiconductors for high-performance large-area electronics
Solution-processable 2D semiconductors for high-performance large-area electronics
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Solution-processable 2D semiconductors for high-performance large-area electronics

Lin, Zhaoyang ; Liu, Yuan ; Halim, Udayabagya ; Ding, Mengning ; Liu, Yuanyue ; Wang, Yiliu ; Jia, Chuancheng ; Chen, Peng ; Duan, Xidong ; Wang, Chen ; Song, Frank ; Li, Mufan ; Wan, Chengzhang ; Huang, Yu ; Duan, Xiangfeng

Nature (London), 2018-10, Vol.562 (7726), p.254-258 [Periódico revisado por pares]

England: Nature Publishing Group

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4
A Synaptic Transistor Based on Monolayer Monocrystalline‐MoS2 for Neuromorphic Applications
A Synaptic Transistor Based on Monolayer Monocrystalline‐MoS2 for Neuromorphic Applications
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A Synaptic Transistor Based on Monolayer Monocrystalline‐MoS2 for Neuromorphic Applications

Yan, Meng ; Hu, Kai ; Wang, Fang ; Shan, Xin ; Lin, Xin ; Chen, Peng ; Zhao, Xuanyu ; Wei, Junqing ; Song, Zhitang ; Zhang, Kailiang

Physica status solidi. PSS-RRL. Rapid research letters, 2021-08, Vol.15 (8), p.n/a [Periódico revisado por pares]

Weinheim: Wiley Subscription Services, Inc

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5
Enhanced InGaN/GaN photoelectrodes for visible-light-driven hydrogen generation by surface roughening
Enhanced InGaN/GaN photoelectrodes for visible-light-driven hydrogen generation by surface roughening
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Enhanced InGaN/GaN photoelectrodes for visible-light-driven hydrogen generation by surface roughening

Zhi, Ting ; Tao, Tao ; Liu, Bin ; Li, Mingxue ; Zhuang, Zhe ; Dai, Jiangping ; Li, Yi ; Zhang, Guogang ; Luo, Wenjun ; Xie, Zili ; Chen, Peng ; Chen, Dunjun ; Li, Zhaosheng ; Han, Ping ; Zou, Zhigang ; Zhang, Rong ; Zheng, Youdou

Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2016-10, Vol.213 (10), p.2704-2708 [Periódico revisado por pares]

Weinheim: Blackwell Publishing Ltd

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6
High crystalline-quality III-V layer transfer onto Si substrate
High crystalline-quality III-V layer transfer onto Si substrate
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

High crystalline-quality III-V layer transfer onto Si substrate

Chen, Peng ; Jing, Yi ; Lau, S. S. ; Xu, Dapeng ; Mawst, Luke ; Alford, T. L. ; Paulson, Charles ; Kuech, T. F.

Applied physics letters, 2008-03, Vol.92 (9), p.092107-092107-3 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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7
High-operation-temperature aluminum-based SPP nanolasers
High-operation-temperature aluminum-based SPP nanolasers
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

High-operation-temperature aluminum-based SPP nanolasers

Yu-Hsun Chou ; Kuo-Bin Hong ; Bo-Tsun Chou ; Yen-Mo Wu ; Jheng-Hong Shih ; Yi-Cheng Chung ; Peng-Yu Chen ; Tzy-Rong Lin ; Sheng-Di Lin ; Tien-Chang Lu

2016 International Semiconductor Laser Conference (ISLC), 2016, p.1-3

IEICE-ES

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8
Plasma hydrogenation of strained Si ∕ SiGe ∕ Si heterostructure for layer transfer without ion implantation
Plasma hydrogenation of strained Si ∕ SiGe ∕ Si heterostructure for layer transfer without ion implantation
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Plasma hydrogenation of strained Si ∕ SiGe ∕ Si heterostructure for layer transfer without ion implantation

Shao, Lin ; Lin, Yuan ; Lee, J. K. ; Jia, Q. X. ; Wang, Yongqiang ; Nastasi, M. ; Thompson, Phillip E. ; Theodore, N. David ; Chu, Paul K. ; Alford, T. L. ; Mayer, J. W. ; Chen, Peng ; Lau, S. S.

Applied physics letters, 2005-08, Vol.87 (9), p.091902-091902-3 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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9
Effects of hydrogen implantation temperature on InP surface blistering
Effects of hydrogen implantation temperature on InP surface blistering
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Effects of hydrogen implantation temperature on InP surface blistering

Chen, Peng ; Di, Zengfeng ; Nastasi, M. ; Bruno, Elena ; Grimaldi, Maria Grazia ; Theodore, N. David ; Lau, S. S.

Applied physics letters, 2008-05, Vol.92 (20), p.202107-202107-3 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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10
Integration of thin layers of single-crystalline InP with flexible substrates
Integration of thin layers of single-crystalline InP with flexible substrates
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Integration of thin layers of single-crystalline InP with flexible substrates

Chen, Wayne ; Chen, Peng ; Pulsifer, J. E. ; Alford, T. L. ; Kuech, T. F. ; Lau, S. S.

Applied physics letters, 2008-05, Vol.92 (21), p.212109-212109-3 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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