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Thermal stability of Al1−xInxN (0001) throughout the compositional range as investigated during in situ thermal annealing in a scanning transmission electron microscope

Palisaitis, J ; Hsiao, C.-L ; Hultman, L ; Birch, J ; Persson, P.O.Å

Acta Materialia, July 2013, Vol.61(12), pp.4683-4688 [Periódico revisado por pares]

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Ti 2Al(O,N) formation by solid-state reaction between substoichiometric TiN thin films and Al 2O 3 (0001) substrates

Persson, P.O.Å ; Höglund, C ; Birch, J ; Hultman, L

Thin Solid Films, 2011, Vol.519(8), pp.2421-2425 [Periódico revisado por pares]

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Electronic-grade GaN ( 0001 ) / Al 2 O 3 ( 0001 ) grown by reactive DC-magnetron sputter epitaxy using a liquid Ga target

Junaid, M. ; Hsiao, C.-L. ; Palisaitis, J. ; Jensen, J. ; Persson, P. O. Å. ; Hultman, L. ; Birch, J.

Applied Physics Letters, 04 April 2011, Vol.98(14) [Periódico revisado por pares]

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Characterization of InGaN/GaN quantum well growth using monochromated valence electron energy loss spectroscopy

Palisaitis, J. ; Lundskog, A. ; Forsberg, U. ; Janzén, E. ; Birch, J. ; Hultman, L. ; Persson, P. O. Å.

Journal of Applied Physics, 21 January 2014, Vol.115(3) [Periódico revisado por pares]

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Core–shell formation in self-induced inaln nanorods

Palisaitis, J ; Hsiao, C-L ; Hultman, L ; Birch, J ; Persson, P O Å

Nanotechnology, 2017, Vol.28(11), p.115602 (9pp) [Periódico revisado por pares]

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Effects of configurational disorder on the elastic properties of icosahedral boron-rich alloys based on B 6 O, B 13 C 2 , and B 4 C, and their mixing thermodynamics

Ektarawong, A. ; Simak, S. I. ; Hultman, L. ; Birch, J. ; Tasnádi, F. ; Wang, F. ; Alling, B.

The Journal of Chemical Physics, 07 April 2016, Vol.144(13) [Periódico revisado por pares]

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Synthesis and characterization of (0001)-textured wurtzite Al 1-xB xN thin films

Liljeholm, L ; Junaid, M ; Kubart, T ; Birch, J ; Hultman, L ; Katardjiev, I

Surface & Coatings Technology, 2011, Vol.206(6), pp.1033-1036 [Periódico revisado por pares]

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Atomically resolved microscopy of ion implantation induced dislocation loops in 4H-SiC

Karlsson, L.H ; Hallén, A ; Birch, J ; Hultman, L ; Persson, P.O.Å

Materials Letters, 15 October 2016, Vol.181, pp.325-327 [Periódico revisado por pares]

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Two-domain formation during the epitaxial growth of GaN (0001) on c-plane [Al.sub.2][O.sub.3] (0001) by high power impulse magnetron sputtering.(Report)

Junaid, M. ; Lundin, D. ; Palisaitis, J. ; Hsiao, C. - L. ; Darakchieva, V. ; Jensen, J. ; Persson, P. O. A. ; Sandstrom, P. ; Lai, W. - J. ; Chen, L. - C. ; Chen, K. - H. ; Helmersson, U. ; Hultman, L. ; Birch, J.

Journal of Applied Physics, Dec 15, 2011, Vol.110(12), p.123519-1-123519-9 [Periódico revisado por pares]

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Low-temperature growth of boron carbide coatings by direct current magnetron sputtering and high-power impulse magnetron sputtering

Schmidt, S. ; Höglund, C. ; Jensen, J. ; Hultman, L. ; Birch, J. ; Hall-Wilton, Richard Mittuniversitetet, Fakulteten för naturvetenskap, teknik och medier, Avdelningen för elektronikkonstruktion

Journal of Materials Science, 2016, Vol. 51(23), pp. 10418-10428 [Periódico revisado por pares]

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