skip to main content
Refinado por: assunto: X-Ray Diffraction remover data de publicação: 2008Até2013 remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Microstructure evolution during the isostructural decomposition of TiAlN — A combined in-situ small angle x-ray scattering and phase field study

Knutsson, A. ; Ullbrand, J. ; Rogström, L. ; Norrby, N. ; Johnson, L. J. S. ; Hultman, L. ; Almer, J. ; Johansson Jöesaar, M. P. ; Jansson, B. ; Odén, M.

Journal of Applied Physics, 07 June 2013, Vol.113(21) [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Ver todas as versões
2
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Electronic-grade GaN ( 0001 ) / Al 2 O 3 ( 0001 ) grown by reactive DC-magnetron sputter epitaxy using a liquid Ga target

Junaid, M. ; Hsiao, C.-L. ; Palisaitis, J. ; Jensen, J. ; Persson, P. O. Å. ; Hultman, L. ; Birch, J.

Applied Physics Letters, 04 April 2011, Vol.98(14) [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Ver todas as versões
3
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Two-domain formation during the epitaxial growth of GaN (0001) on c-plane [Al.sub.2][O.sub.3] (0001) by high power impulse magnetron sputtering.(Report)

Junaid, M. ; Lundin, D. ; Palisaitis, J. ; Hsiao, C. - L. ; Darakchieva, V. ; Jensen, J. ; Persson, P. O. A. ; Sandstrom, P. ; Lai, W. - J. ; Chen, L. - C. ; Chen, K. - H. ; Helmersson, U. ; Hultman, L. ; Birch, J.

Journal of Applied Physics, Dec 15, 2011, Vol.110(12), p.123519-1-123519-9 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

4
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Sputter deposition from a Ti 2AlC target: Process characterization and conditions for growth of Ti 2AlC

Frodelius, J ; Eklund, P ; Beckers, M ; Persson, P.O.Å ; Högberg, H ; Hultman, L

Thin Solid Films, 2010, Vol.518(6), pp.1621-1626 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Ver todas as versões
5
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Two-domain formation during the epitaxial growth of GaN (0001) on c -plane Al 2 O 3 (0001) by high power impulse magnetron sputtering

Junaid, M. ; Lundin, D. ; Palisaitis, J. ; Hsiao, C.-L. ; Darakchieva, V. ; Jensen, J. ; Persson, P. O. Å. ; Sandström, P. ; Lai, W.-J. ; Chen, L.-C. ; Chen, K.-H. ; Helmersson, U. ; Hultman, L. ; Birch, J.

Journal of Applied Physics, 15 December 2011, Vol.110(12) [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Ver todas as versões
6
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Self-organization during growth of ZrN/SiN x multilayers by epitaxial lateral overgrowth

Fallqvist, A. ; Ghafoor, N. ; Fager, H. ; Hultman, L. ; Persson, P. O. Å.

Journal of Applied Physics, 14 December 2013, Vol.114(22) [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Ver todas as versões
7
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Phase transformation in κ- and γ-Al 2O 3 coatings on cutting tool inserts

Trinh, D.H ; Back, K ; Pozina, G ; Blomqvist, H ; Selinder, T ; Collin, M ; Reineck, I ; Hultman, L ; Högberg, H

Surface & Coatings Technology, 2009, Vol.203(12), pp.1682-1688 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Ver todas as versões
8
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Direct current magnetron sputtering deposition of nanocomposite alumina — zirconia thin films

Trinh, D.H ; Kubart, T ; Nyberg, T ; Ottosson, M ; Hultman, L ; Högberg, H

Thin Solid Films, 2008, Vol.516(23), pp.8352-8358 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Ver todas as versões
9
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Lattice parameters, deviations from Vegard’s rule, and E 2 phonons in InAlN

Darakchieva, V. ; Xie, M.-Y. ; Tasnádi, F. ; Abrikosov, I. A. ; Hultman, L. ; Monemar, B. ; Kamimura, J. ; Kishino, K.

Applied Physics Letters, 29 December 2008, Vol.93(26) [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

10
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Physical properties of epitaxial ZrN/MgO(001) layers grown by reactive magnetron sputtering

Mei, A. B. ; Howe, B. M. ; Zhang, C. ; Sardela, M. ; Eckstein, J. N. ; Hultman, L. ; Rockett, A. ; Petrov, I. ; Greene, J. E.

Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, November 2013, Vol.31(6) [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Ver todas as versões

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Data de Publicação 

De até

Novas Pesquisas Sugeridas

Ignorar minha busca e procurar por tudo

Deste Autor:

  1. Hultman, L
  2. Hultman, Lars
  3. Jensen, J
  4. Persson, P. O. Å.
  5. Junaid, M.

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.