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Refinado por: data de publicação: 1997Até2003 remover 2000Até2001 remover Base de dados/Biblioteca: Elsevier (CrossRef) remover Nome da Publicação: Solid State Communications remover
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FP-LAPW and pseudopotential calculations of the structural phase transformations of GaN under high-pressure

Abu-Jafar, M ; Al-Sharif, A.I ; Qteish, A

Solid State Communications, 2000, Vol.116(7), pp.389-393 [Periódico revisado por pares]

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Spin–orbit splittings in AlN, GaN and InN

Cardona, M ; Christensen, N.E

Solid State Communications, 2000, Vol.116(8), pp.421-425 [Periódico revisado por pares]

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Raman spectroscopy of wurtzite InN films grown on Si
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Raman spectroscopy of wurtzite InN films grown on Si

Agulló-Rueda, F. ; Mendez, E.E. ; Bojarczuk, B. ; Guha, S.

Solid State Communications, 5/2000, Vol.115(1), pp.19-21 [Periódico revisado por pares]

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4
Formation of hexagonal-wurtzite germanium by pulsed laser ablation
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Formation of hexagonal-wurtzite germanium by pulsed laser ablation

Zhang, Y ; Iqbal, Z ; Vijayalakshmi, S ; Qadri, S ; Grebel, H

Solid State Communications, 8/2000, Vol.115(12), pp.657-660 [Periódico revisado por pares]

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5
Absorption coefficient of wurtzite GaN calculated from an empirical tight binding model
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Absorption coefficient of wurtzite GaN calculated from an empirical tight binding model

Jogai, B.

Solid State Communications, 9/2000, Vol.116(3), pp.153-157 [Periódico revisado por pares]

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Pressure effect on phonon modes in gallium nitride: a molecular dynamics study

Aouas, M.R ; Sekkal, W ; Zaoui, A

Solid State Communications, 2001, Vol.120(9), pp.413-418 [Periódico revisado por pares]

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Phonon self-energies in semiconductors: anharmonic and isotopic contributions

Cardona, M ; Ruf, T

Solid State Communications, 2001, Vol.117(3), pp.201-212 [Periódico revisado por pares]

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