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Refinado por: data de publicação: 1997Até2003 remover Antes de1998 remover Base de dados/Biblioteca: Elsevier (CrossRef) remover Nome da Publicação: Solid State Communications remover
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1
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Artigo
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Temperature dependence of the energies and broadening parameters of the excitonic interband transitions in Ga 0.95Al 0.05N

Malikova, L ; Huang, Y.S ; Pollak, Fred H ; Feng, Z.C ; Schurman, M ; Stall, R.A

Solid State Communications, 1997, Vol.103(5), pp.273-278 [Periódico revisado por pares]

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2
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Accurate mobility and carrier concentration analysis for GaN

Look, D.C ; Sizelove, J.R ; Keller, S ; Wu, Y.F ; Mishra, U.K ; Denbaars, S.P

Solid State Communications, 1997, Vol.102(4), pp.297-300 [Periódico revisado por pares]

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3
Elastic lattice deformation and piezoelectric fields in wurtzite type II–VI semiconductor heterostructures
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Artigo
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Elastic lattice deformation and piezoelectric fields in wurtzite type II–VI semiconductor heterostructures

Gusso, Michele ; De Caro, Liberato ; Tapfer, Leander

Solid State Communications, 3/1997, Vol.101(9), pp.665-669 [Periódico revisado por pares]

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4
Lattice dynamics of wurtzite CdS: Neutron scattering and ab-initio calculations
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Artigo
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Lattice dynamics of wurtzite CdS: Neutron scattering and ab-initio calculations

Debernardi, A. ; Pyka, N.M. ; Göbel, A. ; Ruf, T. ; Lauck, R. ; Kramp, S. ; Cardona, M.

Solid State Communications, 8/1997, Vol.103(5), pp.297-301 [Periódico revisado por pares]

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