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1
Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides
Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides

Fabio Danielli Bonani Anderson Henrique Siqueira; Horacio W. Leite Alves; Guilherme Matos Sipahi; ICTP-SAIFR - Condensed Matter Theory in the Metropolis (2. 2022 São Paulo)

Canal YouTube ICTP-SAIFR São Paulo: Universidade Estadual Paulista - UNESP, Instituto de Física Teórica - IFT 10 nov. 2022

São Paulo Universidade Estadual Paulista- UNESP, Instituto de Física Teórica - IFT 2022

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD033735 )(Acessar)

2
Stretchable persistent spin helices in GaAs quantum wells
Stretchable persistent spin helices in GaAs quantum wells
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Stretchable persistent spin helices in GaAs quantum wells

Florian Dettwiler Jiyong Fu; Shawn Mack; Pirmin J Weigele; José Carlos Egues; David D Awschalom; Dominik M Zumbühl

Physical Review X College Park: American Physical Society - APS v. 7, n. 3, p. 031010-1-031010-8, July - Sept. 2017

College Park 2017

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD026278 )(Acessar)

3
Preparation of Co- and Mn-doped ZnO dilute magnetic oxides studies on the transitional metal incorporation into the oxide matrix and the defect related magnetic propoerties
Preparation of Co- and Mn-doped ZnO dilute magnetic oxides studies on the transitional metal incorporation into the oxide matrix and the defect related magnetic propoerties
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Preparation of Co- and Mn-doped ZnO dilute magnetic oxides studies on the transitional metal incorporation into the oxide matrix and the defect related magnetic propoerties

Felipe V dos Santos Viviane M Almeida; Person Pereira Neves; Alexandre Mesquita; Xavier Pierre Marie Gratens; Valmir Antonio Chitta; Hugo Bonette de Carvalho; Encontro de Física 2016 Natal, RN; National Meeting on Condensed Matter Physics 2016 Natal, RN, Brasil) (39

Posters - Resumo São Paulo : SBF, 2016

São Paulo SBF 2016

Acesso online

4
The effect of high non-hydrostatic pressure on III-V semiconductors zinc blende to wurtzite structural phase transition and multiphase generation
The effect of high non-hydrostatic pressure on III-V semiconductors zinc blende to wurtzite structural phase transition and multiphase generation
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

The effect of high non-hydrostatic pressure on III-V semiconductors zinc blende to wurtzite structural phase transition and multiphase generation

Paulo Sérgio Pizani Renato Goulart Jasinevicius; Biennial International Conference of the APS Topical Group on Shock Compression of Condensed Matter - APS-SCCM (18. 2013 Seattle, WA, USA); Biennial International Conference of the International Association for the Advancement of High Pressure Science & Technology - AIRAPT (24. 2013 Seattle, WA, USA)

Journal of Physics: Conference Series Bristol v. 500, Part 18, ID 182032, p. 1-5, 2014

Bristol 2014

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5
Bilayer graphene on h-BN substrate investigating the breakdown voltage and tuning the bandgap by electric field
Bilayer graphene on h-BN substrate investigating the breakdown voltage and tuning the bandgap by electric field
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Bilayer graphene on h-BN substrate investigating the breakdown voltage and tuning the bandgap by electric field

José Eduardo Padilha Renato Borges Pontes; Adalberto Fazzio

Journal of Physics: Condensed Matter London v.24, n.7, p. 075301, fev.2012

London 2012

Acesso online

6
Bilayer graphene on h-BN substrate investigating the breakdown voltage and tuning the bandgap by electric field
Bilayer graphene on h-BN substrate investigating the breakdown voltage and tuning the bandgap by electric field
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Bilayer graphene on h-BN substrate investigating the breakdown voltage and tuning the bandgap by electric field

José Eduardo Padilha Renato Borges Pontes; Adalberto Fazzio

Journal of Physics: Condensed Matter London v.24, n.7, p. 075301, fev.2012

London 2012

Acesso online

7
Crescimento, fabricação e teste de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos
Crescimento, fabricação e teste de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Crescimento, fabricação e teste de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos

Maia, Álvaro Diego Bernardino

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 2012-08-31

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

8
Exponential depletion of neutral dangling bonds density ('D POT. 0') by rare-earth doping inamorphous 'SI' films
Exponential depletion of neutral dangling bonds density ('D POT. 0') by rare-earth doping inamorphous 'SI' films
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Exponential depletion of neutral dangling bonds density ('D POT. 0') by rare-earth doping inamorphous 'SI' films

W. Iwamoto Antonio Ricardo Zanatta; C Rettori; P. G Pagliuso; Frontiers of Condensed Matter - FCM (5. 2010 Buenos Aires)

Physica B Amsterdam : Elsevier BV v. 407, n. 16, p. 3222-3224, Aug. 2012

Amsterdam Elsevier BV 2012

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD019648 )(Acessar)

9
Semiconductor nanoparticle modeling via density functional theory
Semiconductor nanoparticle modeling via density functional theory
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Semiconductor nanoparticle modeling via density functional theory

P P Favero A C Ferraz; R Miotto

JOURNAL OF PHYSICS: CONDENSED MATTER London v.23, n.4, p.045001, fev.2011

London 2011

Acesso online

10
Semiconductor nanoparticle modeling via density functional theory
Semiconductor nanoparticle modeling via density functional theory
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Semiconductor nanoparticle modeling via density functional theory

P P Favero A C Ferraz; R Miotto

JOURNAL OF PHYSICS: CONDENSED MATTER London v.23, n.4, p.045001, fev.2011

London 2011

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  1. Souza, C
  2. Arakaki, H
  3. Pusep, Y
  4. Fazzio, A
  5. Assali, L

Neste Assunto:

  1. Matéria Condensada
  2. Semiconductors
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