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1
(0 0 0 1) oriented GaN epilayer grown on [formula omitted] sapphire by MOCVD
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(0 0 0 1) oriented GaN epilayer grown on [formula omitted] sapphire by MOCVD

Bai, J. ; Wang, T. ; Li, H.D. ; Jiang, N. ; Sakai, S.

Journal of crystal growth, 2001-09, Vol.231 (1), p.41-47 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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2
{0 0 1}-Facet-Exposed Ag 4 V 2 O 7 Nanoplates: Additive-Free Hydrothermal Synthesis and Enhanced Photocatalytic Activity
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{0 0 1}-Facet-Exposed Ag 4 V 2 O 7 Nanoplates: Additive-Free Hydrothermal Synthesis and Enhanced Photocatalytic Activity

Van, Nguyen Duc ; Le, Ngo Thi Hong

Journal of nanomaterials, 2018-10, Vol.2018, p.1-7 [Periódico revisado por pares]

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3
0 + 0 = 2: Changeover of Stability and Photopolymerization Kinetics for the Rotator Phase of Long-Chain Acrylate through the Ultra-Addition Effect in Binary Systems
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0 + 0 = 2: Changeover of Stability and Photopolymerization Kinetics for the Rotator Phase of Long-Chain Acrylate through the Ultra-Addition Effect in Binary Systems

Yao, Miao ; Nie, Jun ; He, Yong

Macromolecules, 2018-08, Vol.51 (15), p.5904-5910 [Periódico revisado por pares]

American Chemical Society

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4
(0 0 2)-oriented growth and morphologies of ZnO thin films prepared by sol-gel method
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(0 0 2)-oriented growth and morphologies of ZnO thin films prepared by sol-gel method

Guo, Dongyun ; Ju, Yang ; Fu, Chengju ; Huang, Zhixiong ; Zhang, Lianmeng

Materials science--Poland, 2016-09, Vol.34 (3), p.555-563 [Periódico revisado por pares]

De Gruyter

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5
(0 0 6)-oriented α-Al 2O 3 films prepared in CO 2–H 2 atmosphere by laser chemical vapor deposition using a diode laser
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(0 0 6)-oriented α-Al 2O 3 films prepared in CO 2–H 2 atmosphere by laser chemical vapor deposition using a diode laser

You, Yu ; Ito, Akihiko ; Tu, Rong ; Goto, Takashi

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 2011, Vol.176 (13), p.984-989 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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6
(0 0 l)-oriented Bi 2Sr 2Co 2O y and Ca 3Co 4O 9 films: Self-assembly orientation and growth mechanism by chemical solution deposition
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(0 0 l)-oriented Bi 2Sr 2Co 2O y and Ca 3Co 4O 9 films: Self-assembly orientation and growth mechanism by chemical solution deposition

Zhu, Xuebin ; Shi, Dongqi ; Dou, Shixue ; Sun, Yuping ; Li, Qi ; Wang, Lin ; Li, Wenxian ; Yeoh, Weikong ; Zheng, Rongkun ; Chen, Zhixin ; Kong, Chunxiu

Acta materialia, 2010, Vol.58 (12), p.4281-4291 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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7
0.00035 mm2 on-chip leakage sensing unit for various devices in 10 nm FinFET process
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0.00035 mm2 on-chip leakage sensing unit for various devices in 10 nm FinFET process

Oh, G.-G ; Lee, Y.-W ; Lee, B

Electronics letters, 2018-02, Vol.54 (4), p.213-215 [Periódico revisado por pares]

The Institution of Engineering and Technology

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8
0.00035 mm 2 on‐chip leakage sensing unit for various devices in 10 nm FinFET process
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0.00035 mm 2 on‐chip leakage sensing unit for various devices in 10 nm FinFET process

Oh, G.‐G. ; Lee, Y.‐W. ; Lee, B.

Electronics letters, 2018-02, Vol.54 (4), p.213-215 [Periódico revisado por pares]

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9
[0001] Compression response at room temperature of single-crystal magnesium
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[0001] Compression response at room temperature of single-crystal magnesium

Syed, B. ; Geng, J. ; Mishra, R.K. ; Kumar, K.S.

Scripta materialia, 2012-10, Vol.67 (7-8), p.700-703 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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10
(0?0?1) Co^sub 2^Z filled random Co^sub 2^Z powder: A lightweight and broadband with enhanced electromagnetic wave absorption properties
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Artigo
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(0?0?1) Co^sub 2^Z filled random Co^sub 2^Z powder: A lightweight and broadband with enhanced electromagnetic wave absorption properties

Yang, Haibo ; Dai, Jingjing ; Liu, Xiao ; Lin, Ying ; Wang, Fen

Materials letters, 2018-02, Vol.212, p.275 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier BV

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