Result Number | Material Type | Add to My Shelf Action | Record Details and Options |
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Material Type: Artigo
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0. 04 Hz relative optical-frequency stability in a 1. 5. mu. m distributed-Bragg-reflector (DBR) laserIshida, O. ; Toba, H. ; Tohmori, Y.IEEE photonics technology letters, 1989-12, Vol.1:12United StatesTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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0.01M のAlamine 336およびAliquat 336によるバナジウムの溶媒抽出に関する研究菊内, 康正 ; 宮下, 文彬 ; 宮谷, 義六日本鉱業会誌, 1984/07/25, Vol.100(1157), pp.610-614一般社団法人 資源・素材学会Texto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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0.01MのAlamine336によるMoおよびWの溶媒抽出宮下, 文彬 ; 菊内, 康正 ; 宮谷, 義六日本鉱業会誌, 1986/01/25, Vol.102(1175), pp.35-39一般社団法人 資源・素材学会Texto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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0.01μm以上の平均孔を有する高分子多孔膜の孔のキャラクタリゼーション法上出, 健二 ; 真鍋, 征一 ; 松井, 敏彦高分子論文集, 1977/04/25, Vol.34(4), pp.299-307 [Periódico revisado por pares]公益社団法人 高分子学会Texto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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0.028%チタン含有鋳鉄の黒鉛組織に及ぼす窒素の影響堤, 信久 ; 出津, 新也鋳物, 1980/10/25, Vol.52(10), pp.579-584公益社団法人 日本鋳造工学会Texto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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0.04 Hz relative optical-frequency stability in a 1.5 mu m distributed-Bragg-reflector (DBR) laserIshida, O. ; Toba, H. ; Tohmori, Y.IEEE photonics technology letters, 1989-12, Vol.1 (12), p.452-454IEEETexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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0.04 Hz relative optical-frequency stability in a 1.5 mum distributed-Bragg-reflector (DBR) laserIshida, O ; Toba, H ; Tohmori, YIEEE photonics technology letters, 1989-12, Vol.1 (12), p.452-454Texto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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0.1–10-keV x-ray-induced electron emissions from solids—Models and secondary electron measurementsHenke, Burton L. ; Smith, Jerel A. ; Attwood, David T.Journal of applied physics, 1977-05, Vol.48 (5), p.1852-1866 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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0.1-micron gate-length pseudomorphic HEMT'sChao, P C ; DUH, K U A N G-H A N N G ; SMITH, PHILLIPM ; BALLINGALL, JAMESM ; TIBERIO, RICHARDCIEEE electron device letters, 1987-10, Vol.EDL-8, p.489-491 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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0.1-micron gate-length superconducting FETNishino, T ; Hatano, M ; Hasegawa, H ; Murai, F ; Kure, TIEEE electron device letters, 1989-02, Vol.10, p.61-63 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |