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0‐1 Knapsack problem driven resource scheduling in caching‐enabled network: A case study on sports video
0‐1 Knapsack problem driven resource scheduling in caching‐enabled network: A case study on sports video
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0‐1 Knapsack problem driven resource scheduling in caching‐enabled network: A case study on sports video

Xu, Qiang

Internet technology letters, 2021-09, Vol.4 (5), p.n/a [Periódico revisado por pares]

Chichester, UK: John Wiley & Sons, Ltd

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2
(0, 2) trialities
(0, 2) trialities
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(0, 2) trialities

Gadde, Abhijit ; Gukov, Sergei ; Putrov, Pavel

The journal of high energy physics, 2014-03, Vol.2014 (3), p.1-31, Article 76 [Periódico revisado por pares]

Berlin/Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg

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3
0.03 V Electrolysis Voltage Driven Hydrazine Assisted Hydrogen Generation on NiCo phosphide Nanowires Supported NiCoHydroxide Nanosheets
0.03 V Electrolysis Voltage Driven Hydrazine Assisted Hydrogen Generation on NiCo phosphide Nanowires Supported NiCoHydroxide Nanosheets
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0.03 V Electrolysis Voltage Driven Hydrazine Assisted Hydrogen Generation on NiCo phosphide Nanowires Supported NiCoHydroxide Nanosheets

Li, Mujie ; Zhang, Zhongyi ; Xiong, Hailang ; Wang, Linan ; Zhuang, Shuxian ; Argyle, Morris D. ; Tang, Yang ; Yang, Xiaojin ; Chen, Yongmei ; Wan, Pingyu ; Fan, Maohong

ChemElectroChem, 2020-07, Vol.7 (14), p.3089-3097 [Periódico revisado por pares]

Weinheim: John Wiley & Sons, Inc

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4
0.1-μm InAlAs/InGaAs HEMTS with an InP-recess-etch stopper grown by MOCVD
0.1-μm InAlAs/InGaAs HEMTS with an InP-recess-etch stopper grown by MOCVD
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0.1-μm InAlAs/InGaAs HEMTS with an InP-recess-etch stopper grown by MOCVD

Enoki, Takatomo ; Ito, Hiroshi ; Ikuta, Kenji ; Umeda, Yohtaro ; Ishii, Yasunobu

Microwave and optical technology letters, 1996-02, Vol.11 (3), p.135-139 [Periódico revisado por pares]

New York: Wiley Subscription Services, Inc., A Wiley Company

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(0,2) Landau-Ginzburg models and residues
(0,2) Landau-Ginzburg models and residues
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(0,2) Landau-Ginzburg models and residues

Melnikov, Ilarion V

The journal of high energy physics, 2009-09, Vol.2009 (9), p.118-118 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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6
0.25 µm emitter InP/InAlGaAs/GaAsSb double heterojunction bipolar transistor with passivation ledge exhibiting a current gain of over 100
0.25 µm emitter InP/InAlGaAs/GaAsSb double heterojunction bipolar transistor with passivation ledge exhibiting a current gain of over 100
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0.25 µm emitter InP/InAlGaAs/GaAsSb double heterojunction bipolar transistor with passivation ledge exhibiting a current gain of over 100

Kashio, N ; Kurishima, K ; Ida, M ; Matsuzaki, H

Electronics letters, 2014-10, Vol.50 (22), p.1631 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: John Wiley & Sons, Inc

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7
0.2 Ma or 1.2 Ma? Timing of the Linking of the Middle and Lower Reaches of the Yellow River Inferred From Loess‐Palaeosol Sequences
0.2 Ma or 1.2 Ma? Timing of the Linking of the Middle and Lower Reaches of the Yellow River Inferred From Loess‐Palaeosol Sequences
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0.2 Ma or 1.2 Ma? Timing of the Linking of the Middle and Lower Reaches of the Yellow River Inferred From Loess‐Palaeosol Sequences

Chen, Qu ; Liu, Xiuming ; Zhao, Guoyong ; Jia, Jia ; Ye, Wei ; LÜ, Bin ; Meadows, Michael ; Guan, Jueqi

Geophysical research letters, 2022-03, Vol.49 (6), p.n/a [Periódico revisado por pares]

Washington: John Wiley & Sons, Inc

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8
0.35 V time-domain-based instrumentation amplifier
0.35 V time-domain-based instrumentation amplifier
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0.35 V time-domain-based instrumentation amplifier

Mohan, R ; Yan, L ; Gielen, G ; Van Hoof, C ; Yazicioglu, R.F

Electronics letters, 2014-10, Vol.50 (21), p.1511-1513 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: The Institution of Engineering and Technology

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9
0.5-V bulk-driven CMOS operational amplifier
0.5-V bulk-driven CMOS operational amplifier
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0.5-V bulk-driven CMOS operational amplifier

Kulej, Tomasz

IET circuits, devices & systems, 2013-11, Vol.7 (6), p.352-360 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: The Institution of Engineering and Technology

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10
0.5 V inverter-based ultra-low-power, low-noise VGA for medical ultrasound probes
0.5 V inverter-based ultra-low-power, low-noise VGA for medical ultrasound probes
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0.5 V inverter-based ultra-low-power, low-noise VGA for medical ultrasound probes

Wang, P ; Halvorsrød, T.M ; Ytterdal, T

Electronics letters, 2014-01, Vol.50 (2), p.69-71 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: The Institution of Engineering and Technology

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  5. Após 2006  (396.368)
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  1. Lett, J
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  1. Science & Technology
  2. Physical Sciences
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