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1	Material Type: Ata de Congresso		0.1 /spl mu/m-rule MRAM development using double-layered hard mask Tsuji, K. ; Suemitsu, K. ; Mukai, T. ; Nagahara, K. ; Masubuchi, H. ; Utsumi, H. ; Kikuta, K. International Electron Devices Meeting. Technical Digest (Cat. No.01CH37224), 2001, p.36.4.1-36.4.4 IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
2	Material Type: Artigo		0.13-[micro]m 32-Mb/64-Mb embedded DRAM core with high efficient redundancy and enhanced testability Kikukawa, H ; Tomishima, S ; Tsuji, T ; Kawasaki, T ; Sakamoto, S ; Ishikawa, M ; Abe, W ; Tanizaki, H ; Kato, H ; Uchikoba, T ; Inokuchi, T ; Senoh, M ; Fukushima, Y ; Nirro, M ; Maruta, M ; Shibayama, A ; Ooishi, T ; Takahashi, K ; Hidaka, H IEEE journal of solid-state circuits, 2002-07, Vol.37 (7), p.932 [Periódico revisado por pares] New York: The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. (IEEE) Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
3	Material Type: Artigo		0.13-mu m 32-Mb/64-Mb embedded DRAM core with high efficientredundancy and enhanced testability Kikukawa, H ; Tomishima, S ; Tsuji, T ; Kawasaki, T ; Sakamoto, S ; Ishikawa, M ; Abe, W ; Tanizaki, H ; Kato, H ; Uchikoba, T ; Inokuchi, T ; Senoh, M ; Fukushima, Y ; Nirro, M ; Maruta, M ; Shibayama, A ; Ooishi, T ; Takahashi, K ; Hidaka, H IEEE journal of solid-state circuits, 2002-07, Vol.37 (7), p.932-940 [Periódico revisado por pares] Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
4	Material Type: Artigo		0.13-/spl mu/m 32-Mb/64-Mb embedded DRAM core with high efficient redundancy and enhanced testability Kikukawa, H. ; Tomishima, S. ; Tsuji, T. ; Kawasaki, T. ; Sakamoto, S. ; Ishikawa, M. ; Abe, W. ; Tanizaki, H. ; Kato, H. ; Uchikoba, T. ; Inokuchi, T. ; Senoh, M. ; Fukushima, Y. ; Nirro, M. ; Maruta, M. ; Shibayama, A. ; Ooishi, T. ; Takahashi, K. ; Hidaka, H. IEEE journal of solid-state circuits, 2002-07, Vol.37 (7), p.932-940 [Periódico revisado por pares] IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
5	Material Type: Artigo		0.13-μm 32-Mb/64-Mb embedded DRAM core with high efficient redundancy and enhanced testability Kikukawa, H. ; Tomishima, S. ; Tsuji, T. ; Kawasaki, T. ; Sakamoto, S. ; Ishikawa, M. ; Abe, W. ; Tanizaki, H. ; Kato, H. ; Uchikoba, T. ; Inokuchi, T. ; Senoh, M. ; Fukushima, Y. ; Nirro, M. ; Maruta, M. ; Shibayama, A. ; Ooishi, T. ; Takahashi, K. ; Hidaka, H. IEEE journal of solid-state circuits, 2002-07, Vol.37 (7), p.932-940 [Periódico revisado por pares] Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
6	Material Type: Ata de Congresso		0.13um 32Mb/64Mb embedded DRAM core with high efficient redundancy and enhanced testability Kikukawa, H. ; Tomishima, S. ; Tsuji, T. ; Kawasaki, T. ; Sakamoto, S. ; Ishikawa, M. ; Abe, W. ; Tanizaki, H. ; Kato, H. ; Uchikoba, T. ; Inokuchi, T. ; Senoh, M. ; Fukushima, Y. ; Niiro, M. ; Maruta, M. ; Shibayama, A. ; Ooishi, T. ; Takahashi, K. ; Hidaka, H. Proceedings of the 27th European Solid-State Circuits Conference, 2001, p.281-284 IEEE Sem texto completo Serviços Detalhes Resenhas & Tags Nº de Citações Citações Citado por
7	Material Type: Artigo		0.1%C-2%Si-5%Mn超微細フェライト+オーステナイト鋼の短時間組織形成と力学的特性に及ぼす二相域焼鈍前組織の影響安達, 節展 ; 鳥塚, 史郎 ; 足立, 大樹 ; 伊東, 篤志鉄と鋼, 2019, Vol.105(2), pp.197-206 [Periódico revisado por pares] 一般社団法人日本鉄鋼協会 Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
8	Material Type: Artigo		0.2-Hz repetitive transcranial magnetic stimulation has no add-on effects as compared to a realistic sham stimulation in Parkinson's disease Okabe, Shingo ; Ugawa, Yoshikazu ; Kanazawa, Ichiro Movement disorders, 2003-04, Vol.18 (4), p.382-388 [Periódico revisado por pares] New York: Wiley Subscription Services, Inc., A Wiley Company Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
9	Material Type: Ata de Congresso		0.2 mu m gate pseudomorphic inverted HEMT for high speed digital ICs Tsuji, H. ; Fujishiro, H.I. ; Shikata, M. ; Tanaka, K. ; Nishi, S. [1991] GaAs IC Symposium Technical Digest, 1991, p.113-116 IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
10	Material Type: Ata de Congresso		0.39-V, 18.26-µW/MHz SOTB CMOS Microcontroller with embedded atom switch ROM Sakamoto, Toshitsugu ; Tsuji, Yukihide ; Tada, Munehiro ; Makiyama, Hideki ; Hasegawa, Takumi ; Yamamoto, Yoshiki ; Okanishi, Shinobu ; Maekawa, Keiichi ; Banno, Naoki ; Miyamura, Makoto ; Okamoto, Koichiro ; Iguchi, Noriyuki ; Ogasahara, Yasuhiro ; Oda, Hidekazu ; Kamohara, Shiro ; Yamagata, Yasushi ; Sugii, Nobuyuki ; Hada, Hiromitsu 2015 IEEE Symposium in Low-Power and High-Speed Chips (COOL CHIPS XVIII), 2015, p.1-3 IEEE Sem texto completo Serviços Detalhes Resenhas & Tags Nº de Citações Citações Citado por

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