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Radiation damage in heteroepitaxial BaTiO{sub 3} thin films on SrTiO{sub 3} under Ne ion irradiation
Radiation damage in heteroepitaxial BaTiO{sub 3} thin films on SrTiO{sub 3} under Ne ion irradiation
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Radiation damage in heteroepitaxial BaTiO{sub 3} thin films on SrTiO{sub 3} under Ne ion irradiation

Bi, Z. ; Li, N. ; Misra, A. ; Jia, Q. X. ; Uberuaga, B. P. ; Vernon, L. J. ; Fu, E. ; Wang, Y. ; Wang, H.

Journal of applied physics, 2013-01, Vol.113 (2) [Periódico revisado por pares]

United States

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2
Crystal orientation dependence of current-perpendicular-to-plane giant magnetoresistance of pseudo spin-valves with epitaxial Co{sub 2}Fe(Ge{sub 0.5}Ga{sub 0.5}) Heusler alloy layers
Crystal orientation dependence of current-perpendicular-to-plane giant magnetoresistance of pseudo spin-valves with epitaxial Co{sub 2}Fe(Ge{sub 0.5}Ga{sub 0.5}) Heusler alloy layers
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Crystal orientation dependence of current-perpendicular-to-plane giant magnetoresistance of pseudo spin-valves with epitaxial Co{sub 2}Fe(Ge{sub 0.5}Ga{sub 0.5}) Heusler alloy layers

Chen, Jiamin ; Hono, K. ; National Institute for Materials Science, 1-2-1 Sengen, Tsukuba 305-0047 ; Li, Songtian ; Furubayashi, T. ; Takahashi, Y. K.

Journal of applied physics, 2014-06, Vol.115 (23) [Periódico revisado por pares]

United States

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A Monte Carlo study of reflection electron energy loss spectroscopy spectrum of a carbon contaminated surface
A Monte Carlo study of reflection electron energy loss spectroscopy spectrum of a carbon contaminated surface
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A Monte Carlo study of reflection electron energy loss spectroscopy spectrum of a carbon contaminated surface

Da, B. ; Li, Z. Y. ; Chang, H. C. ; Mao, S. F. ; Ding, Z. J.

Journal of applied physics, 2014-09, Vol.116 (12) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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Well-isolated L1{sub 0} FePt-SiN{sub x}-C nanocomposite films with large coercivity and small grain size
Well-isolated L1{sub 0} FePt-SiN{sub x}-C nanocomposite films with large coercivity and small grain size
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Well-isolated L1{sub 0} FePt-SiN{sub x}-C nanocomposite films with large coercivity and small grain size

Dong, K. F. ; Li, H. H. ; Chow, G. M. ; Chen, J. S. ; Peng, Y. G. ; Ju, G.

Journal of applied physics, 2012-04, Vol.111 (7) [Periódico revisado por pares]

United States

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5
Intrinsic relationship between electronic structures and phase transition of SrBi{sub 2−x}Nd{sub x}Nb{sub 2}O{sub 9} ceramics from ultraviolet ellipsometry at elevated temperatures
Intrinsic relationship between electronic structures and phase transition of SrBi{sub 2−x}Nd{sub x}Nb{sub 2}O{sub 9} ceramics from ultraviolet ellipsometry at elevated temperatures
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Intrinsic relationship between electronic structures and phase transition of SrBi{sub 2−x}Nd{sub x}Nb{sub 2}O{sub 9} ceramics from ultraviolet ellipsometry at elevated temperatures

Duan, Z. H. ; Jiang, K. ; Xu, L. P. ; Li, Y. W. ; Hu, Z. G. ; Chu, J. H.

Journal of applied physics, 2014-02, Vol.115 (5) [Periódico revisado por pares]

United States

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6
Modified InGaN/GaN quantum wells with dual-wavelength green-yellow emission
Modified InGaN/GaN quantum wells with dual-wavelength green-yellow emission
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Modified InGaN/GaN quantum wells with dual-wavelength green-yellow emission

Fang, Z. L. ; Li, Q. F. ; Shen, X. Y. ; Xiong, H. ; Cai, J. F. ; Kang, J. Y. ; Shen, W. Z.

Journal of applied physics, 2014-01, Vol.115 (4) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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7
The correlation of epitaxial graphene properties and morphology of SiC (0001)
The correlation of epitaxial graphene properties and morphology of SiC (0001)
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The correlation of epitaxial graphene properties and morphology of SiC (0001)

Guo, Y. ; Guo, L. W. ; Huang, J. ; Yang, R. ; Jia, Y. P. ; Lin, J. J. ; Lu, W. ; Li, Z. L. ; Chen, X. L.

Journal of applied physics, 2014-01, Vol.115 (4) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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AlN and Al oxy-nitride gate dielectrics for reliable gate stacks on Ge and InGaAs channels
AlN and Al oxy-nitride gate dielectrics for reliable gate stacks on Ge and InGaAs channels
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AlN and Al oxy-nitride gate dielectrics for reliable gate stacks on Ge and InGaAs channels

Guo, Y. ; Li, H. ; Robertson, J.

Journal of applied physics, 2016-05, Vol.119 (20) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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Anisotropic magnetoresistance and current-perpendicular-to-plane giant magnetoresistance in epitaxial NiMnSb-based multilayers
Anisotropic magnetoresistance and current-perpendicular-to-plane giant magnetoresistance in epitaxial NiMnSb-based multilayers
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Anisotropic magnetoresistance and current-perpendicular-to-plane giant magnetoresistance in epitaxial NiMnSb-based multilayers

Kwon, B. ; Sakuraba, Y. ; Sukegawa, H. ; Li, S. ; Qu, G. ; Furubayashi, T. ; Hono, K.

Journal of applied physics, 2016-01, Vol.119 (2) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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Tunneling processes in asymmetric double barrier magnetic tunnel junctions with a thin top MgO layer
Tunneling processes in asymmetric double barrier magnetic tunnel junctions with a thin top MgO layer
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Tunneling processes in asymmetric double barrier magnetic tunnel junctions with a thin top MgO layer

Li, D. L. ; Feng, J. F. ; Yu, G. Q. ; Guo, P. ; Chen, J. Y. ; Wei, H. X. ; Han, X. F. ; Coey, J. M. D.

Journal of applied physics, 2013-12, Vol.114 (21) [Periódico revisado por pares]

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