Resultados de 1 a 10 de 12 para Busca Geral
| Result Number | Material Type | Add to My Shelf Action | Record Details and Options |
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Material Type: Artigo
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Electronic structure and optical properties of BaMoO 4 powdersSczancoski, J.C. ; Cavalcante, L.S. ; Marana, N.L. ; da Silva, R.O. ; Tranquilin, R.L. ; Joya, M.R. ; Pizani, P.S. ; Varela, J.A. ; Sambrano, J.R. ; Siu Li, M. ; Longo, E. ; Andrés, J.Current applied physics, 2010, Vol.10 (2), p.614-624 [Periódico revisado por pares]Elsevier B.VTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Electronic structure and optical properties of BaMo'O IND. 4' powdersJ. C. Sczancoski L. S Cavalcante; N. L Marana; R. O Silva; R. L Tranquilin; M. R Joya; P. S Pizani; J. A Varela; J. R Sambrano; Máximo Siu Li; E Longo; J AndrésCurrent Applied Physics Amsterdam : Elsevier v. 10, n. 2, p. 614-624, Mar. 2010Amsterdam 2010Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos (PROD016636 )(Acessar) |
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Material Type: Artigo
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Electronic structure and optical properties of BaMo'O IND. 4' powdersJ. C. Sczancoski L. S Cavalcante; N. L Marana; R. O Silva; R. L Tranquilin; M. R Joya; P. S Pizani; J. A Varela; J. R Sambrano; Máximo Siu Li; E Longo; J AndrésCurrent Applied Physics Amsterdam : Elsevier v. 10, n. 2, p. 614-624, Mar. 2010Amsterdam 2010Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos (PROD016636 )(Acessar) |
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Material Type: Artigo
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Electronic structure and optical properties of BaMoO(4) powdersSczancoski, J C ; Cavalcante, L S ; Marana, N L ; Da Silva, R.O. ; Tranquilin, R L ; Joya, M R ; Pizani, P S ; Varela, J A ; Sambrano, J R ; Li, M Siu ; Longo, E ; Andres, JCurrent applied physics, 2010-03, Vol.10 (2), p.614-624 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Electronic structure and optical properties of BaMoO4 powdersSczancoski, J.C. ; Cavalcante, L.S. ; Marana, N.L. ; da Silva, R.O. ; Tranquilin, R.L. ; Joya, M.R. ; Pizani, P.S. ; Varela, J.A. ; Sambrano, J.R. ; Siu Li, M. ; Longo, E. ; Andrés, J.Current Applied Physics, 2010, 10(2), , pp.614-624 [Periódico revisado por pares]한국물리학회Texto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Raman spectroscopy analysis of structural photoinduced changers in Ge'S IND.2'+'Ga IND.2'+'O IND.3' thin filmsA. C. Mendes L. J. Q Maia; S. H Messaddeq; Y Messaddeq; Antonio Ricardo Zanatta; Máximo Siu LiCurrent Applied Physics Amsterdam : Elsevier v. 10, n. 6, p. 1411-1415, Nov. 2010Amsterdam 2010Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos (PROD017172 )(Acessar) |
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Material Type: Artigo
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Raman spectroscopy analysis of structural photoinduced changers in Ge'S IND.2'+'Ga IND.2'+'O IND.3' thin filmsA. C. Mendes L. J. Q Maia; S. H Messaddeq; Y Messaddeq; Antonio Ricardo Zanatta; Máximo Siu LiCurrent Applied Physics Amsterdam : Elsevier v. 10, n. 6, p. 1411-1415, Nov. 2010Amsterdam 2010Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos (PROD017172 )(Acessar) |
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Material Type: Artigo
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Raman spectroscopy analysis of structural photoinduced changes in GeS 2 + Ga 2O 3 thin filmsMendes, A.C. ; Maia, L.J.Q. ; Messaddeq, S.H. ; Messaddeq, Y. ; Zanatta, A.R. ; Siu Li, M.Current applied physics, 2010, Vol.10 (6), p.1411-1415 [Periódico revisado por pares]Elsevier B.VTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Raman spectroscopy analysis of structural photoinduced changes in GeS2+Ga2O3 thin filmsMendes, A.C. ; Maia, L.J.Q. ; Messaddeq, S.H. ; Messaddeq, Y. ; Zanatta, A.R. ; Siu Li, M.Current Applied Physics, 2010, 10(6), , pp.1411-1415 [Periódico revisado por pares]한국물리학회Texto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Solvent effect on the optimization of 1,54 µm emission in Er-doped Y2O3-Al2O3-SiO2 powders synthesized by a modified Pechini methodA. C. Mendes L. J. Q Maia; E. C Paris; Máximo Siu LiCurrent Applied Physics Amsterdam : Elsevier BV v. 13, n. 8, p. 1558-1565, Oct. 2013Amsterdam 2013Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos (PROD021220 )(Acessar) |
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