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Refinado por: assunto: Física Da Matéria Condensada remover
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1
Accurate electronic band gap and electron e®ective masses of AlGaN and InGaN from LDA-1/2 calculations
Accurate electronic band gap and electron e®ective masses of AlGaN and InGaN from LDA-1/2 calculations
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Accurate electronic band gap and electron e®ective masses of AlGaN and InGaN from LDA-1/2 calculations

Ronaldo Rodrigues Pelá Clovis Caetano; L K Teles (Lara Kühl); Marcelo Marques; Luiz Guimarães Ferreira; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (XXXII 2009 Águas de Lindóia, SP)

Poster Session

São Paulo SBF 2009

Acesso online

2
Acoplamento spin-órbita inter-subbanda em heteroestruturas semicondutoras
Acoplamento spin-órbita inter-subbanda em heteroestruturas semicondutoras
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Acoplamento spin-órbita inter-subbanda em heteroestruturas semicondutoras

Calsaverini, Rafael Sola De Paula De Angelo

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física de São Carlos 2007-10-26

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

3
Anisotropia da coerência espacial de excitações coletivas em super-redes GaAs/AlGaAs intencionalmente desordenadas
Anisotropia da coerência espacial de excitações coletivas em super-redes GaAs/AlGaAs intencionalmente desordenadas
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Anisotropia da coerência espacial de excitações coletivas em super-redes GaAs/AlGaAs intencionalmente desordenadas

Veronica Espinoza Carrasco Giovani Zanelatto; José Claúdio Galzerani; Yuri A Pusep; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (27. 2004 Poços de Caldas)

Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Física, 2004

São Paulo Sociedade Brasileira de Física 2004

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD009838 ) e outros locais(Acessar)

4
Arsenide, nitride and phosphide semiconductors heterojunctions band alignments calculated for large supercells using local density approximation with self-energy corrections
Arsenide, nitride and phosphide semiconductors heterojunctions band alignments calculated for large supercells using local density approximation with self-energy corrections
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Arsenide, nitride and phosphide semiconductors heterojunctions band alignments calculated for large supercells using local density approximation with self-energy corrections

Octavio Pereira da Silva Filho (*) Marcelo Marques (*); Lara Kuhl Teles (*); Mauro Ribeiro Junior (*); Luiz Guimarães Ferreira; XXXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 2012 Águas de Lindóia

Resumo Águas de Lindóia: SBF, 2012

Águas de Lindóia SBF 2012

Acesso online

5
Bare LO-Phonon peack in THz-Emission signals a dielectric-function analysis
Bare LO-Phonon peack in THz-Emission signals a dielectric-function analysis
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Bare LO-Phonon peack in THz-Emission signals a dielectric-function analysis

Fabrício M Souza José Carlos Egues; Brazilian Workshop on Semicondutor Physics (10. 2002 Guarujá)

Brazilian Journal of Physics São Paulo v. 32, n. 2A, p. 415-417, Jun., 2002

São Paulo SBF 2002

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

6
Brewing a new mesoscopic scale approach to semiconductor physics with high performance computing a succesfull case
Brewing a new mesoscopic scale approach to semiconductor physics with high performance computing a succesfull case
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Brewing a new mesoscopic scale approach to semiconductor physics with high performance computing a succesfull case

Guilherme Matos Sipahi Elton Marcio dos Santos; Marcel Nogueira Eurydice; Ivan Silvestre Paganini Marin; Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat (5. 2006 Florianópolis); Brazilian MRS Meeting (5. 2006 Florianópolis)

Final Program Rio de Janeiro : Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2006

Rio de Janeiro Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat 2006

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD013656 ) e outros locais(Acessar)

7
Calculated band gaps and band offsets at the `SiO IND.2´/Si interface with the inclusion of the self-energy of electrons and holes
Calculated band gaps and band offsets at the `SiO IND.2´/Si interface with the inclusion of the self-energy of electrons and holes
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Calculated band gaps and band offsets at the `SiO IND.2´/Si interface with the inclusion of the self-energy of electrons and holes

Mauro Ribeiro Junior Leonardo Fonseca; Luiz Guimarães Ferreira; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (XXXII 2009 Águas de Lindóia, SP)

Poster Session

São Paulo SBF 2009

Acesso online

8
Calculated luminescence spectra of GaAs/Ga'As IND.1-x''N IND.x' derived heterostructures
Calculated luminescence spectra of GaAs/Ga'As IND.1-x''N IND.x' derived heterostructures
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Calculated luminescence spectra of GaAs/Ga'As IND.1-x''N IND.x' derived heterostructures

Guilherme Matos Sipahi S C P Rodrigues; Luisa Maria Ribeiro Scolfaro; J. R Leite (José Roberto); Ibero American Workshop on Nanostructures for Application in Micro and Optoelectronics (2. 2001 São José dos Campos)

Program and abstracts São Jose dos Campos: INPE, 2001

São José dos Campos INPE 2001

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD007618 ) e outros locais(Acessar)

9
Calculations of electronic and optical properties in p-doped AlGaN/GaN superlattices and quantum wells
Calculations of electronic and optical properties in p-doped AlGaN/GaN superlattices and quantum wells
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Calculations of electronic and optical properties in p-doped AlGaN/GaN superlattices and quantum wells

S C P Rodrigues Guilherme Matos Sipahi

Journal of Crystal Growth Amsterdam v.246, n.3-4, p.347-354, Dec, 2002

Amsterdam 2002

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD008235 )(Acessar)

10
Calculations of electronic and optical properties in p-doped AlGaN/GaN superlattices and quantum wells
Calculations of electronic and optical properties in p-doped AlGaN/GaN superlattices and quantum wells
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Calculations of electronic and optical properties in p-doped AlGaN/GaN superlattices and quantum wells

S C P Rodrigues Guilherme Matos Sipahi

Journal of Crystal Growth Amsterdam v.246, n.3-4, p.347-354, Dec, 2002

Amsterdam 2002

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD008235 )(Acessar)

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