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Al thermal diffusion in `alfa´-`Si IND.1-X´`C IND.X´:H Thin Film Studied by XAFS
Al thermal diffusion in `alfa´-`Si IND.1-X´`C IND.X´:H Thin Film Studied by XAFS
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Al thermal diffusion in `alfa´-`Si IND.1-X´`C IND.X´:H Thin Film Studied by XAFS

Rogerio Junqueira Prado Márcia Carvalho de Abreu Fantini; Marcelo Nelson Páez Carreño 1962-; Inés Pereyra 1947-; A M Flank; X-Ray Absorption Fine Structure - XAFS 13th International Conference

AIP Conference Proceedings v. 882, p. 529-531, 2007

New York The Institute 2007

Acesso online

2
Amorphous silicon thin film field effect transistors
Amorphous silicon thin film field effect transistors
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Amorphous silicon thin film field effect transistors

Adnei Melges de Andrade 1943- Mário Sabro Sanematsu; Fernando Josepetti Fonseca 1959-; Carlos Américo Morato de Andrade 1935-2006; Inés Pereyra 1947-; R F P Martins; E Fortunato; Latin-American Symposium on Surface Physics (5. 1988 Bogota)

Thin Films and Small Particles: Proceedings Singapore : World Scientific, 1989

Singapore World Scientific 1989

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3
Annealing effects of highly homogeneous a-'Si IND. 1-x''C IND. x': H
Annealing effects of highly homogeneous a-'Si IND. 1-x''C IND. x': H
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Annealing effects of highly homogeneous a-'Si IND. 1-x''C IND. x': H

J. R Prado T. F D'Addio; Márcia Carvalho de Abreu Fantini; Inés Pereyra 1947-; A. M Flank

Journal of Non-Crystalline Solids Amsterdam v. 330, n. 1-3, p. 196-215, 2003

Amsterdam 2003

Acesso online

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Annealing effects of highly homogeneous a-'Si IND. 1-x''C IND. x': H
Annealing effects of highly homogeneous a-'Si IND. 1-x''C IND. x': H
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Annealing effects of highly homogeneous a-'Si IND. 1-x''C IND. x': H

J. R Prado T. F D'Addio; Márcia Carvalho de Abreu Fantini; Inés Pereyra 1947-; A. M Flank

Journal of Non-Crystalline Solids Amsterdam v. 330, n. 1-3, p. 196-215, 2003

Amsterdam 2003

Acesso online

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Caracterização elétrica de contatos de Al, Ni e Ti em filmes cristalizados de SiC obtidos por PECVD
Caracterização elétrica de contatos de Al, Ni e Ti em filmes cristalizados de SiC obtidos por PECVD
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Caracterização elétrica de contatos de Al, Ni e Ti em filmes cristalizados de SiC obtidos por PECVD

Alessandro Ricardo de Oliveira Inés Pereyra 1947-; Marcelo Nelson Páez Carreño 1962-; Simpósio Internacional de Pós-Doutorado (1. 2008 São Paulo, SP)

siPDusp São Paulo: USP, 2008

São Paulo USP 2008

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6
Characterization of Si1-xCx:H thin films deposited by PECVD for SiCOI heterojuntion fabrication
Characterization of Si1-xCx:H thin films deposited by PECVD for SiCOI heterojuntion fabrication
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Characterization of Si1-xCx:H thin films deposited by PECVD for SiCOI heterojuntion fabrication

Neisy Amparo Escobar Forhan Marcia Fantini; Inés Pereyra 1947-

Journal of the Brazilian Chemical Society São Paulo: UNICAMP, 2006 v. 17, n. 6, p. 1158-1162, sep-oct 2006, online

São Paulo 2006

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Comparison of the structural properties of the PECVD SIOXNY dielectric layer with the interface electrical properties in SI/SIOXNY/AL capacitors
Comparison of the structural properties of the PECVD SIOXNY dielectric layer with the interface electrical properties in SI/SIOXNY/AL capacitors
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Comparison of the structural properties of the PECVD SIOXNY dielectric layer with the interface electrical properties in SI/SIOXNY/AL capacitors

Katia Franklin Albertin Márcia Carvalho de Abreu Fantini; Inés Pereyra 1947-; Encontro da SBPMat (3. 2004 Foz do Iguaçu)

Program São Carlos: SBPMat, 2004

São Carlos SBPMat 2004

Acesso online

8
Deposição e caracterização de filmes de 'SI''O IND.2' crescidos pela técnica de pecvd a baixa temperatura
Deposição e caracterização de filmes de 'SI''O IND.2' crescidos pela técnica de pecvd a baixa temperatura
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Deposição e caracterização de filmes de 'SI''O IND.2' crescidos pela técnica de pecvd a baixa temperatura

Marco Isaías Alayo Chávez 1971- Inés Pereyra 1947-

1996

Localização: EPBC - Esc. Politécnica-Bib Central    (FD-1924 ) e outros locais(Acessar)

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Deposição e caracterização de filmes de titanato de estrôncio e bário (Ba0,5Sr0,5(TiO3)) visando a sua utilização na fabricação de defasadores variáveis operando em 60 GHZ.
Deposição e caracterização de filmes de titanato de estrôncio e bário (Ba0,5Sr0,5(TiO3)) visando a sua utilização na fabricação de defasadores variáveis operando em 60 GHZ.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Deposição e caracterização de filmes de titanato de estrôncio e bário (Ba0,5Sr0,5(TiO3)) visando a sua utilização na fabricação de defasadores variáveis operando em 60 GHZ.

Pelegrini, Marcus Vinicius

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2016-05-16

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

10
Deposition and characterization of AlN thin films obtained by radio frequency reactive magnetron sputtering1
Deposition and characterization of AlN thin films obtained by radio frequency reactive magnetron sputtering1
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Deposition and characterization of AlN thin films obtained by radio frequency reactive magnetron sputtering1

Marcelo Aparecido Pelegrini Inés Pereyra 1947-; M. A Alvarado; Marco Isaías Alayo Chávez 1971-

Canadian Journal of Physics v. 92, n. 7/8, p. 940-942, 2014

2014

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Deste Autor:

  1. Pereyra, I
  2. Fantini, M
  3. Alayo Chávez, M
  4. Criado, D
  5. Páez Carreño, M

Neste Assunto:

  1. Filmes Finos
  2. Silício
  3. Espectroscopia De Raio X
  4. Materiais
  5. Difração Por Raios X

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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