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1
Cálculo dos parâmetros k.p para semicondutores Ga-V na forma zinc blende
Cálculo dos parâmetros k.p para semicondutores Ga-V na forma zinc blende
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Cálculo dos parâmetros k.p para semicondutores Ga-V na forma zinc blende

C. M. O. Bastos P. E Faria Junior; T Campos; Guilherme Matos Sipahi; Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC (4. 2014 São Carlos)

Livro de Resumos São Carlos : Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2014

São Carlos Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC 2014

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD022701 )(Acessar)

2
Comparative study between 8x 8 and 6x6 k.p Hamiltonian the case of GaAs zinc blende
Comparative study between 8x 8 and 6x6 k.p Hamiltonian the case of GaAs zinc blende
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Comparative study between 8x 8 and 6x6 k.p Hamiltonian the case of GaAs zinc blende

C. M. O. Bastos F Sabino; P. E Faria Junior; T Campos; Juarez Lopes Ferreira da Silva; Guilherme Matos Sipahi; Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC (5. 2015 São Carlos)

Livro de Resumos São Carlos : Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2015

São Carlos Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC 2015

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD024129 ) e outros locais(Acessar)

3
k.p parameters for wurtzite nitrides from ab initio calculations
k.p parameters for wurtzite nitrides from ab initio calculations
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

k.p parameters for wurtzite nitrides from ab initio calculations

C. M. O. Bastos P. E Faria Junior; T Campos; Guilherme Matos Sipahi; Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC (3. 2013 São Carlos)

Livro de Resumos São Carlos : Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2013

São Carlos Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC 2013

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD021793 )(Acessar)

4
g-factors, effective mass and structural parameters in III-V semiconductors from hybrid-density functional theory
g-factors, effective mass and structural parameters in III-V semiconductors from hybrid-density functional theory
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

g-factors, effective mass and structural parameters in III-V semiconductors from hybrid-density functional theory

C. M. O. Bastos F. P Sabino; Juarez Lopes Ferreira da Silva; Guilherme Matos Sipahi; Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC (6. 2016 São Carlos)

Livro de Resumos São Carlos : Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2016

São Carlos Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC 2016

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

5
Theoretical study of transition metal dichalcogenides stability energy, structural and electronic properties
Theoretical study of transition metal dichalcogenides stability energy, structural and electronic properties
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Theoretical study of transition metal dichalcogenides stability energy, structural and electronic properties

C. M. O. Bastos F. P Sabino; R Besse; Guilherme Matos Sipahi; Juarez Lopes Ferreira da Silva; Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC (7. 2017 São Carlos)

Livro de Resumos São Carlos : Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2017

São Carlos Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC 2017

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD026569 ) e outros locais(Acessar)

6
Ab-initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements
Ab-initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Ab-initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements

C. M. O. B. Bastos R Besse; Juarez Lopes Ferreira da Silva; Guilherme Matos Sipahi; Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC (8. 2018 São Carlos)

Livro de Resumos São Carlos : Universidade de São Paulo - USP, 2018

São Carlos Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC 2018

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD028256 ) e outros locais(Acessar)

7
g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using Hybrid-Density Functional Theory
g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using Hybrid-Density Functional Theory
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using Hybrid-Density Functional Theory

Carlos, M. O. Bastos Guilherme Matos Sipahi; Fernando P Sabino; Juarez Lopes Ferreira da Silva; Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF (2018 Foz do Iguaçu)

Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2018

São Paulo Sociedade Brasileira de Física - SBF 2018

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

8
Ab initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements
Ab initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Ab initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements

Carlos M. O. Bastos R Besse; Juarez Lopes Ferreira da Silva; Guilherme Matos Sipahi

Physical Review Materials College Park : American Physical Society - APS v. 3, n. 4, p. 044002-1-044002-10, Apr. 2019

College Park 2019

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD028741 ) e outros locais(Acessar)

9
A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory
A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory

Carlos M. O. Bastos Fernando P Sabino; Guilherme Matos Sipahi; Juarez Lopes Ferreira da Silva

Journal of Applied Physics College Park : American Institute of Physics - AIP v. 123, n. 6, p. 065702-1-065702-13, Feb. 2018

College Park 2018

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD027300 ) e outros locais(Acessar)

10
Realistic g-factors, effective mass and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian
Realistic g-factors, effective mass and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Realistic g-factors, effective mass and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian

Carlos M. O. Bastos Juarez Lopes Ferreira da Silva; Guilherme Matos Sipahi; Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF (2019 Aracaju)

Programa São Paulo : Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2019

São Paulo Sociedade Brasileira de Física - SBF 2019

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

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Deste Autor:

  1. Sipahi, G
  2. Rodrigues, S
  3. Scolfaro, L
  4. Leite, J
  5. Lima, I

Neste Assunto:

  1. Semicondutores
  2. Spin
  3. Materiais Nanoestruturados
  4. Ferromagnetismo
  5. Dispositivos Eletrônicos

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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