Magnetoresistive hybrid transistor in vertical architecture
Michelle Sostag Meruvia Adriano Reinaldo Viçoto Benvenho; Ivo Alexandre Hümmelgen; Jorge Antonio Gómez; Carlos Frederico de Oliveira Graeff; Rosamaria Wu Chia Li; Luis Henrique Jatobá de Moraes da Costa Aguiar; Jonas Gruber
Physica Status Solidi A - Applied Research Weinheim v. 202, n. 14, p. R158-R160, 2005
Weinheim 2005
Localização:
FFCLRP - Fac. Fil. Ciên. Let. de R. Preto
(pcd 1515695 )(Acessar)
PECVD silicon oxynitrite as insulator for MDMO-PPV thin-film transistors
Marco Roberto Cavallari Katia Franklin Albertin; Gerson dos Santos; Carlos Alberto Santos Ramos; Inés Pereyra 1947-; Fernando Josepetti Fonseca 1959-; Adnei Melges de Andrade 1943-
Journal of Integrated Circuits and Systems v.5, n.2, p. 116-124, 2010
Porto Alegre 2010
Localização:
IEE - Inst. de Energia e Ambiente
(Cavallari, M.R. T.2194p )(Acessar)
Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms
Bruno Godoy Canales João Antonio Martino 1959-; Paula Ghedini Der Agopian; Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro) (37th 2023 Rio de Janeiro, RJ, Brasil
SBMicro [Piscataway]: IEEE, 2023
Piscataway IEEE 2023
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MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics
Bruno Godoy Canales Welder Fernandes Perina; João Antonio Martino 1959-; Eddy Simoen; Uthayasankaran Peralagu; Nadine Collaert; Paula Ghedini Der Agopian
Semiconductor Science and Technology Bristol v. 38, n. 11, p. 1-6, 2023. Article nº 115004
Bristol 2023
Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar)