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1
Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular
Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular

A. C. Notari A. M Ceschin; P Basmaji; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; A. A Bernussi; F Iikawa; P Motisuke; Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC (11. 1990 São Paulo)

Anais São Paulo, 1990

São Paulo 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001535 )(Acessar)

2
Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers
Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers

A A Bernussi J A Brum; P Motisuke; Pierre Basmaji; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito

Elmont v.8 , n.2 , p.205-8, 1990 Superlattices and Microstructures

Elmont 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001756 )(Acessar)

3
Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers
Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers

A A Bernussi J A Brum; P Motisuke; Pierre Basmaji; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito

Elmont v.8 , n.2 , p.205-8, 1990 Superlattices and Microstructures

Elmont 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001756 )(Acessar)

4
Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers
Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers

A. A. Bernussi J. A Brum; P Motisuke; Pierre Basmaji; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; International Conference on Physic of Electro-optic microstructures and microdevices (1990 Crete)

Abstracts Crete, 1990

Crete 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001742-SC )(Acessar)

5
Diffusion studies and characterization of 'SE' 'DELTA'-doped 'GA''AS'
Diffusion studies and characterization of 'SE' 'DELTA'-doped 'GA''AS'
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Diffusion studies and characterization of 'SE' 'DELTA'-doped 'GA''AS'

A C Notari M Minondo; B Schrappe; Máximo Siu Li; Pierre Basmaji; Oscar Hipólito; Interdisciplinary Laser Science Conference (7. 1991 Monterey)

v.36, n.7 , p.2001, jul./aug. 1991 Bulletin of the American Physical Society

1991

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD000488 ) e outros locais(Acessar)

6
Dopagem planar ('gama' - doping) 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE)
Dopagem planar ('gama' - doping) 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Dopagem planar ('gama' - doping) 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE)

A. C. Notari Pierre Basmaji; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; A. A Bernussi; F Iikawa; J Brum; P Motisuke; Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC (11. 1990 São Paulo)

Anais São Paulo, 1990

São Paulo 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001538 )(Acessar)

7
Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE)
Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE)

B. J. Schrappe A. C Notari; Pierre Basmaji; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC (11. 1990 São Paulo)

Anais São Paulo, 1990

São Paulo 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001539 )(Acessar)

8
Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'
Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'

Pierre Basmaji A M Ceschin; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; A A Bernussi; F Iikawa; P Motisuke; International Conference on Modulated Semiconductor Structures (4. 1989 Ann Arbor)

Proceedings Ann Arbor, 1989

Ann Arbor 1989

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD000004-SC ) e outros locais(Acessar)

9
Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'
Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'

Pierre Basmaji A M Ceschin; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; A A Bernussi; F Iikawa; P Motisuke

Amsterdam v.228, p.356-8, 1990 Surface Science

Amsterdam 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001682 )(Acessar)

10
Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'
Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'

Pierre Basmaji A M Ceschin; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; A A Bernussi; F Iikawa; P Motisuke

Amsterdam v.228, p.356-8, 1990 Surface Science

Amsterdam 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001682 )(Acessar)

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Deste Autor:

  1. Basmaji, P
  2. Siu Li, M
  3. Hipólito, O
  4. Motisuke, P
  5. Bernussi, A

Neste Assunto:

  1. Matéria Condensada
  2. Física
  3. Semicondutores
  4. Matéria Condensada (Propriedades Elétricas)
  5. Espectroscopia

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