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0.22 THz two-stage cascaded staggered double-vane traveling-wave tube
0.22 THz two-stage cascaded staggered double-vane traveling-wave tube
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0.22 THz two-stage cascaded staggered double-vane traveling-wave tube

Deng, Guangsheng ; Chen, Ping ; Yang, Jun ; Yin, Zhiping ; Ruan, Jiufu

Journal of computational electronics, 2016-06, Vol.15 (2), p.634-638 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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2
0.5 THz integrated antipodal curvilinearly tapered slot antenna with circular polarization
0.5 THz integrated antipodal curvilinearly tapered slot antenna with circular polarization
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0.5 THz integrated antipodal curvilinearly tapered slot antenna with circular polarization

Yong Liu ; Kai Zhou ; Hong-Da Lu ; Zi-Jian Gao ; Li-Ming Si ; Ya-Fen Ge ; Xin Lv

2013 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROWAVE TECHNOLOGY & COMPUTATIONAL ELECTROMAGNETICS, 2013, p.327-330

IEEE

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3
0.5V Sinh-Domain Design of Activation Functions and Neural Networks
0.5V Sinh-Domain Design of Activation Functions and Neural Networks
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0.5V Sinh-Domain Design of Activation Functions and Neural Networks

Kant, N. A. ; Khanday, F. A. ; Psychalinos, Costas

Journal of low-power electronics, 2014-06, Vol.10 (2), p.201-213

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4
0.7 V supply self-biased nanoWatt MOS-only threshold voltage monitor
0.7 V supply self-biased nanoWatt MOS-only threshold voltage monitor
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0.7 V supply self-biased nanoWatt MOS-only threshold voltage monitor

Mattia, Oscar E. ; Klimach, Hamilton ; Bampi, Sergio ; Schneider, Marcio

2015 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), 2015, p.497-500

IEEE

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5
1.0 THz GaN IMPATT Source: Effect of Parasitic Series Resistance
1.0 THz GaN IMPATT Source: Effect of Parasitic Series Resistance
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1.0 THz GaN IMPATT Source: Effect of Parasitic Series Resistance

Biswas, Arindam ; Sinha, Sayantan ; Acharyya, Aritra ; Banerjee, Amit ; Pal, Srikanta ; Satoh, Hiroaki ; Inokawa, Hiroshi

Journal of infrared, millimeter and terahertz waves, 2018-10, Vol.39 (10), p.954-974 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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6
1.1 μm Femtosecond Laser Pulses Generation From 1.06 μm Self-Seeded Picosecond Coherent Raman Fiber Amplification and Frequency Shift
1.1 μm Femtosecond Laser Pulses Generation From 1.06 μm Self-Seeded Picosecond Coherent Raman Fiber Amplification and Frequency Shift
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1.1 μm Femtosecond Laser Pulses Generation From 1.06 μm Self-Seeded Picosecond Coherent Raman Fiber Amplification and Frequency Shift

Chen, Wei ; Hu, Minglie ; Xu, Zhongwei ; Ge, Aichen ; Gao, Yajing ; Fan, Jintao ; Song, Huanyu ; Liu, Bowen ; Li, Jinyan ; Wang, Chingyue

Journal of lightwave technology, 2018-11, Vol.36 (22), p.5237-5243 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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7
1:2 and 1:4 resonances in a two-dimensional discrete Hindmarsh–Rose model
1:2 and 1:4 resonances in a two-dimensional discrete Hindmarsh–Rose model
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1:2 and 1:4 resonances in a two-dimensional discrete Hindmarsh–Rose model

Li, Bo ; He, Zhimin

Nonlinear dynamics, 2015, Vol.79 (1), p.705-720 [Periódico revisado por pares]

Dordrecht: Springer Netherlands

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8
1.2-kV 4H-SiC Merged PiN Schottky Diode With Improved Surge Current Capability
1.2-kV 4H-SiC Merged PiN Schottky Diode With Improved Surge Current Capability
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1.2-kV 4H-SiC Merged PiN Schottky Diode With Improved Surge Current Capability

Wu, Jiupeng ; Ren, Na ; Wang, Hengyu ; Sheng, Kuang

IEEE journal of emerging and selected topics in power electronics, 2019-09, Vol.7 (3), p.1496-1504 [Periódico revisado por pares]

Piscataway: IEEE

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9
A 0.1–2.75 GHz high-linear low-noise transconductance amplifier for high-performance multi-standard wireless applications
A 0.1–2.75 GHz high-linear low-noise transconductance amplifier for high-performance multi-standard wireless applications
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A 0.1–2.75 GHz high-linear low-noise transconductance amplifier for high-performance multi-standard wireless applications

Gladson, S. Chrisben ; Praveen, R. ; Bhaskar, M.

Microsystem technologies : sensors, actuators, systems integration, 2020-07, Vol.26 (7), p.2279-2293 [Periódico revisado por pares]

Berlin/Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg

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10
A 0.1-pJ/b/dB 1.62-to-10.8-Gb/s Video Interface Receiver With Jointly Adaptive CTLE and DFE Using Biased Data-Level Reference
A 0.1-pJ/b/dB 1.62-to-10.8-Gb/s Video Interface Receiver With Jointly Adaptive CTLE and DFE Using Biased Data-Level Reference
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A 0.1-pJ/b/dB 1.62-to-10.8-Gb/s Video Interface Receiver With Jointly Adaptive CTLE and DFE Using Biased Data-Level Reference

Lee, Jinhyung ; Lee, Kwangho ; Kim, Hyojun ; Kim, Byungmin ; Park, Kwanseo ; Jeong, Deog-Kyoon

IEEE journal of solid-state circuits, 2020-08, Vol.55 (8), p.2186-2195 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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