skip to main content
Idioma:
Mostrar Somente
Refinado por: Base de dados/Biblioteca: IEEE Electronic Library (IEL) Journals remover Nome da Publicação: Ieee Transactions On Electron Devices remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
BEOL-Compatible Superlattice FEFET Analog Synapse With Improved Linearity and Symmetry of Weight Update
BEOL-Compatible Superlattice FEFET Analog Synapse With Improved Linearity and Symmetry of Weight Update
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

BEOL-Compatible Superlattice FEFET Analog Synapse With Improved Linearity and Symmetry of Weight Update

Aabrar, Khandker Akif ; Kirtania, Sharadindu Gopal ; Liang, Fu-Xiang ; Gomez, Jorge ; Jose, Matthew San ; Luo, Yandong ; Ye, Huacheng ; Dutta, Sourav ; Ravikumar, Priyankka G. ; Ravindran, Prasanna Venkatesan ; Khan, Asif Islam ; Yu, Shimeng ; Datta, Suman

IEEE transactions on electron devices, 2022-04, Vol.69 (4), p.2094-2100 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
2
Capacitance Modeling in Dual Field-Plate Power GaN HEMT for Accurate Switching Behavior
Capacitance Modeling in Dual Field-Plate Power GaN HEMT for Accurate Switching Behavior
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Capacitance Modeling in Dual Field-Plate Power GaN HEMT for Accurate Switching Behavior

Aamir Ahsan, Sheikh ; Ghosh, Sudip ; Sharma, Khushboo ; Dasgupta, Avirup ; Khandelwal, Sourabh ; Chauhan, Yogesh Singh

IEEE transactions on electron devices, 2016-02, Vol.63 (2), p.565-572 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
3
A surface-potential-based high-voltage compact LDMOS transistor model
A surface-potential-based high-voltage compact LDMOS transistor model
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A surface-potential-based high-voltage compact LDMOS transistor model

Aarts, A. ; D'Halleweyn, N. ; van Langevelde, R.

IEEE transactions on electron devices, 2005-05, Vol.52 (5), p.999-1007 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
Compact modeling of high-voltage LDMOS devices including quasi-saturation
Compact modeling of high-voltage LDMOS devices including quasi-saturation
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Compact modeling of high-voltage LDMOS devices including quasi-saturation

Aarts, A.C.T. ; Kloosterman, W.J.

IEEE transactions on electron devices, 2006-04, Vol.53 (4), p.897-902 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
A PSP-Based Small-Signal MOSFET Model for Both Quasi-Static and Nonquasi-Static Operations
A PSP-Based Small-Signal MOSFET Model for Both Quasi-Static and Nonquasi-Static Operations
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A PSP-Based Small-Signal MOSFET Model for Both Quasi-Static and Nonquasi-Static Operations

Aarts, A.C.T. ; Smit, G.D.J. ; Scholten, A.J. ; Klaassen, D.B.M.

IEEE transactions on electron devices, 2008-06, Vol.55 (6), p.1424-1432 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
New fundamental insights into capacitance modeling of laterally nonuniform MOS devices
New fundamental insights into capacitance modeling of laterally nonuniform MOS devices
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

New fundamental insights into capacitance modeling of laterally nonuniform MOS devices

Aarts, A.C.T. ; van der Hout, R. ; Paasschens, J.C.J. ; Scholten, A.J. ; Willemsen, M.B. ; Klaassen, D.B.M.

IEEE transactions on electron devices, 2006-02, Vol.53 (2), p.270-278 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
Simple model for quantum-dot semiconductor optical amplifiers using artificial neural networks
Simple model for quantum-dot semiconductor optical amplifiers using artificial neural networks
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Simple model for quantum-dot semiconductor optical amplifiers using artificial neural networks

Ababneh, J.I. ; Qasaimeh, O.

IEEE transactions on electron devices, 2006-07, Vol.53 (7), p.1543-1550 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
Long-term bias temperature reliability of P+ polysilicon gated FET devices
Long-term bias temperature reliability of P+ polysilicon gated FET devices
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Long-term bias temperature reliability of P+ polysilicon gated FET devices

ABADEER, W. W ; TONTI, W. R ; HÄNSCH, W. E ; SCHWALKE, U

IEEE transactions on electron devices, 1995-02, Vol.42 (2), p.360-362 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
A theoretical explanation of the carrier lifetime as a function of the injection level in gold-doped silicon
A theoretical explanation of the carrier lifetime as a function of the injection level in gold-doped silicon
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A theoretical explanation of the carrier lifetime as a function of the injection level in gold-doped silicon

Abbas, C.C.

IEEE transactions on electron devices, 1984-01, Vol.31 (10), p.1428-1432 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
A Partially Pixel-Parallel DROIC for MWIR Imagers With Columnwise Residue Quantization
A Partially Pixel-Parallel DROIC for MWIR Imagers With Columnwise Residue Quantization
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A Partially Pixel-Parallel DROIC for MWIR Imagers With Columnwise Residue Quantization

Abbasi, Shahbaz ; Shafique, Atia ; Ceylan, Omer ; Yazici, Melik ; Gurbuz, Yasar

IEEE transactions on electron devices, 2018-11, Vol.65 (11), p.4916-4923 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Mostrar Somente

  1. Recursos Online (23.751)

Data de Publicação 

De até
Refinar
  1. Antes de1974  (1.449)
  2. 1974Até1985  (2.932)
  3. 1986Até1997  (4.152)
  4. 1998Até2010  (5.046)
  5. Após 2010  (10.187)
  6. Mais opções open sub menu

Idioma 

  1. Inglês  (23.751)
  2. Japonês  (4.354)
  3. Russo  (3)
  4. Francês  (1)
  5. Mais opções open sub menu

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.