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Determination of Zeeman splittings of excitonic transitions in wurtzite GaN by mean of magnetocircular dichroism technique
Determination of Zeeman splittings of excitonic transitions in wurtzite GaN by mean of magnetocircular dichroism technique
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Determination of Zeeman splittings of excitonic transitions in wurtzite GaN by mean of magnetocircular dichroism technique

Julier, M ; Campo, J ; Coquillat, D ; Lascaray, J.P ; Scalbert, D ; Briot, O

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 1997-12, Vol.50 (1), p.126-129 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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2
Imaging wurtzite GaN surfaces by molecular beam epitaxy-scanning tunneling microscopy
Imaging wurtzite GaN surfaces by molecular beam epitaxy-scanning tunneling microscopy
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Imaging wurtzite GaN surfaces by molecular beam epitaxy-scanning tunneling microscopy

XUE, Q. K ; XUE, Q. Z ; KUWANO, S ; SAKURAI, T ; OHNO, T ; TSONG, I. S. T ; QIU, X. G ; SEGAWA, Y

Thin solid films, 2000-05, Vol.367 (1-2), p.149-158 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier Science

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3
Energy band and acceptor binding energy of GaN and AlxGa1−xN
Energy band and acceptor binding energy of GaN and AlxGa1−xN
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Energy band and acceptor binding energy of GaN and AlxGa1−xN

Xia, Jian-Bai ; Cheah, K.W ; Wang, Xiao-Liang ; Sun, Dian-Zhao ; Kong, Mei-Ying

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 2000-06, Vol.75 (2-3), p.204-206 [Periódico revisado por pares]

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Epitaxial Growth and Ferroelectricity of BaTiO3 on SrRuO3/TiO2 Buffered GaN
Epitaxial Growth and Ferroelectricity of BaTiO3 on SrRuO3/TiO2 Buffered GaN
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Epitaxial Growth and Ferroelectricity of BaTiO3 on SrRuO3/TiO2 Buffered GaN

Luo, W. B. ; Zhu, J. ; Li, Y. R. ; Zhang, Y. ; Chen, H.

Ferroelectrics, 2010-01, Vol.406 (1), p.56-61 [Periódico revisado por pares]

Taylor & Francis Group

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5
Electron Spin Transition Line-width of Mn-doped Wurtzite GaN Film for the Quantum Limit
Electron Spin Transition Line-width of Mn-doped Wurtzite GaN Film for the Quantum Limit
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Electron Spin Transition Line-width of Mn-doped Wurtzite GaN Film for the Quantum Limit

Park, Jung-Il ; Lee, Hyeong-Rag ; Lee, Su-Ho ; Hyun, Dong-Geul

Journal of magnetics, 2012-03, Vol.17 (1), p.13-18 [Periódico revisado por pares]

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6
Self-Assembled GaN Nanowires on Diamond
Self-Assembled GaN Nanowires on Diamond
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Self-Assembled GaN Nanowires on Diamond

Schuster, Fabian ; Furtmayr, Florian ; Zamani, Reza ; Magén, Cesar ; Morante, Joan R ; Arbiol, Jordi ; Garrido, Jose A ; Stutzmann, Martin

Nano letters, 2012-05, Vol.12 (5), p.2199-2204 [Periódico revisado por pares]

Washington, DC: American Chemical Society

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A density functional theory study of 3d–4f exchange interactions in Cr–Nd codoped GaN
A density functional theory study of 3d–4f exchange interactions in Cr–Nd codoped GaN
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A density functional theory study of 3d–4f exchange interactions in Cr–Nd codoped GaN

Majid, Abdul ; Dar, Amna

Journal of magnetism and magnetic materials, 2014-11, Vol.368, p.384-392 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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8
Defect-Induced Nucleation and Epitaxy: A New Strategy toward the Rational Synthesis of WZ-GaN/3C-SiC Core–Shell Heterostructures
Defect-Induced Nucleation and Epitaxy: A New Strategy toward the Rational Synthesis of WZ-GaN/3C-SiC Core–Shell Heterostructures
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Defect-Induced Nucleation and Epitaxy: A New Strategy toward the Rational Synthesis of WZ-GaN/3C-SiC Core–Shell Heterostructures

Liu, Baodan ; Yang, Bing ; Yuan, Fang ; Liu, Qingyun ; Shi, Dan ; Jiang, Chunhai ; Zhang, Jinsong ; Staedler, Thorsten ; Jiang, Xin

Nano letters, 2015-12, Vol.15 (12), p.7837-7846 [Periódico revisado por pares]

United States: American Chemical Society

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9
Migration of Mg and other interstitial metal dopants in GaN
Migration of Mg and other interstitial metal dopants in GaN
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Migration of Mg and other interstitial metal dopants in GaN

Miceli, Giacomo ; Pasquarello, Alfredo

Physica status solidi. PSS-RRL. Rapid research letters, 2017-07, Vol.11 (7), p.n/a [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY?VCH Verlag Berlin GmbH

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10
Characterization of GaN films grown on hafnium foils by pulsed sputtering deposition
Characterization of GaN films grown on hafnium foils by pulsed sputtering deposition
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Characterization of GaN films grown on hafnium foils by pulsed sputtering deposition

Kim, Hyeryun ; Ohta, Jitsuo ; Ueno, Kohei ; Kobayashi, Atsushi ; Fujioka, Hiroshi

Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2017-10, Vol.214 (10), p.n/a [Periódico revisado por pares]

Weinheim: Wiley Subscription Services, Inc

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