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1
Microanalysis of wurtzite-GaN single crystals prepared by d.c. arc discharge
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Artigo
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Microanalysis of wurtzite-GaN single crystals prepared by d.c. arc discharge

Yu, San ; Li, Hongdong ; Yang, Haibin ; Li, Dongmei ; Sun, Haiping ; Zou, Guangtian

Materials letters, 1996, Vol.26 (1), p.77-80 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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2
Determination of Zeeman splittings of excitonic transitions in wurtzite GaN by mean of magnetocircular dichroism technique
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Determination of Zeeman splittings of excitonic transitions in wurtzite GaN by mean of magnetocircular dichroism technique

Julier, M ; Campo, J ; Coquillat, D ; Lascaray, J.P ; Scalbert, D ; Briot, O

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 1997-12, Vol.50 (1), p.126-129 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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3
Polytypes in GaN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on (0 0 0 1) sapphire substrate
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Artigo
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Polytypes in GaN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on (0 0 0 1) sapphire substrate

Joo Lee, Hwack ; Ryu, Hyun ; Lee, Cheul-Ro ; Kim, Keunjoo

Journal of crystal growth, 1998-08, Vol.191 (4), p.621-626 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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4
A novel crystal defect in epitaxial wurtzite gallium nitride film
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A novel crystal defect in epitaxial wurtzite gallium nitride film

Wang, S.Q ; Liu, C.P

Materials letters, 1999-02, Vol.38 (3), p.202-207 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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5
Synthesis and structure of nanocrystal-assembled bulk GaN
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Artigo
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Synthesis and structure of nanocrystal-assembled bulk GaN

Chen, X.L ; Cao, Y.G ; Lan, Y.C ; Xu, X.P ; Li, J.Q ; Lu, K.Q ; Jiang, P.Z ; Xu, T ; Bai, Z.G ; Yu, Y.D ; Liang, J.K

Journal of crystal growth, 2000-01, Vol.209 (1), p.208-212 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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6
Imaging wurtzite GaN surfaces by molecular beam epitaxy-scanning tunneling microscopy
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Artigo
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Imaging wurtzite GaN surfaces by molecular beam epitaxy-scanning tunneling microscopy

XUE, Q. K ; XUE, Q. Z ; KUWANO, S ; SAKURAI, T ; OHNO, T ; TSONG, I. S. T ; QIU, X. G ; SEGAWA, Y

Thin solid films, 2000-05, Vol.367 (1-2), p.149-158 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier Science

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7
XRD, XPS, SEM, PL and Raman scattering analysis of synthesised GaN powder
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Artigo
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XRD, XPS, SEM, PL and Raman scattering analysis of synthesised GaN powder

Senthil Kumar, M ; Kumar, J

Materials chemistry and physics, 2003-01, Vol.77 (2), p.341-345 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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8
The influence of the working pressure on the synthesis of GaN nanowires by using MOCVD
Material Type:
Artigo
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The influence of the working pressure on the synthesis of GaN nanowires by using MOCVD

Ra, Yong-Ho ; Navamathavan, R. ; Lee, Young-Min ; Kim, Dong-Wook ; Kim, Jin-Soo ; Lee, In-Hwan ; Lee, Cheul-Ro

Journal of crystal growth, 2010-03, Vol.312 (6), p.770-774 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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9
Non-polar GaInN-based light-emitting diodes: an approach for wavelength-stable and polarized-light emitters
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Ata de Congresso
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Non-polar GaInN-based light-emitting diodes: an approach for wavelength-stable and polarized-light emitters

Detchprohm, Theeradetch ; Zhu, Mingwei ; You, Shi ; Zhao, Liang ; Hou, Wenting ; Stark, Christoph ; Wetzel, Christian

Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering, 2011, Vol.7954, p.79540N-79540N-12

Bellingham WA: SPIE

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10
Self-Assembled GaN Nanowires on Diamond
Material Type:
Artigo
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Self-Assembled GaN Nanowires on Diamond

Schuster, Fabian ; Furtmayr, Florian ; Zamani, Reza ; Magén, Cesar ; Morante, Joan R ; Arbiol, Jordi ; Garrido, Jose A ; Stutzmann, Martin

Nano letters, 2012-05, Vol.12 (5), p.2199-2204 [Periódico revisado por pares]

Washington, DC: American Chemical Society

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