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1
0-3 nanocomposites for optoelectronics and nonlinear optics
0-3 nanocomposites for optoelectronics and nonlinear optics
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0-3 nanocomposites for optoelectronics and nonlinear optics

Yao, Xi ; Zhang, Liangying ; Liu, Chunliang

SPIE 1994

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2
0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology
0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology
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0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology

CHOU, Y. C ; LEUNG, D ; LAI, R ; GRUNDBACHER, R ; BARSKY, M ; KAN, Q ; TSAI, R

Technical digest - IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium, 2002, p.77-80

Piscataway NJ: IEEE

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3
0.13 μm Low-Power CMOS Current Starved VCO for Vibration Energy Harvesters
0.13 μm Low-Power CMOS Current Starved VCO for Vibration Energy Harvesters
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.13 μm Low-Power CMOS Current Starved VCO for Vibration Energy Harvesters

Almeida, Goncalo ; Yang, Zhaochu ; Dong, Tao ; Mendes, Paulo ; Wen, Yumei ; Li, Ping

IEEE transactions on electron devices, 2021-05, Vol.68 (5), p.2167-2172 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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4
0.32-μm pitch random line pattern formation by dense dummy pattern and double exposure in KrF wavelength
0.32-μm pitch random line pattern formation by dense dummy pattern and double exposure in KrF wavelength
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.32-μm pitch random line pattern formation by dense dummy pattern and double exposure in KrF wavelength

Nakao, Shuji ; Tsujita, Kouichirou ; Arimoto, Ichiriou ; Wakamiya, Wataru

SPIE 2000

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5
0.4% Electrostrain at Low Field in Lead-Free Bi-Based Relaxor Piezoceramics by La Doping
0.4% Electrostrain at Low Field in Lead-Free Bi-Based Relaxor Piezoceramics by La Doping
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.4% Electrostrain at Low Field in Lead-Free Bi-Based Relaxor Piezoceramics by La Doping

Dinh, Thi Hinh ; Han, Hyoung-Su ; Tran, Vu Diem Ngoc ; Le Van, Vinh ; Hung, Nguyen Ba ; Lee, Jae-Shin

Journal of electronic materials, 2020-10, Vol.49 (10), p.6080-6086 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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6
0.5 THz integrated antipodal curvilinearly tapered slot antenna with circular polarization
0.5 THz integrated antipodal curvilinearly tapered slot antenna with circular polarization
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0.5 THz integrated antipodal curvilinearly tapered slot antenna with circular polarization

Yong Liu ; Kai Zhou ; Hong-Da Lu ; Zi-Jian Gao ; Li-Ming Si ; Ya-Fen Ge ; Xin Lv

2013 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROWAVE TECHNOLOGY & COMPUTATIONAL ELECTROMAGNETICS, 2013, p.327-330

IEEE

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7
A 0.0012 mm[sup.2] 6-bit 700 MS/s 1 mW Calibration-Free Pseudo-Loop-Unrolled SAR ADC in 28 nm CMOS
A 0.0012 mm[sup.2] 6-bit 700 MS/s 1 mW Calibration-Free Pseudo-Loop-Unrolled SAR ADC in 28 nm CMOS
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.0012 mm[sup.2] 6-bit 700 MS/s 1 mW Calibration-Free Pseudo-Loop-Unrolled SAR ADC in 28 nm CMOS

An, Eun-Ji ; Oh, Dong-Ryeol

Electronics (Basel), 2022-06, Vol.11 (11) [Periódico revisado por pares]

MDPI AG

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8
A 0.00426 mm[sup.2] 77.6-dB Dynamic Range VCO-Based CTDSM for Multi-Channel Neural Recording
A 0.00426 mm[sup.2] 77.6-dB Dynamic Range VCO-Based CTDSM for Multi-Channel Neural Recording
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A 0.00426 mm[sup.2] 77.6-dB Dynamic Range VCO-Based CTDSM for Multi-Channel Neural Recording

Wang, Shiwei ; Yang, Xiaolin ; Wang, Chaohan ; Vilouras, Anastasios ; Lopez, Carolina Mora

Electronics (Basel), 2022-11, Vol.11 (21) [Periódico revisado por pares]

MDPI AG

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9
A 0.1–2.75 GHz high-linear low-noise transconductance amplifier for high-performance multi-standard wireless applications
A 0.1–2.75 GHz high-linear low-noise transconductance amplifier for high-performance multi-standard wireless applications
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.1–2.75 GHz high-linear low-noise transconductance amplifier for high-performance multi-standard wireless applications

Gladson, S. Chrisben ; Praveen, R. ; Bhaskar, M.

Microsystem technologies : sensors, actuators, systems integration, 2020-07, Vol.26 (7), p.2279-2293 [Periódico revisado por pares]

Berlin/Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg

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10
A 0.1-μm MHEMT millimeter-wave IC technology designed for manufacturability
A 0.1-μm MHEMT millimeter-wave IC technology designed for manufacturability
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.1-μm MHEMT millimeter-wave IC technology designed for manufacturability

Rohdin, Hans ; Wakita, Arlene ; Nagy, Avelina ; Robbins, Virginia ; Moll, Nick ; Su, Chung-yi

Solid-state electronics, 1999-08, Vol.43 (8), p.1645-1654 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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