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INTERACTION OF LITHIUM WITH IMPURITIES AND DEFECTS IN SILICON
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INTERACTION OF LITHIUM WITH IMPURITIES AND DEFECTS IN SILICON

Fang, P. H. ; Liu, Y. M.

Applied physics letters, 1966-01, Vol.9 (10), p.364-366 [Periódico revisado por pares]

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2
INTERACTION OF LITHIUM WITH OXYGEN AND DEFECTS IN SILICON
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INTERACTION OF LITHIUM WITH OXYGEN AND DEFECTS IN SILICON

Fang, P. H. ; Liu, Y. M. ; Carter, J. R. ; Downing, R. G.

Applied physics letters, 1968-01, Vol.12 (3), p.57-58 [Periódico revisado por pares]

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3
EFFECTS OF HEAT CLEANING ON THE PHOTOEMISSION PROPERTIES OF GaAs SURFACES
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EFFECTS OF HEAT CLEANING ON THE PHOTOEMISSION PROPERTIES OF GaAs SURFACES

Liu, Y-Z. ; Moll, J. L. ; Spicer, W. E.

Applied physics letters, 1969-01, Vol.14 (9), p.275-277 [Periódico revisado por pares]

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4
QUANTUM YIELD OF GaAs SEMITRANSPARENT PHOTOCATHODE
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QUANTUM YIELD OF GaAs SEMITRANSPARENT PHOTOCATHODE

Liu, Y. Z. ; Moll, J. L. ; Spicer, W. E.

Applied physics letters, 1970-01, Vol.17 (2), p.60-62 [Periódico revisado por pares]

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5
Spectral phase-matching properties for second harmonic generation in nonlinear crystals
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Spectral phase-matching properties for second harmonic generation in nonlinear crystals

Liu, Yung S.

Applied physics letters, 1977-01, Vol.31 (3), p.187-189 [Periódico revisado por pares]

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6
A transient optical reflectivity study of laser annealing of ion-implanted silicon: Thresholds and kinetics
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A transient optical reflectivity study of laser annealing of ion-implanted silicon: Thresholds and kinetics

Liu, Y. S. ; Wang, K. L.

Applied physics letters, 1979-03, Vol.34 (6), p.363-365 [Periódico revisado por pares]

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7
Relationships of electrical properties and melting threshold in laser-annealed ion-implanted silicon
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Relationships of electrical properties and melting threshold in laser-annealed ion-implanted silicon

Wang, K. L. ; Liu, Y. S. ; Burman, C.

Applied physics letters, 1979-08, Vol.35 (3), p.263-265 [Periódico revisado por pares]

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8
Dynamic behavior of mode-locked Nd : YAG laser annealing in ion-implanted Si, GaAs, and GaP
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Dynamic behavior of mode-locked Nd : YAG laser annealing in ion-implanted Si, GaAs, and GaP

Murakami, Kouichi ; Gamo, Kenji ; Namba, Susumu ; Kawabe, Mitsuo ; Aoyagi, Yoshinobu

Applied physics letters, 1979-10, Vol.35 (8), p.628-630 [Periódico revisado por pares]

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9
Observation of charge storage and charge transfer in a GaAlAsSb/GaSb charge-coupled device
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Observation of charge storage and charge transfer in a GaAlAsSb/GaSb charge-coupled device

Liu, Y. Z. ; Deyhimy, I. ; Harris, J. S. ; Anderson, R. J. ; Appelbaum, Jacob ; Pollard, J. H.

Applied physics letters, 1980-03, Vol.36 (6), p.458-461 [Periódico revisado por pares]

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10
Laser light absorption in long-pulse high-irradiance experiments
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Laser light absorption in long-pulse high-irradiance experiments

Arad, B. ; Eliezer, S. ; Gazit, Y. ; Jackel, S. ; Karmi, Y. ; Loebenstein, H. M. ; Zigler, A.

Applied physics letters, 1980-11, Vol.37 (9), p.774-776 [Periódico revisado por pares]

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