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Comparison of wurtzite and zinc blende III–V nitrides field effect transistors: a 2D Monte Carlo device simulation

Dessenne, F ; Cichocka, D ; Desplanques, P ; Fauquembergue, R

Materials Science & Engineering B, 1997, Vol.50(1), pp.315-318 [Periódico revisado por pares]

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Anodic electrosynthesis of Cu2S and CuInS2 films

Schimmel, Mareen I ; de Tacconi, Norma R ; Rajeshwar, Krishnan

Journal of Electroanalytical Chemistry, 14 August 1998, Vol.453(1-2), pp.187-195 [Periódico revisado por pares]

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A novel crystal defect in epitaxial wurtzite gallium nitride film

Wang, S.Q ; Liu, C.P

Materials Letters, 1999, Vol.38(3), pp.202-207 [Periódico revisado por pares]

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Energy band and acceptor binding energy of GaN and Al xGa 1− xN

Xia, Jian-Bai ; Cheah, K.W ; Wang, Xiao-Liang ; Sun, Dian-Zhao ; Kong, Mei-Ying

Materials Science & Engineering B, 2000, Vol.75(2), pp.204-206 [Periódico revisado por pares]

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The phonon dispersion of wurtzite CdSe

Widulle, F ; Kramp, S ; Pyka, N.M ; Göbel, A ; Ruf, T ; Debernardi, A ; Lauck, R ; Cardona, M

Physica B: Physics of Condensed Matter, 1999, Vol.263, pp.448-451 [Periódico revisado por pares]

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Defect chemistry and transport characteristics of β-AgI

Lee, J.-S ; Adams, S ; Maier, J

Journal of Physics and Chemistry of Solids, October 2000, Vol.61(10), pp.1607-1622 [Periódico revisado por pares]

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Confined phonons and phonon-mode properties of III–V nitrides with wurtzite crystal structure

Alexson, D ; Bergman, Leah ; Dutta, Mitra ; Kim, K.W ; Komirenko, S ; Nemanich, Robert J ; Lee, B.C ; Stroscio, Michael A ; Yu, Segi

Physica B: Physics of Condensed Matter, 1999, Vol.263, pp.510-513 [Periódico revisado por pares]

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Investigation of the atomic structure of the pure edge and a+c threading dislocations in gan layers grown by MBE

Ruterana, Pierre ; Potin, Valérie ; Nouet, Gérard ; Bonnet, Roland ; Loubradou, Marc

Materials Science & Engineering B, 1999, Vol.59(1), pp.177-181 [Periódico revisado por pares]

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In-situ X-ray observation of phase transformation of rhombohedral boron nitride under static high pressure and high temperature

Taniguchi, T ; Sato, T ; Utsumi, W ; Kikegawa, T ; Shimomura, O

Diamond & Related Materials, 1997, Vol.6(12), pp.1806-1815 [Periódico revisado por pares]

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