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21
Exciton emission of quasi-2D InGaN in GaN matrix grown by molecular beam epitaxy
Exciton emission of quasi-2D InGaN in GaN matrix grown by molecular beam epitaxy
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Exciton emission of quasi-2D InGaN in GaN matrix grown by molecular beam epitaxy

Ma, Dingyu ; Rong, Xin ; Zheng, Xiantong ; Wang, Weiying ; Wang, Ping ; Schulz, Tobias ; Albrecht, Martin ; Metzner, Sebastian ; Müller, Mathias ; August, Olga ; Bertram, Frank ; Christen, Jürgen ; Jin, Peng ; Li, Mo ; Zhang, Jian ; Yang, Xuelin ; Xu, Fujun ; Qin, Zhixin ; Ge, Weikun ; Shen, Bo ; Wang, Xinqiang

Scientific reports, 2017-04, Vol.7 (1), p.46420-46420, Article 46420 [Periódico revisado por pares]

England: Nature Publishing Group

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22
Optical investigation of strong exciton localization in high Al composition AlxGa₁-xN alloys
Optical investigation of strong exciton localization in high Al composition AlxGa₁-xN alloys
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Optical investigation of strong exciton localization in high Al composition AlxGa₁-xN alloys

Fan, Shunfei ; Qin, Zhixin ; He, Chenguang ; Hou, Mengjun ; Wang, Xinqiang ; Shen, Bo ; Li, Wei ; Wang, Weiying ; Mao, Defeng ; Jin, Peng ; Yan, Jianchang ; Dong, Peng

Optics express, 2013-10, Vol.21 (21), p.24497-24503 [Periódico revisado por pares]

United States

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23
Spatial identification of traps in AlGaN/GaN heterostructures by the combination of lateral and vertical electrical stress measurements
Spatial identification of traps in AlGaN/GaN heterostructures by the combination of lateral and vertical electrical stress measurements
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Spatial identification of traps in AlGaN/GaN heterostructures by the combination of lateral and vertical electrical stress measurements

Hu, Anqi ; Yang, Xuelin ; Cheng, Jianpeng ; Guo, Lei ; Zhang, Jie ; Ge, Weikun ; Wang, Maojun ; Xu, Fujun ; Tang, Ning ; Qin, Zhixin ; Wang, Xinqiang ; Shen, Bo

Applied physics letters, 2016-01, Vol.108 (4) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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24
Individually resolved luminescence from closely stacked GaN/AlN quantum wells
Individually resolved luminescence from closely stacked GaN/AlN quantum wells
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Individually resolved luminescence from closely stacked GaN/AlN quantum wells

Sheng, Bowen ; Schmidt, Gordon ; Bertram, Frank ; Veit, Peter ; Wang, Yixin ; Wang, Tao ; Rong, Xin ; Chen, Zhaoying ; Wang, Ping ; Bläsing, Jürgen ; Miyake, Hideto ; Li, Hongwei ; Guo, Shiping ; Qin, Zhixin ; Strittmatter, André ; Shen, Bo ; Christen, Jürgen ; Wang, Xinqiang

Photonics research (Washington, DC), 2020-04, Vol.8 (4), p.610 [Periódico revisado por pares]

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25
Study on AlGaN P-I-N-I-N solar-blind avalanche photodiodes with Al0.45Ga0.55N multiplication layer
Study on AlGaN P-I-N-I-N solar-blind avalanche photodiodes with Al0.45Ga0.55N multiplication layer
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Study on AlGaN P-I-N-I-N solar-blind avalanche photodiodes with Al0.45Ga0.55N multiplication layer

Hou, Mengjun ; Qin, Zhixin ; He, Chenguang ; Wei, Lise ; Xu, Fujun ; Wang, Xinqiang ; Shen, Bo

Electronic Materials Letters, 2015, 11(6), , pp.1053-1058 [Periódico revisado por pares]

Seoul: The Korean Institute of Metals and Materials

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26
Effect of stress on the Al composition evolution in AlGaN grown using metal organic vapor phase epitaxy
Effect of stress on the Al composition evolution in AlGaN grown using metal organic vapor phase epitaxy
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Effect of stress on the Al composition evolution in AlGaN grown using metal organic vapor phase epitaxy

He, Chenguang ; Qin, Zhixin ; Xu, Fujun ; Zhang, Lisheng ; Wang, Jiaming ; Hou, Mengjun ; Zhang, Shan ; Wang, Xinqiang ; Ge, Weikun ; Shen, Bo

Applied physics express, 2016-05, Vol.9 (5), p.51001 [Periódico revisado por pares]

The Japan Society of Applied Physics

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27
Structural properties of β-Ga2O3 formed by dry thermal oxidization process on GaN
Structural properties of β-Ga2O3 formed by dry thermal oxidization process on GaN
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Structural properties of β-Ga2O3 formed by dry thermal oxidization process on GaN

Wei, Wei ; Qin, ZhiXin ; Zhao, Sheng ; Liu, Fang ; Fan, ShunFei ; Zheng, JiaXin ; Zhang, GuoYi

Materials science in semiconductor processing, 2012-10, Vol.15 (5), p.578-581 [Periódico revisado por pares]

Kidlington: Elsevier Ltd

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28
Different degradation behaviors of InGaN/GaN MQWs blue and violet LEDs
Different degradation behaviors of InGaN/GaN MQWs blue and violet LEDs
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Different degradation behaviors of InGaN/GaN MQWs blue and violet LEDs

Huang, Liubing ; Yu, Tongjun ; Chen, Zhizhong ; Qin, Zhixin ; Yang, Zhijian ; Zhang, Guoyi

Journal of luminescence, 2009-12, Vol.129 (12), p.1981-1984 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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29
Transition from bound to free excitons observed in deep- ultraviolet photoluminescence of AlN grown by MOCVD
Transition from bound to free excitons observed in deep- ultraviolet photoluminescence of AlN grown by MOCVD
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Transition from bound to free excitons observed in deep- ultraviolet photoluminescence of AlN grown by MOCVD

Wang, Weiying ; Jin, Peng ; Tang, Ning ; Liu, Yali ; Fu, Lei ; Xu, Fujun ; Qin, Zhixin ; Ge, Weikun ; Shen, Bo

Materials research express, 2016-06, Vol.3 (7), p.76201 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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30
Strain effect on polarized optical properties of c -plane GaN and m -plane GaN
Strain effect on polarized optical properties of c -plane GaN and m -plane GaN
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Strain effect on polarized optical properties of c -plane GaN and m -plane GaN

Tao, Renchun ; Yu, Tongjun ; Jia, Chuanyu ; Chen, Zhizhong ; Qin, Zhixin ; Zhang, Guoyi

Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2009-02, Vol.206 (2), p.206-210 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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