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A band-structure model of strained quantum-well wurtzite semiconductors
A band-structure model of strained quantum-well wurtzite semiconductors
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A band-structure model of strained quantum-well wurtzite semiconductors

Chuang, S L ; Chang, C S

Semiconductor science and technology, 1997-03, Vol.12 (3), p.252-263 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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12
Piezoresistive effect in wurtzite n -type GaN
Piezoresistive effect in wurtzite n -type GaN
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Piezoresistive effect in wurtzite n -type GaN

Bykhovski, A. D. ; Kaminski, V. V. ; Shur, M. S. ; Chen, Q. C. ; Khan, M. A.

Applied physics letters, 1996-02, Vol.68 (6), p.818-819 [Periódico revisado por pares]

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13
Optical gain of strained wurtzite GaN quantum-well lasers
Optical gain of strained wurtzite GaN quantum-well lasers
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Optical gain of strained wurtzite GaN quantum-well lasers

Chuang, S.L.

IEEE journal of quantum electronics, 1996-10, Vol.32 (10), p.1791-1800 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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14
Electronic transport studies of bulk zincblende and wurtzite phases of GaN based on an ensemble Monte Carlo calculation including a full zone band structure
Electronic transport studies of bulk zincblende and wurtzite phases of GaN based on an ensemble Monte Carlo calculation including a full zone band structure
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Electronic transport studies of bulk zincblende and wurtzite phases of GaN based on an ensemble Monte Carlo calculation including a full zone band structure

Kolník, Ján ; Oğuzman, İsmail H. ; Brennan, Kevin F. ; Wang, Rongping ; Ruden, P. Paul ; Wang, Yang

Journal of applied physics, 1995-07, Vol.78 (2), p.1033-1038 [Periódico revisado por pares]

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15
Theory of hole initiated impact ionization in bulk zincblende and wurtzite GaN
Theory of hole initiated impact ionization in bulk zincblende and wurtzite GaN
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Theory of hole initiated impact ionization in bulk zincblende and wurtzite GaN

Oğuzman, Ismail H. ; Bellotti, Enrico ; Brennan, Kevin F. ; Kolnı́k, Ján ; Wang, Rongping ; Ruden, P. Paul

Journal of applied physics, 1997-06, Vol.81 (12), p.7827-7834 [Periódico revisado por pares]

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16
Sphalerite−Wurtzite Intermediates in Nanocrystalline CdS
Sphalerite−Wurtzite Intermediates in Nanocrystalline CdS
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Sphalerite−Wurtzite Intermediates in Nanocrystalline CdS

Vogel, Walter ; Urban, Joachim ; Kundu, Manisha ; Kulkarni, S. K

Langmuir, 1997-02, Vol.13 (4), p.827-832 [Periódico revisado por pares]

Washington, DC: American Chemical Society

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Urbach–Martienssen tails in a wurtzite GaN epilayer
Urbach–Martienssen tails in a wurtzite GaN epilayer
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Urbach–Martienssen tails in a wurtzite GaN epilayer

Chichibu, S. ; Mizutani, T. ; Shioda, T. ; Nakanishi, H. ; Deguchi, T. ; Azuhata, T. ; Sota, T. ; Nakamura, S.

Applied physics letters, 1997-06, Vol.70 (25), p.3440-3442 [Periódico revisado por pares]

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Pressure-dependent photoluminescence study of wurtzite GaN
Pressure-dependent photoluminescence study of wurtzite GaN
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Pressure-dependent photoluminescence study of wurtzite GaN

Shan, W. ; Schmidt, T. J. ; Hauenstein, R. J. ; Song, J. J. ; Goldenberg, B.

Applied physics letters, 1995-06, Vol.66 (25), p.3492-3494 [Periódico revisado por pares]

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Electronic, optical, and structural properties of some wurtzite crystals
Electronic, optical, and structural properties of some wurtzite crystals
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Electronic, optical, and structural properties of some wurtzite crystals

YONG-NIAN XU ; CHING, W. Y

Physical review. B, Condensed matter, 1993-08, Vol.48 (7), p.4335-4351 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Physical Society

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20
Formation of threading defects in GaN wurtzite films grown on nonisomorphic substrates
Formation of threading defects in GaN wurtzite films grown on nonisomorphic substrates
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Formation of threading defects in GaN wurtzite films grown on nonisomorphic substrates

Sverdlov, B. N. ; Martin, G. A. ; Morkoç, H. ; Smith, David J.

Applied physics letters, 1995-10, Vol.67 (14), p.2063-2065 [Periódico revisado por pares]

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