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1
X Band Integrated Diode Phase Shifters
X Band Integrated Diode Phase Shifters
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X Band Integrated Diode Phase Shifters

Stewart, R.G. ; Giuliano, M.N.

1968 G-MTT International Microwave Symposium, 1968, p.147-154

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2
A subnanosecond ECL circuit produced with the aid of computer graphics
A subnanosecond ECL circuit produced with the aid of computer graphics
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A subnanosecond ECL circuit produced with the aid of computer graphics

Eckl, D.J. ; Konkle, K.H. ; Sutherland, W.R. ; Idzik, S.A. ; Luce, R.L.

1968 International Electron Devices Meeting, 1968, p.84-84

IRE

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3
Base diffusion isolation (BDI) for transistors
Base diffusion isolation (BDI) for transistors
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Base diffusion isolation (BDI) for transistors

Senhouse, L.S. ; Kushler, D.L. ; Murphy, B.T.

1969 International Electron Devices Meeting, 1969, p.34-36

IRE

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4
A three-mask bipolar integrated circuit structure
A three-mask bipolar integrated circuit structure
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A three-mask bipolar integrated circuit structure

Glinski, V.J.

1969 International Electron Devices Meeting, 1969, p.34-34

IRE

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5
Polycrystalline silicon technology for bipolar integrated circuits
Polycrystalline silicon technology for bipolar integrated circuits
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Polycrystalline silicon technology for bipolar integrated circuits

Schoeff, J.A.

1970 International Electron Devices Meeting, 1970, p.74-76

IRE

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6
Navy's deep ocean technology project evolution and progress
Navy's deep ocean technology project evolution and progress
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Navy's deep ocean technology project evolution and progress

Greenert, W.

IEEE 1971 Conference on Engineering in the Ocean Environment, 1971, p.50-53 [Periódico revisado por pares]

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7
Development of an ECL gate with a 300 ps propagation delay
Development of an ECL gate with a 300 ps propagation delay
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Development of an ECL gate with a 300 ps propagation delay

Eckton, W.H. ; O'Shea, T.E.

1971 International Electron Devices Meeting, 1971, p.100-100

IRE

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8
Mapping of high resolution target signatures
Mapping of high resolution target signatures
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Mapping of high resolution target signatures

Pierson, W. ; Clay, R.

1971 Antennas and Propagation Society International Symposium, 1971, Vol.9, p.352-355

IEEE

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9
High density ion-implanted C-MOS technology
High density ion-implanted C-MOS technology
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

High density ion-implanted C-MOS technology

Toombs, T.N. ; Finnila, R.M. ; Dill, H.G. ; Bauer, L.O.

1971 International Electron Devices Meeting, 1971, p.158-158

IRE

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10
Integrated solid state circuits for consumer applications in Europe
Integrated solid state circuits for consumer applications in Europe
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Integrated solid state circuits for consumer applications in Europe

Lorenz, G. ; Nerstheimer, K.

1972 International Electron Devices Meeting, 1972, p.16-16

IRE

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