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1
Pd2Si surfaces thermally enriched in silicon: Evidence of new Si:Pd bonds
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Pd2Si surfaces thermally enriched in silicon: Evidence of new Si:Pd bonds

Abbati, I. ; Rossi, G. ; Braicovich, L. ; Lindau, I. ; Spicer, W. E. ; De Michelis, B.

Journal of applied physics, , Vol.52 (11), p.6994-6996 [Periódico revisado por pares]

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2
Electron refraction at lateral atomic interfaces
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Electron refraction at lateral atomic interfaces

Abd El-Fattah, Z. M. ; Kher-Elden, M. A. ; Yassin, O. ; El-Okr, M. M. ; Ortega, J. E. ; García de Abajo, F. J.

Journal of applied physics, 2017-11, Vol.122 (19) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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3
Experimental determination of band offsets at the SnS/CdS and SnS / InS x O y heterojunctions
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Experimental determination of band offsets at the SnS/CdS and SnS / InS x O y heterojunctions

Abdel Haleem, A M ; Ichimura, M

Journal of applied physics, 2010-02, Vol.107 (3), p.034507-034507-5 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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4
Electronic and magnetic properties of vanadium dichalcogenides: A brief overview on theory and experiment
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Electronic and magnetic properties of vanadium dichalcogenides: A brief overview on theory and experiment

Abdul Wasey, A. H. M. ; Das, G. P.

Journal of Applied Physics, 2022-05, Vol.131 (19) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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5
Electrical characteristics of Ti/Si(100) interfaces
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Electrical characteristics of Ti/Si(100) interfaces

ABOELFOTOH, M. O

Journal of applied physics, 1988-10, Vol.64 (8), p.4046-4055 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Institute of Physics

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6
Combined electron backscatter diffraction and cathodoluminescence measurements on CuInS{sub 2}/Mo/glass stacks and CuInS{sub 2} thin-film solar cells
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Combined electron backscatter diffraction and cathodoluminescence measurements on CuInS{sub 2}/Mo/glass stacks and CuInS{sub 2} thin-film solar cells

Abou-Ras, D. ; Nichterwitz, M. ; Unold, T. ; Klaer, J. ; Schock, H.-W. ; Jahn, U.

Journal of applied physics, 2010-01, Vol.107 (1) [Periódico revisado por pares]

United States

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7
Structural phase transition in early growth of Bi2Sr2CaCu2O8+x films on SrTiO3 substrates
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Structural phase transition in early growth of Bi2Sr2CaCu2O8+x films on SrTiO3 substrates

Abrecht, M. ; Ariosa, D. ; Onellion, M. ; Margaritondo, G. ; Pavuna, D.

Journal of applied physics, 2002-02, Vol.91 (3), p.1187-1190 [Periódico revisado por pares]

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8
Quantum size effects in Bi films grown on GaAs (110)
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Quantum size effects in Bi films grown on GaAs (110)

Abu-Samak, Mahmoud

Journal of applied physics, 2008-12, Vol.104 (12), p.123714-123714-5 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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9
Physical characterization of n -GaAs on p -Si formed by low-temperature pulsed-laser deposition
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Physical characterization of n -GaAs on p -Si formed by low-temperature pulsed-laser deposition

Acharya, K P ; Khatri, H ; Ullrich, B

Journal of applied physics, 2009-05, Vol.105 (10), p.103111-103111-5 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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10
Effect of O 2 + , H 2 + +O 2 + , and N 2 + +O 2 + ion-beam irradiation on the field emission properties of carbon nanotubes
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Effect of O 2 + , H 2 + +O 2 + , and N 2 + +O 2 + ion-beam irradiation on the field emission properties of carbon nanotubes

Acuña, J J. S ; Escobar, M ; Goyanes, S N ; Candal, R J ; Zanatta, A R ; Alvarez, F

Journal of applied physics, 2011-06, Vol.109 (11), p.114317-114317-7 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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