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0.13 μm CMOS Traveling-Wave Power Amplifier with On- and Off-Chip Gate-Line Termination
0.13 μm CMOS Traveling-Wave Power Amplifier with On- and Off-Chip Gate-Line Termination
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0.13 μm CMOS Traveling-Wave Power Amplifier with On- and Off-Chip Gate-Line Termination

Vasjanov, Aleksandr ; Barzdenas, Vaidotas

Electronics (Basel), 2020-01, Vol.9 (1), p.133 [Periódico revisado por pares]

Basel: MDPI AG

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12
0.15 μm GaAs MESFETs applied to ultrahigh-speed static frequency dividers
0.15 μm GaAs MESFETs applied to ultrahigh-speed static frequency dividers
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0.15 μm GaAs MESFETs applied to ultrahigh-speed static frequency dividers

ENOKI, T ; SUGITANI, S ; YAMANE, Y

Electronics letters, 1989, Vol.25 (8), p.512-513 [Periódico revisado por pares]

London: Institution of Electrical Engineers

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13
0.18 μm 21-27 GHz CMOS UWB LNA with 9.3 ± 1.3 dB gain and 103.9 ± 8.1 ps group delay
0.18 μm 21-27 GHz CMOS UWB LNA with 9.3 ± 1.3 dB gain and 103.9 ± 8.1 ps group delay
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0.18 μm 21-27 GHz CMOS UWB LNA with 9.3 ± 1.3 dB gain and 103.9 ± 8.1 ps group delay

YANG, H.-Y ; LIN, Y.-S ; CHEN, C.-C

Electronics letters, 2008-08, Vol.44 (17), p.1014-1016 [Periódico revisado por pares]

London: Institution of Electrical Engineers

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14
0.18 μm CMOS backplane receiver with decision-feedback equalisation embedded
0.18 μm CMOS backplane receiver with decision-feedback equalisation embedded
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.18 μm CMOS backplane receiver with decision-feedback equalisation embedded

LI, M ; HUANG, W ; WANG, S ; KWASNIEWSKI, T

Electronics letters, 2006-07, Vol.42 (13), p.752-754 [Periódico revisado por pares]

London: Institution of Electrical Engineers

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15
0.18 μm CMOS dual-band low-noise amplifier for ZigBee development
0.18 μm CMOS dual-band low-noise amplifier for ZigBee development
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0.18 μm CMOS dual-band low-noise amplifier for ZigBee development

XUAN, K ; TSANG, K. F ; LEE, W. C ; LEE, S. C

Electronics letters, 2010-01, Vol.46 (1), p.85-86 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: Institution of Engineering and Technology

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16
0.18 μm CMOS dual-band UWB LNA with interference rejection
0.18 μm CMOS dual-band UWB LNA with interference rejection
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.18 μm CMOS dual-band UWB LNA with interference rejection

GAO, Y ; ZHENG, Y. J ; OOI, B. L

Electronics letters, 2007-09, Vol.43 (20), p.1096-1098 [Periódico revisado por pares]

London: Institution of Electrical Engineers

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17
0.18 μm CMOS integrated circuit design for impedance-based structural health monitoring
0.18 μm CMOS integrated circuit design for impedance-based structural health monitoring
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.18 μm CMOS integrated circuit design for impedance-based structural health monitoring

WANG, S ; ZHAO, Z ; YOU, C

IET circuits, devices & systems, 2010-05, Vol.4 (3), p.227-238 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: Institution of Engineering and Technology

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18
0.23 μm gate length MODFETs on InAlAs/InGaAs/InP heterostructure grown by MOVPE
0.23 μm gate length MODFETs on InAlAs/InGaAs/InP heterostructure grown by MOVPE
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.23 μm gate length MODFETs on InAlAs/InGaAs/InP heterostructure grown by MOVPE

Tong, M. ; Ketterson, A. ; Nummila, K. ; Adesida, I. ; Aina, L. ; Mattingly, M.

Electronics letters, 1991-08, Vol.27 (16), p.1426 [Periódico revisado por pares]

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19
0.25 MICROMETER PRODUCTION LITHOGRAPHY
0.25 MICROMETER PRODUCTION LITHOGRAPHY
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0.25 MICROMETER PRODUCTION LITHOGRAPHY

POWELL, MW

Solid state technology, 1992-01, Vol.35 (1), p.41-41

NASHUA: PENNWELL PUBL CO SOLID STATE TECHNOLOGY OFFICE

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20
0.25 μm emitter InP/InAlGaAs/GaAsSb double heterojunction bipolar transistor with passivation ledge exhibiting a current gain of over 100
0.25 μm emitter InP/InAlGaAs/GaAsSb double heterojunction bipolar transistor with passivation ledge exhibiting a current gain of over 100
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.25 μm emitter InP/InAlGaAs/GaAsSb double heterojunction bipolar transistor with passivation ledge exhibiting a current gain of over 100

Kashio, N ; Kurishima, K ; Ida, M ; Matsuzaki, H

Electronics letters, 2014-10, Vol.50 (22), p.1631-1633 [Periódico revisado por pares]

The Institution of Engineering and Technology

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