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11
13 Gbit s WDM-OFDM PON using RSOA-based colourless ONU with seeding light source in local exchange
Material Type:
Artigo
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13 Gbit s WDM-OFDM PON using RSOA-based colourless ONU with seeding light source in local exchange

CHOW, C. W ; YEH, C. H ; WU, Y. F ; CHEN, H. Y ; LIN, Y. H ; SUNG, J. Y ; LIU, Y ; PAN, C.-L

Electronics letters, 2011-10, Vol.47 (22), p.1235-1236 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: Institution of Engineering and Technology

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12
1.3-μm InAs Quantum Dot Vertical Cavity Surface Emitting Lasers with Planar Electrodes Configuration
Material Type:
Ata de Congresso
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1.3-μm InAs Quantum Dot Vertical Cavity Surface Emitting Lasers with Planar Electrodes Configuration

DING, Y ; FAN, W. J ; WANG, W ; XU, D. W ; TONG, C. Z ; LOKE, W. K ; YOON, S. F ; ZHANG, D. H ; LIU, Y ; ZHU, N. H ; ZHAO, L. J

Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering, 2009, Vol.7158

Bellingham, Wash: SPIE

Texto completo disponível

13
140-GHz V-Shaped Microstrip Meander-Line Traveling Wave Tube
Material Type:
Artigo
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140-GHz V-Shaped Microstrip Meander-Line Traveling Wave Tube

Shen, F. ; Wei, Y.-Y. ; Xu, X. ; Liu, Y. ; Yin, H.-R. ; Gong, Y.-B. ; Wang, W.-X.

Journal of electromagnetic waves and applications, 2012-01, Vol.26 (1), p.89-98 [Periódico revisado por pares]

Taylor & Francis Group

Texto completo disponível

14
14.2 W/mm internally-matched AlGaN/GaN HEMT for X-band applications
Material Type:
Artigo
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14.2 W/mm internally-matched AlGaN/GaN HEMT for X-band applications

Peng, M.Z. ; Zheng, Y.K. ; Luo, W.J. ; Liu, X.Y.

Solid-state electronics, 2011-10, Vol.64 (1), p.63-66 [Periódico revisado por pares]

Kidlington: Elsevier Ltd

Texto completo disponível

15
14nm Ferroelectric FinFET technology with steep subthreshold slope for ultra low power applications
Material Type:
Ata de Congresso
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14nm Ferroelectric FinFET technology with steep subthreshold slope for ultra low power applications

Krivokapic, Z. ; Rana, U. ; Galatage, R. ; Razavieh, A. ; Aziz, A. ; Liu, J. ; Shi, J. ; Kim, H. J. ; Sporer, R. ; Serrao, C. ; Busquet, A. ; Polakowski, P. ; Muller, J. ; Kleemeier, W. ; Jacob, A. ; Brown, D. ; Knorr, A. ; Carter, R. ; Banna, S.

2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2017, p.15.1.1-15.1.4

IEEE

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16
1.5 THz heterodyne receiver with waveguide superconducting NbTiN hot electron bolometer mixer
Material Type:
Ata de Congresso
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1.5 THz heterodyne receiver with waveguide superconducting NbTiN hot electron bolometer mixer

Jiang, L ; Shiino, T ; Yamamoto, S ; Zhang, W ; Liu, Y. F

Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering, 2011, Vol.8195, p.819506-819506-9

Bellingham WA: SPIE

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17
1.5-W CW S-band GaInP/GaAs/GaInP double heterojunction bipolar transistor
Material Type:
Artigo
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1.5-W CW S-band GaInP/GaAs/GaInP double heterojunction bipolar transistor

Liu, W. ; Beam, E. ; Khatibzadeh, A.

IEEE electron device letters, 1994-06, Vol.15 (6), p.215-217 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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18
155 GHz MMIC LNAs with 12 dB gain fabricated using a high yield InP HEMT MMIC process
Material Type:
Artigo
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155 GHz MMIC LNAs with 12 dB gain fabricated using a high yield InP HEMT MMIC process

Lai, R ; Wang, H ; Chen, Y C ; Block, T

Microwave Journal, 1997-09, Vol.40 (9), p.166-171

Dedham: Horizon House Publications, Inc

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19
16-bit teaching microprocessor design and application
Material Type:
Ata de Congresso
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16-bit teaching microprocessor design and application

Xiao Tiejun ; Liu Fang

2008 IEEE International Symposium on IT in Medicine and Education, 2008, p.160-163

IEEE

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20
160-190-GHz monolithic low-noise amplifiers
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Artigo
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160-190-GHz monolithic low-noise amplifiers

Kok, Y.L. ; Wang, H. ; Huang, T.W. ; Lai, R. ; Barsky, M. ; Chen, Y.C. ; Sholley, M. ; Block, T. ; Streit, D.C. ; Allen, B.R. ; Samoska, L. ; Gaier, T.

IEEE microwave and guided wave letters, 1999-08, Vol.9 (8), p.311-313

New York, NY: IEEE

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