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Epitaxial Growth and Ferroelectricity of BaTiO3 on SrRuO3/TiO2 Buffered GaN
Epitaxial Growth and Ferroelectricity of BaTiO3 on SrRuO3/TiO2 Buffered GaN
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Epitaxial Growth and Ferroelectricity of BaTiO3 on SrRuO3/TiO2 Buffered GaN

Luo, W. B. ; Zhu, J. ; Li, Y. R. ; Zhang, Y. ; Chen, H.

Ferroelectrics, 2010-01, Vol.406 (1), p.56-61 [Periódico revisado por pares]

Taylor & Francis Group

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The influence of the working pressure on the synthesis of GaN nanowires by using MOCVD
The influence of the working pressure on the synthesis of GaN nanowires by using MOCVD
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The influence of the working pressure on the synthesis of GaN nanowires by using MOCVD

Ra, Yong-Ho ; Navamathavan, R. ; Lee, Young-Min ; Kim, Dong-Wook ; Kim, Jin-Soo ; Lee, In-Hwan ; Lee, Cheul-Ro

Journal of crystal growth, 2010-03, Vol.312 (6), p.770-774 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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Synthesis and characterization of heteroepitaxial GaN films on Si(111)
Synthesis and characterization of heteroepitaxial GaN films on Si(111)
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Synthesis and characterization of heteroepitaxial GaN films on Si(111)

Liang, Ting ; Tang, Jianjun ; Xiong, Jijun ; Wang, Yong ; Xue, Chenyang ; Yang, Xujun ; Zhang, Wendong

Vacuum, 2010-04, Vol.84 (9), p.1154-1158 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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14
GaN buffer layer growth by MOCVD using a thermodynamic non-equilibrium model
GaN buffer layer growth by MOCVD using a thermodynamic non-equilibrium model
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

GaN buffer layer growth by MOCVD using a thermodynamic non-equilibrium model

Guarneros, C. ; Sánchez, V.

Vacuum, 2010-05, Vol.84 (10), p.1187-1190 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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15
Synthesis of hexagonal and cubic GaN thin film on Si (111) using a low-cost electrochemical deposition technique
Synthesis of hexagonal and cubic GaN thin film on Si (111) using a low-cost electrochemical deposition technique
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Synthesis of hexagonal and cubic GaN thin film on Si (111) using a low-cost electrochemical deposition technique

Al-Heuseen, K. ; Hashim, M.R. ; Ali, N.K.

Materials letters, 2010-07, Vol.64 (14), p.1604-1606 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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16
Non-polar GaInN-based light-emitting diodes: an approach for wavelength-stable and polarized-light emitters
Non-polar GaInN-based light-emitting diodes: an approach for wavelength-stable and polarized-light emitters
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Non-polar GaInN-based light-emitting diodes: an approach for wavelength-stable and polarized-light emitters

Detchprohm, Theeradetch ; Zhu, Mingwei ; You, Shi ; Zhao, Liang ; Hou, Wenting ; Stark, Christoph ; Wetzel, Christian

Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering, 2011, Vol.7954, p.79540N-79540N-12

Bellingham WA: SPIE

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Synthesis of GaN nanowires by CVD method: effect of reaction temperature
Synthesis of GaN nanowires by CVD method: effect of reaction temperature
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Synthesis of GaN nanowires by CVD method: effect of reaction temperature

Shi, Feng ; Wang, Ying ; Xue, Chengshan

Journal of experimental nanoscience, 2011-06, Vol.6 (3), p.238-247 [Periódico revisado por pares]

Taylor & Francis Group

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Novel process for direct bonding of GaN onto glass substrates using sacrificial ZnO template layers to chemically lift-off GaN from c-sapphire
Novel process for direct bonding of GaN onto glass substrates using sacrificial ZnO template layers to chemically lift-off GaN from c-sapphire
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Novel process for direct bonding of GaN onto glass substrates using sacrificial ZnO template layers to chemically lift-off GaN from c-sapphire

Rogers, D J ; Ougazzaden, A ; Sandana, V E ; Moudakir, T ; Ahaitouf, A ; Teherani, FHosseini ; Gautier, S ; Goubert, L ; Davidson, IA ; Prior, KA ; McClintock, R P ; Bove, P ; Drouhin, H-J ; Razeghi, M

Proceedings of SPIE, the international society for optical engineering, 2012, Vol.8263

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Electron Spin Transition Line-width of Mn-doped Wurtzite GaN Film for the Quantum Limit
Electron Spin Transition Line-width of Mn-doped Wurtzite GaN Film for the Quantum Limit
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Electron Spin Transition Line-width of Mn-doped Wurtzite GaN Film for the Quantum Limit

Park, Jung-Il ; Lee, Hyeong-Rag ; Lee, Su-Ho ; Hyun, Dong-Geul

Journal of magnetics, 2012-03, Vol.17 (1), p.13-18 [Periódico revisado por pares]

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Self-Assembled GaN Nanowires on Diamond
Self-Assembled GaN Nanowires on Diamond
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Self-Assembled GaN Nanowires on Diamond

Schuster, Fabian ; Furtmayr, Florian ; Zamani, Reza ; Magén, Cesar ; Morante, Joan R ; Arbiol, Jordi ; Garrido, Jose A ; Stutzmann, Martin

Nano letters, 2012-05, Vol.12 (5), p.2199-2204 [Periódico revisado por pares]

Washington, DC: American Chemical Society

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