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0–0 Energies Using Hybrid Schemes: Benchmarks of TD-DFT, CIS(D), ADC(2), CC2, and BSE/GW formalisms for 80 Real-Life Compounds
0–0 Energies Using Hybrid Schemes: Benchmarks of TD-DFT, CIS(D), ADC(2), CC2, and BSE/GW formalisms for 80 Real-Life Compounds
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0–0 Energies Using Hybrid Schemes: Benchmarks of TD-DFT, CIS(D), ADC(2), CC2, and BSE/GW formalisms for 80 Real-Life Compounds

Jacquemin, Denis ; Duchemin, Ivan ; Blase, Xavier

Journal of chemical theory and computation, 2015-11, Vol.11 (11), p.5340-5359 [Periódico revisado por pares]

United States: American Chemical Society

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2
0-1 sequences of the Thue-Morse type and Sarnak's conjecture
0-1 sequences of the Thue-Morse type and Sarnak's conjecture
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0-1 sequences of the Thue-Morse type and Sarnak's conjecture

Abdalaoui, El Houcein El ; Kasjan, Stanisław ; Lemańczyk, Mariusz

Proceedings of the American Mathematical Society, 2016-01, Vol.144 (1), p.161-176 [Periódico revisado por pares]

American Mathematical Society

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3
[001]-oriented crystalline Potassium-Sodium Niobate thin film fabricated at low temperature for use in piezoelectric energy harvester
[001]-oriented crystalline Potassium-Sodium Niobate thin film fabricated at low temperature for use in piezoelectric energy harvester
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[001]-oriented crystalline Potassium-Sodium Niobate thin film fabricated at low temperature for use in piezoelectric energy harvester

Kim, Jong-Hyun ; Woo, Jong-Un ; Yee, Yeon-Jeong ; Kim, In-Su ; Shin, Ho-Sung ; Hwang, Hyun-Gyu ; Kweon, Sang Hyo ; Choi, Hyun-Ju ; Nahm, Sahn

Applied surface science, 2021-01, Vol.537, p.147871, Article 147871 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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4
0.02-wavelengths-thick transmission-type designer wave plate with high efficiency
0.02-wavelengths-thick transmission-type designer wave plate with high efficiency
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0.02-wavelengths-thick transmission-type designer wave plate with high efficiency

Xu, Peng ; Jiang, Wei Xiang ; Cai, Xiao ; Wang, Zheng Xing ; Cui, Tie Jun

Journal of physics. D, Applied physics, 2019-09, Vol.52 (37), p.375105 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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5
0.03 V Electrolysis Voltage Driven Hydrazine Assisted Hydrogen Generation on NiCo phosphide Nanowires Supported NiCoHydroxide Nanosheets
0.03 V Electrolysis Voltage Driven Hydrazine Assisted Hydrogen Generation on NiCo phosphide Nanowires Supported NiCoHydroxide Nanosheets
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0.03 V Electrolysis Voltage Driven Hydrazine Assisted Hydrogen Generation on NiCo phosphide Nanowires Supported NiCoHydroxide Nanosheets

Li, Mujie ; Zhang, Zhongyi ; Xiong, Hailang ; Wang, Linan ; Zhuang, Shuxian ; Argyle, Morris D. ; Tang, Yang ; Yang, Xiaojin ; Chen, Yongmei ; Wan, Pingyu ; Fan, Maohong

ChemElectroChem, 2020-07, Vol.7 (14), p.3089-3097 [Periódico revisado por pares]

Weinheim: Wiley Subscription Services, Inc

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6
0.1-20 THz ultra-broadband perfect absorber via a flat multi-layer structure
0.1-20 THz ultra-broadband perfect absorber via a flat multi-layer structure
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0.1-20 THz ultra-broadband perfect absorber via a flat multi-layer structure

Xu, Gongjie ; Zhang, Jun ; Zang, Xiaofei ; Sugihara, Okihiro ; Zhao, Hongwei ; Cai, Bin

Optics express, 2016-10, Vol.24 (20), p.23177-23185 [Periódico revisado por pares]

United States

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7
0.1 THz exposure affects primary hippocampus neuron gene expression via alternating transcription factor binding
0.1 THz exposure affects primary hippocampus neuron gene expression via alternating transcription factor binding
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0.1 THz exposure affects primary hippocampus neuron gene expression via alternating transcription factor binding

Shang, Sen ; Wu, XingJuan ; Zhang, Qi ; Zhao, Jiping ; Hu, Erling ; Wang, Leilei ; Lu, Xiaoyun

Biomedical optics express, 2021-06, Vol.12 (6), p.3729-3742 [Periódico revisado por pares]

Optical Society of America

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8
0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology
0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology

CHOU, Y. C ; LEUNG, D ; LAI, R ; GRUNDBACHER, R ; BARSKY, M ; KAN, Q ; TSAI, R

Technical digest - IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium, 2002, p.77-80

Piscataway NJ: IEEE

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9
A 0.0012 mm[sup.2] 6-bit 700 MS/s 1 mW Calibration-Free Pseudo-Loop-Unrolled SAR ADC in 28 nm CMOS
A 0.0012 mm[sup.2] 6-bit 700 MS/s 1 mW Calibration-Free Pseudo-Loop-Unrolled SAR ADC in 28 nm CMOS
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.0012 mm[sup.2] 6-bit 700 MS/s 1 mW Calibration-Free Pseudo-Loop-Unrolled SAR ADC in 28 nm CMOS

An, Eun-Ji ; Oh, Dong-Ryeol

Electronics (Basel), 2022-06, Vol.11 (11) [Periódico revisado por pares]

MDPI AG

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A 0.00426 mm[sup.2] 77.6-dB Dynamic Range VCO-Based CTDSM for Multi-Channel Neural Recording
A 0.00426 mm[sup.2] 77.6-dB Dynamic Range VCO-Based CTDSM for Multi-Channel Neural Recording
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.00426 mm[sup.2] 77.6-dB Dynamic Range VCO-Based CTDSM for Multi-Channel Neural Recording

Wang, Shiwei ; Yang, Xiaolin ; Wang, Chaohan ; Vilouras, Anastasios ; Lopez, Carolina Mora

Electronics (Basel), 2022-11, Vol.11 (21) [Periódico revisado por pares]

MDPI AG

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