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1	$[0 0 1] zone-axis bright-field diffraction contrast from coherent Ge(Si) islands on Si(0 0 1)$ $[0 0 1] zone-axis bright-field diffraction contrast from coherent Ge(Si) islands on Si(0 0 1)$ Material Type: Artigo		[0 0 1] zone-axis bright-field diffraction contrast from coherent Ge(Si) islands on Si(0 0 1) Liao, X.Z ; Zou, J ; Cockayne, D.J.H ; Matsumura, S Ultramicroscopy, 2004, Vol.98 (2), p.239-247 [Periódico revisado por pares] Netherlands: Elsevier B.V Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
2	Material Type: Ata de Congresso		0-3 nanocomposites for optoelectronics and nonlinear optics Yao, Xi ; Zhang, Liangying ; Liu, Chunliang SPIE 1994 Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
3	Material Type: Ata de Congresso		0.07 um InP HEMT MMIC Technology for G-band Power Amplifiers Lai, R. ; Huang, P. ; Grundbacher, R. ; Farkas, D. ; Cavus, A. ; Liu, P.H. ; Chin, P. ; Chou, Y.C. ; Barsky, M. ; Tsai, R. ; Raja, R. ; Oki, A. 2006 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, 2006, p.39-41 IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
4	Material Type: Ata de Congresso		0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology CHOU, Y. C ; LEUNG, D ; LAI, R ; GRUNDBACHER, R ; BARSKY, M ; KAN, Q ; TSAI, R Technical digest - IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium, 2002, p.77-80 Piscataway NJ: IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
5	Material Type: Artigo		0.10 μm graded InGaAs channel InP HEMT with 305 GHz fT and 340 GHz fmax Wojtowicz, M. ; Lai, R. ; Streit, D.C. ; Ng, G.I. ; Block, T.R. ; Tan, K.L. ; Liu, P.H. ; Freudenthal, A.K. ; Dia, R.M. IEEE electron device letters, 1994-11, Vol.15 (11), p.477-479 [Periódico revisado por pares] New York, NY: IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
6	Material Type: Artigo		0.15-μm n-n gate CMOS technology with channel selective epitaxy and transient enhanced diffusion suppression Abiko, Hitoshi ; Ono, Atsuki ; Ueno, Ryuuichi ; Masuoka, Sadaaki ; Shishiguchi, Seiichi ; Nakajima, Ken ; Sakai, Isami Electronics & communications in Japan. Part 2, Electronics, 1996, Vol.79 (11), p.28-35 [Periódico revisado por pares] New York: Wiley Subscription Services, Inc., A Wiley Company Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
7	Material Type: Artigo		0.24-(mu)m CMOS technology and BSIM RF modeling for Bluetooth power applications Chen, E ; Heo, D ; Laskar, J ; Bien, D Microwave Journal, 2001-02, Vol.44 (2), p.142-152 Dedham: Horizon House Publications, Inc Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
8	Material Type: Ata de Congresso		0.25/spl mu/m In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As/In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As/InAs/sub 0.3/P/sub 0.7/ composite channel HEMTs with an f/sub T/ of 115GHz Liu, D. ; Hudait, M. ; Lin, Y. ; Kim, H. ; Ringel, S.A. ; Lu, W. 2005 Asia-Pacific Microwave Conference Proceedings, 2005, Vol.2, p.3 pp. IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
9	Material Type: Ata de Congresso		0.32-μm pitch random line pattern formation by dense dummy pattern and double exposure in KrF wavelength Nakao, Shuji ; Tsujita, Kouichirou ; Arimoto, Ichiriou ; Wakamiya, Wataru SPIE 2000 Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
10	Material Type: Artigo		0.43 J, 10 Hz Fourth Harmonic Generation of Nd:YAG Laser Using Large Li2B4O7 Crystals Suzuki, Yuji ; Ono, Shingo ; Murakami, Hidetoshi ; Kozeki, Toshimasa ; Ohtake, Hideyuki ; Sarukura, Nobuhiko ; Masada, Genta ; Shiraishi, Hiroyuki ; Sekine, Ichiro Japanese Journal of Applied Physics, 2002-07, Vol.41 (Part 2, No. 7B), p.L823-L824 [Periódico revisado por pares] Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por

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