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Electronic-grade GaN ( 0001 ) / Al 2 O 3 ( 0001 ) grown by reactive DC-magnetron sputter epitaxy using a liquid Ga target

Junaid, M. ; Hsiao, C.-L. ; Palisaitis, J. ; Jensen, J. ; Persson, P. O. Å. ; Hultman, L. ; Birch, J.

Applied Physics Letters, 04 April 2011, Vol.98(14) [Periódico revisado por pares]

© 2011 American Institute of Physics (AIP)

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Electronic-grade GaN(0001)/Al{sub 2}O{sub 3}(0001) grown by reactive DC-magnetron sputter epitaxy using a liquid Ga target

Junaid, M ; Hsiao, C.-L ; Palisaitis, J ; Jensen, J ; Persson, P. O. A ; Hultman, L ; Birch, J

Applied Physics Letters, 04 April 2011, Vol.98(14) [Periódico revisado por pares]

SciTech Connect (U.S. Dept. of Energy - Office of Scientific and Technical Information)

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Electronic-grade GaN(0001)/Al2O3(0001) grown by reactive DC-magnetron sputter epitaxy using a liquid Ga target

Junaid, Muhammad ; Hsiao, Ching-Lien ; Palisaitis, Justinas ; Jensen, Jens ; Persson, Per ; Hultman, Lars ; Birch, Jens

Applied Physics Letters, 2011, Vol.98(14), pp.141915 [Periódico revisado por pares]

SwePub (National Library of Sweden)

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