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1
Electron mobility in a modulation doped AlGaN/GaN quantum well
Electron mobility in a modulation doped AlGaN/GaN quantum well
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Electron mobility in a modulation doped AlGaN/GaN quantum well

YARAR, Z ; OZDEMIR, B ; OZDEMIR, M

The European physical journal. B, Condensed matter physics, 2006-02, Vol.49 (4), p.407-414 [Periódico revisado por pares]

Les Ulis: Springer

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Citações Citado por
2
Removing sub-50nm particles during blank substrate cleaning
Removing sub-50nm particles during blank substrate cleaning
Material Type:
magazinearticle 		Adicionar ao Meu Espaço

Removing sub-50nm particles during blank substrate cleaning

Rastegar, Abbas ; Eichenlaub, Sean ; Ikuta, Yoshiaki ; Popp, Helmut

Solid state technology, 2006-04, Vol.49 (4), p.47-49

Tulsa: PennWell Corporation

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Citações Citado por
3
Controlling line-edge roughness in EUV resist with sturdy, small molecules
Controlling line-edge roughness in EUV resist with sturdy, small molecules
Material Type:
magazinearticle 		Adicionar ao Meu Espaço

Controlling line-edge roughness in EUV resist with sturdy, small molecules

Solid state technology, 2007-03, Vol.50 (3), p.34

Tulsa: PennWell Publishing Corp

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4
Pushing the limits of CMP mechanical control
Pushing the limits of CMP mechanical control
Material Type:
magazinearticle 		Adicionar ao Meu Espaço

Pushing the limits of CMP mechanical control

Korczynski, Ed

Solid state technology, 2007-03, Vol.50 (3), p.36

Tulsa: PennWell Publishing Corp

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5
Eliminating micro-cracks, crystal dislocations with single-wafer surface conditioning
Eliminating micro-cracks, crystal dislocations with single-wafer surface conditioning
Material Type:
magazinearticle 		Adicionar ao Meu Espaço

Eliminating micro-cracks, crystal dislocations with single-wafer surface conditioning

Drews, Scott

Solid state technology, 2008-01, Vol.51 (1), p.54

Tulsa: PennWell Publishing Corp

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Citações Citado por
6
Deep silicon etch for TSVs with improved via profile/process control
Deep silicon etch for TSVs with improved via profile/process control
Material Type:
magazinearticle 		Adicionar ao Meu Espaço

Deep silicon etch for TSVs with improved via profile/process control

Eaton, Brad ; Kumar, Ajay ; Pamarthy, Sharma

Solid state technology, 2009-04, Vol.52 (4), p.22

Tulsa: PennWell Publishing Corp

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7
Long Term Fatigue Behavior of Zirconia Based Dental Ceramics
Long Term Fatigue Behavior of Zirconia Based Dental Ceramics
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Long Term Fatigue Behavior of Zirconia Based Dental Ceramics

Aboushelib, Moustafa N.

Materials, 2010-05, Vol.3 (5), p.2975-2985 [Periódico revisado por pares]

Basel: MDPI AG

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Citações Citado por
8
IMEC tips work in Ge CMP, epitaxy
IMEC tips work in Ge CMP, epitaxy
Material Type:
magazinearticle 		Adicionar ao Meu Espaço

IMEC tips work in Ge CMP, epitaxy

Montgomery, James

Solid state technology, 2010-06, Vol.53 (6), p.12-12

Tulsa: PennWell Publishing Corp

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9
Prior Surface Integrity Assessment of Coated and Uncoated Carbide Inserts Using Atomic Force Microscopy
Prior Surface Integrity Assessment of Coated and Uncoated Carbide Inserts Using Atomic Force Microscopy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Prior Surface Integrity Assessment of Coated and Uncoated Carbide Inserts Using Atomic Force Microscopy

Oraby, Samy ; Alaskari, Ayman ; Almazrouee, Abdulla

Materials, 2011-04, Vol.4 (4), p.633-650 [Periódico revisado por pares]

Switzerland: MDPI AG

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10
Improving line roughness by using EUV assist layers
Improving line roughness by using EUV assist layers
Material Type:
magazinearticle 		Adicionar ao Meu Espaço

Improving line roughness by using EUV assist layers

Washburn, Carlton

Solid state technology, 2011-08, Vol.54 (8), p.21-22

Tulsa: PennWell Corporation

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