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0+-0- Crossings in Electric Fields—A Possibility for Detecting Parity Violation in Helium
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0+-0- Crossings in Electric Fields—A Possibility for Detecting Parity Violation in Helium

Oppen, G. V

Europhysics letters, 1990-01, Vol.11 (1), p.25-30 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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2
0. 1--10-keV x-ray-induced electron emissions from solids: Models and secondary electron measurements
0. 1--10-keV x-ray-induced electron emissions from solids: Models and secondary electron measurements
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0. 1--10-keV x-ray-induced electron emissions from solids: Models and secondary electron measurements

Henke, B.L. ; Smith, J.A. ; Attwood, D.T.

J. Appl. Phys.; (United States), 1977-05, Vol.48:5

United States

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3
0-10012 Parallel fiber-induced inositol 1 ,4,5-trisphosphate production in cerebellar Purkinje cells is mediated cooperatively by group I metabotropic glutamate receptor and the AMPA receptor
0-10012 Parallel fiber-induced inositol 1 ,4,5-trisphosphate production in cerebellar Purkinje cells is mediated cooperatively by group I metabotropic glutamate receptor and the AMPA receptor
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0-10012 Parallel fiber-induced inositol 1 ,4,5-trisphosphate production in cerebellar Purkinje cells is mediated cooperatively by group I metabotropic glutamate receptor and the AMPA receptor

Yohei Okubo ; Sho Kakizawa ; Kenzo Hirose ; Masamitsu lino

Journal of Pharmacological Sciences, 2004, Vol.94 (suppl.1), p.76-76 [Periódico revisado por pares]

The Japanese Pharmacological Society

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4
0.006wt.%Ag-Doped Sb2O3 Nanofilms with Various Thickness: Morphological and optical properties
0.006wt.%Ag-Doped Sb2O3 Nanofilms with Various Thickness: Morphological and optical properties
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0.006wt.%Ag-Doped Sb2O3 Nanofilms with Various Thickness: Morphological and optical properties

Haneen Abass, Khalid ; Haidar Obaid, Noor

Journal of physics. Conference series, 2019-09, Vol.1294 (2), p.22005 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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5
0.013 mm2 and Low-power 10 Gb/s Transimpedance Amplifier for Short-reach Optical Interconnects
0.013 mm2 and Low-power 10 Gb/s Transimpedance Amplifier for Short-reach Optical Interconnects
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0.013 mm2 and Low-power 10 Gb/s Transimpedance Amplifier for Short-reach Optical Interconnects

Nguyen, Nga T. H. ; Ukaegbu, Ikechi Augustine ; Sangirov, Jamshid ; Cho, Mu Hee ; Lee, Tae Woo ; Park, Hyo Hoon

Microwave and optical technology letters, 2013-10, Vol.55 (10), p.2484-2487 [Periódico revisado por pares]

New York: Blackwell Publishing Ltd

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6
0.02-wavelengths-thick transmission-type designer wave plate with high efficiency
0.02-wavelengths-thick transmission-type designer wave plate with high efficiency
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0.02-wavelengths-thick transmission-type designer wave plate with high efficiency

Xu, Peng ; Jiang, Wei Xiang ; Cai, Xiao ; Wang, Zheng Xing ; Cui, Tie Jun

Journal of physics. D, Applied physics, 2019-09, Vol.52 (37), p.375105 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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7
0.025 micro m gate lengths
0.025 micro m gate lengths
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0.025 micro m gate lengths

Electronic engineering times, 2000-06, p.1

London: AspenCore

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0.1–10-keV x-ray-induced electron emissions from solids—Models and secondary electron measurements
0.1–10-keV x-ray-induced electron emissions from solids—Models and secondary electron measurements
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1–10-keV x-ray-induced electron emissions from solids—Models and secondary electron measurements

Henke, Burton L. ; Smith, Jerel A. ; Attwood, David T.

Journal of applied physics, 1977-05, Vol.48 (5), p.1852-1866 [Periódico revisado por pares]

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9
0.1 THz exposure affects primary hippocampus neuron gene expression via alternating transcription factor binding
0.1 THz exposure affects primary hippocampus neuron gene expression via alternating transcription factor binding
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1 THz exposure affects primary hippocampus neuron gene expression via alternating transcription factor binding

Shang, Sen ; Wu, XingJuan ; Zhang, Qi ; Zhao, Jiping ; Hu, Erling ; Wang, Leilei ; Lu, Xiaoyun

Biomedical optics express, 2021-06, Vol.12 (6), p.3729-3742 [Periódico revisado por pares]

Optical Society of America

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10
0.1 μm WSiN-gate fabrication of GaAs metal-semiconductor field effect transistors using electron cyclotron resonance ion stream etching with SF 6 –CF 4 –SiF 4 –O 2
0.1 μm WSiN-gate fabrication of GaAs metal-semiconductor field effect transistors using electron cyclotron resonance ion stream etching with SF 6 –CF 4 –SiF 4 –O 2
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1 μm WSiN-gate fabrication of GaAs metal-semiconductor field effect transistors using electron cyclotron resonance ion stream etching with SF 6 –CF 4 –SiF 4 –O 2

Jin, Yoshito ; Takahashi, Chiharu ; Nishimura, Kazumi ; Ono, Toshiro ; Matsuo, Seitaro

Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, 1997, Vol.15 (6), p.2639-2642

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  1. Leite, M
  2. Donadelli, M
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  4. Takagui, E
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  1. Science & Technology
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