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1
Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet
Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet

Victor Sonnenberg João Antonio Martino 1959-; Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica (9. 1994 Rio de Janeiro)

Anais Rio de Janeiro : Sbmicro/Ufrj, 1994

Rio de Janeiro Sbmicro/Ufrj 1994

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2
Soi mesfet modo acumulacao em 77 k impacto dos efeitos transitorios e determinacao da densidade de armadilhas de interface
Soi mesfet modo acumulacao em 77 k impacto dos efeitos transitorios e determinacao da densidade de armadilhas de interface
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Soi mesfet modo acumulacao em 77 k impacto dos efeitos transitorios e determinacao da densidade de armadilhas de interface

João Antonio Martino 1959- Eddy Simoen; Antônio Luís Pacheco Rotondaro; Ulf Magnusson; Cor Claeys; Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica (8. 1993 Campinas)

Anais Campinas : Sbmicro, 1993

Campinas Sbmicro 1993

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3
Programa didatico para o estudo de capacitores mos na caracterizacao de processos
Programa didatico para o estudo de capacitores mos na caracterizacao de processos
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Programa didatico para o estudo de capacitores mos na caracterizacao de processos

G W F Kimura Victor Sonnenberg; João Antonio Martino 1959-; Seminario Brasileiro de Caracterizacao em Microeletronica (2. 1995 Curitiba)

Anais Curitiba : Copel, 1995

Curitiba Copel 1995

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4
Modelamento analitico para a queda de potencial no substrato de soi-mosfet
Modelamento analitico para a queda de potencial no substrato de soi-mosfet
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Modelamento analitico para a queda de potencial no substrato de soi-mosfet

Marcelo Antonio Pavanello João Antonio Martino 1959-; Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica (9. 1994 Rio de Janeiro)

Anais Rio de Janeiro : Sbmicro/Ufrj, 1994

Rio de Janeiro Sbmicro/Ufrj 1994

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5
Efeitos da radiacao em capacitores mos
Efeitos da radiacao em capacitores mos
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Efeitos da radiacao em capacitores mos

V L M Nakata João Antonio Martino 1959-; Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica (9. 1994 Rio de Janeiro)

Anais Rio de Janeiro : Sbmicro/Ufrj, 1994

Rio de Janeiro Sbmicro/Ufrj 1994

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6
Obtenção da estrutura de perfil de um transistor MOS a partir de parâmetros PSPICE
Obtenção da estrutura de perfil de um transistor MOS a partir de parâmetros PSPICE
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Obtenção da estrutura de perfil de um transistor MOS a partir de parâmetros PSPICE

L M Camillo João Antonio Martino 1959-; Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo (5. 1997 São Paulo)

Resumos São Paulo : USP, 1997

São Paulo USP 1997

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7
A new method for determination of the oxide charge density at the buried oxide/substrate interface in SOI capacitor
A new method for determination of the oxide charge density at the buried oxide/substrate interface in SOI capacitor
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A new method for determination of the oxide charge density at the buried oxide/substrate interface in SOI capacitor

Victor Sonnenberg João Antonio Martino 1959-; International Conference on Microelectronics and Packaging (13. 1998 Curitiba)

SBMicro'ICMP 98 : Proceedings Curitiba : SBMicro/LACTRO/LAC, 1998

Curitiba SBMicro/LACTRO/LAC 1998

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8
Back gate voltage influence on the LDD SOI NMOSFET series resistence extraction from 150 to 300 k
Back gate voltage influence on the LDD SOI NMOSFET series resistence extraction from 150 to 300 k
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Back gate voltage influence on the LDD SOI NMOSFET series resistence extraction from 150 to 300 k

Aparecido Sirley Nicolett João Antonio Martino 1959-; Eddy Simoen; Cor Claeys; Nato Advanced Research Workshop (1998 Kyiv)

Perspectives, science and technologies for novel silicon on insulator devices Kyiv : National Academy of Sciences of Ukraine, 1998

Kyiv National Academy of Sciences of Ukraine 1998

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9
Effect of the substrate potential drop in accumulation mode SOI pMOSFETs subthreshold slope
Effect of the substrate potential drop in accumulation mode SOI pMOSFETs subthreshold slope
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Effect of the substrate potential drop in accumulation mode SOI pMOSFETs subthreshold slope

Marcelo Antonio Pavanello João Antonio Martino 1959-; International Conference on Microelectronics and Packaging (13. 1998 Curitiba)

SBMicro'ICMP 98 : Proceedings Curitiba : SBMicro/LACTRO/LAC, 1998

Curitiba SBMicro/LACTRO/LAC 1998

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10
Extraction of the interface charge density at the silicon substrate interface in SOI MOSFET's at cryogenic temperatures
Extraction of the interface charge density at the silicon substrate interface in SOI MOSFET's at cryogenic temperatures
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Extraction of the interface charge density at the silicon substrate interface in SOI MOSFET's at cryogenic temperatures

Marcelo Antonio Pavanello João Antonio Martino 1959-; International Conference on Microelectronics and Packaging (14. 1999 Campinas)

ICMP 99 : Technical Digest São Paulo : SBMicro/IMAPS, 1999

São Paulo SBMicro/IMAPS 1999

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Deste Autor:

  1. Martino, J
  2. Simoen, E
  3. Agopian, P
  4. Claeys, C
  5. Rooyackers, R

Neste Assunto:

  1. Semicondutores
  2. Transistores
  3. Microeletrônica
  4. Circuitos Integrados
  5. Silício

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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