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Revealing localized excitons in WSe2/β-Ga2O3
Revealing localized excitons in WSe2/β-Ga2O3
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Revealing localized excitons in WSe2/β-Ga2O3

Camila Cavalini César Ricardo Rabahi; Caique Serati de Brito; Eunji Lee; José Roberto de Toledo; Felipe Faria Cazetta; Raphael Brenon Fernandes de Oliveira; Marcelo Barbosa de Andrade; Mohamed Henini; Yuhao Zhang; Jeongyong Kim; Ingrid David Barcelos; Yara Galvão Gobato

Applied Physics Letters Melville v. 124, n. 14, p. 142104-1-142104-7 + supplementary material, Apr. 2024

Melville 2024

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD035768 )(Acessar)

2
Liquid metal stretchable unbalanced loop antenna
Liquid metal stretchable unbalanced loop antenna
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Liquid metal stretchable unbalanced loop antenna

Cheng, Shi ; Rydberg, Anders ; Hjort, Klas ; Wu, Zhigang

Applied physics letters, 2009-04, Vol.94 (14), p.144103-144103-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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Enhanced piezoelectric effect in Janus group-III chalcogenide monolayers
Enhanced piezoelectric effect in Janus group-III chalcogenide monolayers
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Enhanced piezoelectric effect in Janus group-III chalcogenide monolayers

Guo, Yu ; Zhou, Si ; Bai, Yizhen ; Zhao, Jijun

Applied physics letters, 2017-04, Vol.110 (16) [Periódico revisado por pares]

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Atom insertion into grain boundaries and stress generation in physically vapor deposited films
Atom insertion into grain boundaries and stress generation in physically vapor deposited films
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Atom insertion into grain boundaries and stress generation in physically vapor deposited films

Magnfält, D. ; Abadias, G. ; Sarakinos, K.

Applied physics letters, 2013-07, Vol.103 (5) [Periódico revisado por pares]

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5
Depletion-mode Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on β-Ga2O3 (010) substrates and temperature dependence of their device characteristics
Depletion-mode Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on β-Ga2O3 (010) substrates and temperature dependence of their device characteristics
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Depletion-mode Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on β-Ga2O3 (010) substrates and temperature dependence of their device characteristics

Higashiwaki, Masataka ; Sasaki, Kohei ; Kamimura, Takafumi ; Hoi Wong, Man ; Krishnamurthy, Daivasigamani ; Kuramata, Akito ; Masui, Takekazu ; Yamakoshi, Shigenobu

Applied physics letters, 2013-09, Vol.103 (12) [Periódico revisado por pares]

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6
Gallium oxide (Ga2O3) metal-semiconductor field-effect transistors on single-crystal β-Ga2O3 (010) substrates
Gallium oxide (Ga2O3) metal-semiconductor field-effect transistors on single-crystal β-Ga2O3 (010) substrates
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Gallium oxide (Ga2O3) metal-semiconductor field-effect transistors on single-crystal β-Ga2O3 (010) substrates

Higashiwaki, Masataka ; Sasaki, Kohei ; Kuramata, Akito ; Masui, Takekazu ; Yamakoshi, Shigenobu

Applied physics letters, 2012-01, Vol.100 (1) [Periódico revisado por pares]

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7
A perspective on the next generation of invisibility cloaks—Intelligent cloaks
A perspective on the next generation of invisibility cloaks—Intelligent cloaks
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A perspective on the next generation of invisibility cloaks—Intelligent cloaks

Qian, Chao ; Chen, Hongsheng

Applied physics letters, 2021-05, Vol.118 (18) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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8
An optically pumped 2.5 μm GeSn laser on Si operating at 110 K
An optically pumped 2.5 μm GeSn laser on Si operating at 110 K
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

An optically pumped 2.5 μm GeSn laser on Si operating at 110 K

Al-Kabi, Sattar ; Ghetmiri, Seyed Amir ; Margetis, Joe ; Pham, Thach ; Zhou, Yiyin ; Dou, Wei ; Collier, Bria ; Quinde, Randy ; Du, Wei ; Mosleh, Aboozar ; Liu, Jifeng ; Sun, Greg ; Soref, Richard A. ; Tolle, John ; Li, Baohua ; Mortazavi, Mansour ; Naseem, Hameed A. ; Yu, Shui-Qing

Applied physics letters, 2016-10, Vol.109 (17) [Periódico revisado por pares]

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9
Placing single atoms in graphene with a scanning transmission electron microscope
Placing single atoms in graphene with a scanning transmission electron microscope
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Placing single atoms in graphene with a scanning transmission electron microscope

Dyck, Ondrej ; Kim, Songkil ; Kalinin, Sergei V. ; Jesse, Stephen

Applied physics letters, 2017-09, Vol.111 (11) [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics (AIP)

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10
Rotational electromagnetic energy harvester for human motion application at low frequency
Rotational electromagnetic energy harvester for human motion application at low frequency
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Rotational electromagnetic energy harvester for human motion application at low frequency

Zhang, Yulong ; Luo, Anxin ; Wang, Yifan ; Dai, Xiangtian ; Lu, Yan ; Wang, Fei

Applied physics letters, 2020-02, Vol.116 (5) [Periódico revisado por pares]

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  1. Zhang, Y
  2. Lee, E
  3. Kim, J
  4. Cavalini, C
  5. Rabahi, C

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  1. Physics
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