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1
Selenium-dx center-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown by molecular beam epitaxy
Selenium-dx center-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown by molecular beam epitaxy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Selenium-dx center-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown by molecular beam epitaxy

Pierre Basmaji

v.70, n.5 , p.2866-7, sep. 1991 Journal of Applied Physics

1991

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001941 )(Acessar)

2
Nano estruturas luminescentes de silicio poroso fabricado pelo processo eletroquimico
Nano estruturas luminescentes de silicio poroso fabricado pelo processo eletroquimico
Material Type:
Tese (Outras) 		Adicionar ao Meu Espaço

Nano estruturas luminescentes de silicio poroso fabricado pelo processo eletroquimico

Pierre Basmaji

1994

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (Te1030 )(Acessar)

3
Selenium-dx center-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown by molecular beam epitaxy
Selenium-dx center-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown by molecular beam epitaxy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Selenium-dx center-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown by molecular beam epitaxy

Pierre Basmaji

v.70, n.5 , p.2866-7, sep. 1991 Journal of Applied Physics

1991

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001941 )(Acessar)

4
MBE crystal growth
MBE crystal growth
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

MBE crystal growth

Pierre Basmaji Brazilian School Semicondutores Physics (5. 1991 São Paulo)

Proceedings São Paulo, 1991

São Paulo 1991

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001238 ) e outros locais(Acessar)

5
Estudo de incorporações de impurezas doadoras em estruturas semicondutoras III-V crescidas por epitaxia por feixes moleculares.
Estudo de incorporações de impurezas doadoras em estruturas semicondutoras III-V crescidas por epitaxia por feixes moleculares.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de incorporações de impurezas doadoras em estruturas semicondutoras III-V crescidas por epitaxia por feixes moleculares.

Notari, Airton Carlos

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física e Química de São Carlos 1993-04-29

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

6
Origem da luminescencia visivel do silicio poroso
Origem da luminescencia visivel do silicio poroso
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Origem da luminescencia visivel do silicio poroso

R Pattaro Pierre Basmaji; Simposio de Iniciacao Cientifica (2. 1994 São Paulo)

Programa e Resumos São Paulo : USP, 1994

Sao Paulo Usp 1994

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD003291 ) e outros locais(Acessar)

7
Highlights and selected aspects of the development of molecular beam epitaxy perspective and future directions
Highlights and selected aspects of the development of molecular beam epitaxy perspective and future directions
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Highlights and selected aspects of the development of molecular beam epitaxy perspective and future directions

Pierre Basmaji Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada (18. 1995 Caxambu)

Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Fisica, 1995

São Paulo Sociedade Brasileira de Fisica 1995

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD003538 ) e outros locais(Acessar)

8
Formacao natural de pontos quanticos
Formacao natural de pontos quanticos
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Formacao natural de pontos quanticos

P P González-Borrero Pierre Basmaji; Simposio Interno da Pos-Graduacao do Ifsc (3. 1996 São Carlos)

Resumos São Carlos : USP, 1996

Sao Carlos Usp 1996

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD004523 ) e outros locais(Acessar)

9
Movpe growth of 'AL IND.1-X''AS' above 850'GRAUS'c
Movpe growth of 'AL IND.1-X''AS' above 850'GRAUS'c
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Movpe growth of 'AL IND.1-X''AS' above 850'GRAUS'c

Pierre Basmaji P Gibart; Brazilian School of Semiconductor Physics (4. 1989 Belo Horizonte)

Proceedings Singapore : World Scientific, 1990

Singapore World Scientific 1990

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD000976 ) e outros locais(Acessar)

10
Tunelamento ressonante através de impurezas doadoras em estruturas de dupla barreira.
Tunelamento ressonante através de impurezas doadoras em estruturas de dupla barreira.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Tunelamento ressonante através de impurezas doadoras em estruturas de dupla barreira.

Scala Junior, Newton La

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física de São Carlos 1994-11-25

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

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