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Point defects in silicon carbide as a promising basis for spectroscopy of single defects with controllable quantum states at room temperature
Point defects in silicon carbide as a promising basis for spectroscopy of single defects with controllable quantum states at room temperature
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Point defects in silicon carbide as a promising basis for spectroscopy of single defects with controllable quantum states at room temperature

Soltamov, V. A. ; Tolmachev, D. O. ; Il’in, I. V. ; Astakhov, G. V. ; Dyakonov, V. V. ; Soltamova, A. A. ; Baranov, P. G.

Physics of the solid state, 2015-05, Vol.57 (5), p.891-899 [Periódico revisado por pares]

Moscow: Pleiades Publishing

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Crystalline complexes of fullerene with anisole derivatives
Crystalline complexes of fullerene with anisole derivatives
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Crystalline complexes of fullerene with anisole derivatives

Markin, G. V. ; Baranov, E. V. ; Ketkov, S. Yu ; Lopatin, M. A. ; Kuropatov, V. A. ; Shavyrin, A. S. ; Domrachev, G. A.

Physics of the solid state, 2012-03, Vol.54 (3), p.647-651 [Periódico revisado por pares]

Dordrecht: SP MAIK Nauka/Interperiodica

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