skip to main content
Idioma:
Resultados 1 2 3 4 5 next page
Mostrar Somente
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Strain and wafer curvature of 3C-SiC films on silicon: influence of the growth conditions
Strain and wafer curvature of 3C-SiC films on silicon: influence of the growth conditions
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Strain and wafer curvature of 3C-SiC films on silicon: influence of the growth conditions

Zielinski, M. ; Ndiaye, S. ; Chassagne, T. ; Juillaguet, S. ; Lewandowska, R. ; Portail, M. ; Leycuras, A. ; Camassel, J.

Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2007-04, Vol.204 (4), p.981-986 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

Texto completo disponível

Citações Citado por
2
Strain Tailoring in 3C-SiC Heteroepitaxial Layers Grown on Si(100)
Strain Tailoring in 3C-SiC Heteroepitaxial Layers Grown on Si(100)
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Strain Tailoring in 3C-SiC Heteroepitaxial Layers Grown on Si(100)

Ferro, G. ; Chassagne, T. ; Leycuras, A. ; Cauwet, F. ; Monteil, Y.

Chemical vapor deposition, 2006-09, Vol.12 (8-9), p.483-488 [Periódico revisado por pares]

Weinheim: WILEY-VCH Verlag

Texto completo disponível

Citações Citado por
3
Fabrication of monocrystalline 3C–SiC resonators for MHz frequency sensors applications
Fabrication of monocrystalline 3C–SiC resonators for MHz frequency sensors applications
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Fabrication of monocrystalline 3C–SiC resonators for MHz frequency sensors applications

Placidi, M. ; Godignon, P. ; Mestres, N. ; Abadal, G. ; Ferro, G. ; Leycuras, A. ; Chassagne, T.

Sensors and actuators. B, Chemical, 2008-07, Vol.133 (1), p.276-280 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
Role of oxygen in the formation of voids at the SiC–Si interface
Role of oxygen in the formation of voids at the SiC–Si interface
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Role of oxygen in the formation of voids at the SiC–Si interface

Leycuras, A.

Applied physics letters, 1997-03, Vol.70 (12), p.1533-1535 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
Etching nano-holes in silicon carbide using catalytic platinum nano-particles
Etching nano-holes in silicon carbide using catalytic platinum nano-particles
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Etching nano-holes in silicon carbide using catalytic platinum nano-particles

MOYEN, E ; WULFHEKEL, W ; LEE, W ; LEYCURAS, A ; NIELSCH, K ; GÖSELE, U ; HANBÜCKEN, M

Applied physics. A, Materials science & processing, 2006-09, Vol.84 (4), p.369-371 [Periódico revisado por pares]

Berlin: Springer

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
Investigation of 2 Inch SiC Layers Grown in a Resistively-Heated LP-CVD Reactor with Horizontal "Hot-Walls"
Investigation of 2 Inch SiC Layers Grown in a Resistively-Heated LP-CVD Reactor with Horizontal "Hot-Walls"
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Investigation of 2 Inch SiC Layers Grown in a Resistively-Heated LP-CVD Reactor with Horizontal "Hot-Walls"

Chassagne, Thierry ; Leycuras, André ; Balloud, Carole ; Arcade, P. ; Peyre, Hervé ; Juillaguet, Sandrine

Materials science forum, 2004-01, Vol.457-460, p.273-276 [Periódico revisado por pares]

Sem texto completo

Citações Citado por
7
Vertical nanopatterning of 6H-SiC(0001) surfaces using gold-metal nanotube membrane lithography
Vertical nanopatterning of 6H-SiC(0001) surfaces using gold-metal nanotube membrane lithography
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Vertical nanopatterning of 6H-SiC(0001) surfaces using gold-metal nanotube membrane lithography

LEE, W ; MOYEN, E ; WULFHEKEL, W ; LEYCURAS, A ; NIELSCH, K ; GÖSELE, U ; HANBÜCKEN, M

Applied physics. A, Materials science & processing, 2006-06, Vol.83 (3), p.361-363 [Periódico revisado por pares]

Berlin: Springer

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
Control of 3C-SiC/Si wafer bending by the "checker-board" carbonization method
Control of 3C-SiC/Si wafer bending by the "checker-board" carbonization method
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Control of 3C-SiC/Si wafer bending by the "checker-board" carbonization method

Chassagne, T. ; Ferro, G. ; Haas, H. ; Mank, H. ; Leycuras, A. ; Monteil, Y. ; Soares, F. ; Balloud, C. ; Arcade, Ph ; Blanc, C. ; Peyre, H. ; Juillaguet, S. ; Camassel, J.

Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2005-03, Vol.202 (4), p.524-530 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
Low Specific Contact Resistance to 3C-SiC Grown on (100) Si Substrates
Low Specific Contact Resistance to 3C-SiC Grown on (100) Si Substrates
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Low Specific Contact Resistance to 3C-SiC Grown on (100) Si Substrates

Bazin, Anne Elisabeth ; Chassagne, Thierry ; Michaud, Jean François ; Leycuras, André ; Portail, Marc ; Zielinski, Marcin ; Collard, Emmanuel ; Alquier, Daniel

Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.721-724 [Periódico revisado por pares]

Sem texto completo

Citações Citado por
10
Trends in Dopant Incorporation for 3C-SiC Films on Silicon
Trends in Dopant Incorporation for 3C-SiC Films on Silicon
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Trends in Dopant Incorporation for 3C-SiC Films on Silicon

Zielinski, Marcin ; Portail, Marc ; Peyre, Hervé ; Chassagne, Thierry ; Ndiaye, S. ; Boyer, Bernard ; Leycuras, André ; Camassel, Jean

Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.207-210 [Periódico revisado por pares]

Sem texto completo

Citações Citado por
Resultados 1 2 3 4 5 next page

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Mostrar Somente

  1. Recursos Online (69)
  2. Revistas revisadas por pares (77)

Refinar Meus Resultados

Tipo de Recurso 

  1. Artigos  (100)
  2. Anais de Congresso  (17)
  3. Book Chapters  (3)
  4. Dissertações  (2)
  5. Web Resources  (1)
  6. Imagens  (1)
  7. Reports  (1)
  8. Mais opções open sub menu

Data de Publicação 

De até
Refinar
  1. Antes de1975  (14)
  2. 1975Até1984  (24)
  3. 1985Até1991  (27)
  4. 1992Até2000  (21)
  5. Após 2000  (37)
  6. Mais opções open sub menu

Idioma 

  1. Inglês  (111)
  2. Francês  (14)
  3. Japonês  (11)
  4. Mais opções open sub menu

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.