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1
Low-dimensional nitride semiconductors
Low-dimensional nitride semiconductors
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Low-dimensional nitride semiconductors

B Gil (Bernard)

Oxford Oxford University Press 2002

Localização: IF - Instituto de Física    (621.38152 G463l )(Acessar)

2
Gallium nitride (GaN)
Gallium nitride (GaN)
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Gallium nitride (GaN)

Jacques I Pankove 1922-; T. D Moustakas

San Diego Academic Press 1998-

Localização: IF - Instituto de Física    (MS SS v.50 )(Acessar)

3
Group III nitride semiconductor compounds physics and applications
Group III nitride semiconductor compounds physics and applications
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Group III nitride semiconductor compounds physics and applications

B Gil (Bernard)

Oxford Clarendon Press New York Oxford University Press 1998

Localização: IF - Instituto de Física    (537.622 G463g )(Acessar)

4
Third-order nonlinear spectrum of GaN under femtosecond-pulse excitation from the visible to the near infrared
Third-order nonlinear spectrum of GaN under femtosecond-pulse excitation from the visible to the near infrared
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Third-order nonlinear spectrum of GaN under femtosecond-pulse excitation from the visible to the near infrared

Gustavo Foresto Brito de Almeida Sabrina Nicoleti Carvalho dos Santos; Jonathas de Paula Siqueira; Jessica Dipold; Tobias Voss; Cleber Renato Mendonça

Photonics Basel : MDPI v. 6, n. 2, p. 69-1-69-9, June 2019

Basel 2019

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD028903 )(Acessar)

5
Femtosecond laser micromachining of GaN using different wavelengths from near-infrared to ultraviolet
Femtosecond laser micromachining of GaN using different wavelengths from near-infrared to ultraviolet
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Femtosecond laser micromachining of GaN using different wavelengths from near-infrared to ultraviolet

Lucas Konaka Nolasco Gustavo Foresto Brito de Almeida; Tobias Voss; Cleber Renato Mendonça

Journal of Alloys and Compounds Amsterdam v. 877, p. 160259-1-160259-5, Oct. 2021

Amsterdam 2021

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD031540 )(Acessar)

6
The blue laser diode GaN based light emitters and lasers
The blue laser diode GaN based light emitters and lasers
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

The blue laser diode GaN based light emitters and lasers

Shuji Nakamura 1954- Gerhard Fasol

Berlin Springer New York c1997

Localização: IF - Instituto de Física    (621.366 N163B )(Acessar)

7
Propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de terras raras em GaN e ZnO: um estudo da correção do potencial U de Hubbard na teoria do funcional da densidade
Propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de terras raras em GaN e ZnO: um estudo da correção do potencial U de Hubbard na teoria do funcional da densidade
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de terras raras em GaN e ZnO: um estudo da correção do potencial U de Hubbard na teoria do funcional da densidade

Oliveira, Glaura Caroena Azevedo De

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 2012-06-22

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

8
The blue laser diode the complete story
The blue laser diode the complete story
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

The blue laser diode the complete story

Shuji Nakamura 1954- S. J Pearton; Gerhard Fasol

Berlin Springer New York 2000

Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar)

9
Femtosecond-laser induced two-photon absorption of GaN and AlxGa1-xN thin films tuning the nonlinear optical response by alloying and doping
Femtosecond-laser induced two-photon absorption of GaN and AlxGa1-xN thin films tuning the nonlinear optical response by alloying and doping
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Femtosecond-laser induced two-photon absorption of GaN and AlxGa1-xN thin films tuning the nonlinear optical response by alloying and doping

M. G. Vivas Diego da Silva Manoel; Jessica Dipold; Renato Juliano Martins; R. D Fonseca; I Manglano-Clavero; Christoph Margenfeld; A Waag; Tobias Voss; Cleber Renato Mendonça

Journal of Alloys and Compounds Amsterdam : Elsevier BV v. 825, p. 153828-1-153828-4, June 2020

Amsterdam 2020

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD029977 )(Acessar)

10
GaN-on-Si Power Technology: Devices and Applications
GaN-on-Si Power Technology: Devices and Applications
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

GaN-on-Si Power Technology: Devices and Applications

Chen, Kevin J. ; Haberlen, Oliver ; Lidow, Alex ; Chun Lin Tsai ; Ueda, Tetsuzo ; Uemoto, Yasuhiro ; Yifeng Wu

IEEE transactions on electron devices, 2017-03, Vol.64 (3), p.779-795 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Deste Autor:

  1. Mendonça, C
  2. Voss, T
  3. Almeida, G
  4. Nakamura, S
  5. Dipold, J

Neste Assunto:

  1. Science & Technology
  2. Gallium Nitrides
  3. Technology
  4. Gallium Nitride
  5. Physical Sciences

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