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GR-Noise Characterization of Ge pFinFETs With STI First and STI Last Processes
GR-Noise Characterization of Ge pFinFETs With STI First and STI Last Processes
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GR-Noise Characterization of Ge pFinFETs With STI First and STI Last Processes

Alberto Vinicius de Oliveira Eddy Simoen; Jerome Mitard; Paula Ghedini Der Agopian; Robert Langer; Liesbeth J Witters; João Antonio Martino 1959-

IEEE Electron Device Letters v. 37, n. 9, p. 1092-1095, Sept. 2016

2016

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Broad-band photoresponse from InAs quantum dots embedded into InGaAs graded well
Broad-band photoresponse from InAs quantum dots embedded into InGaAs graded well
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Broad-band photoresponse from InAs quantum dots embedded into InGaAs graded well

Jie Liang Ying Chao Chua; Mahmoud Omar Manasreh; Euclydes Marega Júnior; G. J Salamo

IEEE Electron Device Letters Piscataway v. 26, n. 9, p. 631-633, Sep. 2005

Piscataway 2005

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD010977 )(Acessar)

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Broad-band photoresponse from InAs quantum dots embedded into InGaAs graded well
Broad-band photoresponse from InAs quantum dots embedded into InGaAs graded well
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Broad-band photoresponse from InAs quantum dots embedded into InGaAs graded well

Jie Liang Ying Chao Chua; Mahmoud Omar Manasreh; Euclydes Marega Júnior; G. J Salamo

IEEE Electron Device Letters Piscataway v. 26, n. 9, p. 631-633, Sep. 2005

Piscataway 2005

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD010977 )(Acessar)

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875-MW/cm² Low-Resistance NO₂ p-Type Doped Chemical Mechanical Planarized Diamond MOSFETs
875-MW/cm² Low-Resistance NO₂ p-Type Doped Chemical Mechanical Planarized Diamond MOSFETs
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875-MW/cm² Low-Resistance NO₂ p-Type Doped Chemical Mechanical Planarized Diamond MOSFETs

Saha, Niloy Chandra ; Kim, Seong-Woo ; Oishi, Toshiyuki ; Kasu, Makoto

IEEE electron device letters, 2022-05, Vol.43 (5), p.777-780 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Recessed-Gate Enhancement-Mode \beta -Ga2O3 MOSFETs
Recessed-Gate Enhancement-Mode \beta -Ga2O3 MOSFETs
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Recessed-Gate Enhancement-Mode \beta -Ga2O3 MOSFETs

Chabak, Kelson D. ; McCandless, Jonathan P. ; Moser, Neil A. ; Green, Andrew J. ; Mahalingam, Krishnamurthy ; Crespo, Antonio ; Hendricks, Nolan ; Howe, Brandon M. ; Tetlak, Stephen E. ; Leedy, Kevin ; Fitch, Robert C. ; Wakimoto, Daiki ; Sasaki, Kohei ; Kuramata, Akito ; Jessen, Gregg H.

IEEE electron device letters, 2018-01, Vol.39 (1), p.67-70 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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A Mechanism for Dependence of Refresh Time on Data Pattern in DRAM
A Mechanism for Dependence of Refresh Time on Data Pattern in DRAM
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A Mechanism for Dependence of Refresh Time on Data Pattern in DRAM

Lee, Myoung Jin ; Park, Kun Woo

IEEE electron device letters, 2010-02, Vol.31 (2), p.168-170 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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Titanium Silicide/Titanium Nitride Full Metal Gates for Dual-Channel Gate-First CMOS
Titanium Silicide/Titanium Nitride Full Metal Gates for Dual-Channel Gate-First CMOS
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Titanium Silicide/Titanium Nitride Full Metal Gates for Dual-Channel Gate-First CMOS

Frank, Martin M. ; Cabral, Cyril ; Dechene, Jessica M. ; Ortolland, Claude ; Yu Zhu ; Marshall, Eric D. ; Murray, Conal E. ; Chudzik, Michael P.

IEEE electron device letters, 2016-02, Vol.37 (2), p.150-153 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Hybrid CdSe-ZnS Quantum Dot-InGaN-GaN Quantum Well Red Light-Emitting Diodes
Hybrid CdSe-ZnS Quantum Dot-InGaN-GaN Quantum Well Red Light-Emitting Diodes
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Hybrid CdSe-ZnS Quantum Dot-InGaN-GaN Quantum Well Red Light-Emitting Diodes

HUANG, Chun-Yuan ; SU, Yan-Kuin ; CHEN, Ying-Chih ; TSAI, Ping-Chieh ; WAN, Cheng-Tien ; LI, Wen-Liang

IEEE electron device letters, 2008-07, Vol.29 (7), p.711-713 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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Low-frequency noise characteristics in p-channel FinFETs
Low-frequency noise characteristics in p-channel FinFETs
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Low-frequency noise characteristics in p-channel FinFETs

Jeong-Soo Lee ; Yang-Kyu Choi ; Daewon Ha ; Tsu-Jae King ; Bokor, J.

IEEE electron device letters, 2002-12, Vol.23 (12), p.722-724 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Low-temperature (<or=550 degrees C) fabrication of poly-Si thin-film transistors
Low-temperature (<or=550 degrees C) fabrication of poly-Si thin-film transistors
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Low-temperature (<or=550 degrees C) fabrication of poly-Si thin-film transistors

King, T.-J. ; Saraswat, K.C.

IEEE electron device letters, 1992-06, Vol.13 (6), p.309-311 [Periódico revisado por pares]

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  1. Marega Júnior, E
  2. Salamo, G
  3. Chua, Y
  4. Manasreh, M
  5. Liang, J

Neste Assunto:

  1. Engineering, Electrical & Electronic
  2. Engineering
  3. Science & Technology
  4. Technology
  5. Electronics

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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