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1
Electrical characterization of metastable carbon clusters in SiC : A theoretical study
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Electrical characterization of metastable carbon clusters in SiC : A theoretical study

Gali, A. ; Son, N. T. ; Janzén, E.

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2006-01, Vol.73 (3), p.033204, Article 033204 [Periódico revisado por pares]

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2
Ab initio density-functional supercell calculations of hydrogen defects in cubic SiC
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Ab initio density-functional supercell calculations of hydrogen defects in cubic SiC

Aradi, B. ; Gali, A. ; Deák, P. ; Lowther, J. E. ; Son, N. T. ; Janzén, E. ; Choyke, W. J.

Physical review. B, Condensed matter, 2001, Vol.63 (24), Article 245202 [Periódico revisado por pares]

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3
Clustering of vacancy defects in high-purity semi-insulating SiC
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Clustering of vacancy defects in high-purity semi-insulating SiC

Aavikko, R. ; Saarinen, K. ; Tuomisto, F. ; Magnusson, B. ; Son, N. T. ; Janzén, E.

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2007-02, Vol.75 (8), p.085208, Article 085208 [Periódico revisado por pares]

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4
Ab initio supercell calculations on aluminum-related defects in SiC
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Ab initio supercell calculations on aluminum-related defects in SiC

Gali, A. ; Hornos, T. ; Son, N. T. ; Janzén, E. ; Choyke, W. J.

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2007-01, Vol.75 (4), Article 045211 [Periódico revisado por pares]

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5
EPR and theoretical studies of positively charged carbon vacancy in 4H-SiC
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EPR and theoretical studies of positively charged carbon vacancy in 4H-SiC

Umeda, T. ; Isoya, J. ; Morishita, N. ; Ohshima, T. ; Kamiya, T. ; Gali, A. ; Deák, P. ; Son, N. ; Janzén, E.

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2004-12, Vol.70 (23), Article 235212 [Periódico revisado por pares]

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6
EPR and ab initio calculation study on the EI4 center in 4H- and 6H-SiC
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EPR and ab initio calculation study on the EI4 center in 4H- and 6H-SiC

Carlsson, P. ; Son, N. T. ; Janzen, E. ; Gali, A. ; Research Institute for Solid State Physics and Optics, Hungarian Academy of Sciences, P.O. Box 49, H-1525 Budapest ; Isoya, J. ; Morishita, N. ; Ohshima, T. ; Magnusson, B.

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2010-12, Vol.82 (23), p.235203 [Periódico revisado por pares]

United States

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7
Dicarbon antisite defect in n-type 4H-SiC
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Dicarbon antisite defect in n-type 4H-SiC

Umeda, T ; Isoya, J ; Morishita, N ; Ohshima, T ; Janzén, Erik ; Gali, A

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2009-03, Vol.79 (11), p.115211 [Periódico revisado por pares]

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8
Electronic structure of the GaAs:Mn-Ga center
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Electronic structure of the GaAs:Mn-Ga center

Linnarsson, M ; Janzen, E ; Monemar, B ; Kleverman, M ; Thilderkvist, A

Physical review. B, Condensed matter, 1997, Vol.55 (11), p.6938 [Periódico revisado por pares]

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