skip to main content
Idioma:
Resultados 1 2 3 4 5 next page
Mostrar Somente
Refinado por: autor: Janzén, Erik remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Theory of spin-conserving excitation of the N-V(-) center in diamond
Theory of spin-conserving excitation of the N-V(-) center in diamond
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Theory of spin-conserving excitation of the N-V(-) center in diamond

Gali, Adam ; Janzén, Erik ; Deák, Péter ; Kresse, Georg ; Kaxiras, Efthimios

Physical review letters, 2009-10, Vol.103 (18), p.186404-186404, Article 186404 [Periódico revisado por pares]

United States

Texto completo disponível

Citações Citado por
2
Divacancy in 4H-SiC
Divacancy in 4H-SiC
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Divacancy in 4H-SiC

Son, N T ; Carlsson, P ; ul Hassan, J ; Janzén, E ; Umeda, T ; Isoya, J ; Gali, A ; Bockstedte, M ; Morishita, N ; Ohshima, T ; Itoh, H

Physical review letters, 2006-02, Vol.96 (5), p.055501-055501, Article 055501 [Periódico revisado por pares]

United States

Texto completo disponível

Citações Citado por
3
Layer-number determination in graphene on SiC by reflectance mapping
Layer-number determination in graphene on SiC by reflectance mapping
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Layer-number determination in graphene on SiC by reflectance mapping

Ivanov, Ivan G. ; Hassan, Jawad Ul ; Iakimov, Tihomir ; Zakharov, Alexei A. ; Yakimova, Rositsa ; Janzén, Erik

Carbon (New York), 2014-10, Vol.77, p.492-500 [Periódico revisado por pares]

Kidlington: Elsevier Ltd

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
Chlorinated precursor study in low temperature CVD of 4H-SiC
Chlorinated precursor study in low temperature CVD of 4H-SiC
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Chlorinated precursor study in low temperature CVD of 4H-SiC

Leone, Stefano ; Beyer, Franziska ; Pedersen, Henrik ; Andersson, Sven ; Kordina, Olle ; Henry, Anne ; Janzén, Erik

Thin solid films, 2011, Vol.519 (10), p.3074 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
High thermal stability quasi-free-standing bilayer graphene formed on 4H–SiC(0001) via platinum intercalation
High thermal stability quasi-free-standing bilayer graphene formed on 4H–SiC(0001) via platinum intercalation
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

High thermal stability quasi-free-standing bilayer graphene formed on 4H–SiC(0001) via platinum intercalation

Xia, Chao ; Johansson, Leif I. ; Niu, Yuran ; Zakharov, Alexei A. ; Janzén, Erik ; Virojanadara, Chariya

Carbon (New York), 2014-11, Vol.79, p.631-635 [Periódico revisado por pares]

Kidlington: Elsevier Ltd

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
High growth rate of 4H-SiC epilayers grown on on-axis substrates with different chlorinated precursors
High growth rate of 4H-SiC epilayers grown on on-axis substrates with different chlorinated precursors
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

High growth rate of 4H-SiC epilayers grown on on-axis substrates with different chlorinated precursors

Leone, Stefano ; Beyer, Franziska ; Pedersen, Henrik ; Kordina, Olle ; Henry, Anne ; Janzén, Erik

Crystal growth & design, 2010, Vol.10 (12), p.5334 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
Activation of shallow boron acceptor in CB coimplanted silicon carbide: A theoretical study
Activation of shallow boron acceptor in CB coimplanted silicon carbide: A theoretical study
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Activation of shallow boron acceptor in CB coimplanted silicon carbide: A theoretical study

Gali, A ; Hornos, T ; Deák, P ; Nguyen, Son Tien ; Janzén, Erik ; Choyke, W

Applied physics letters, 2005-03, Vol.86 (10), p.102108 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
Properties and origins of different stacking faults that cause degradation in SiC PiN diodes
Properties and origins of different stacking faults that cause degradation in SiC PiN diodes
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Properties and origins of different stacking faults that cause degradation in SiC PiN diodes

Jacobson, H. ; Bergman, J. P. ; Hallin, C. ; Janzén, E. ; Tuomi, T. ; Lendenmann, H.

Journal of applied physics, 2004-02, Vol.95 (3), p.1485-1488 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
Deep levels in iron doped n- and p-type 4H-SiC
Deep levels in iron doped n- and p-type 4H-SiC
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Deep levels in iron doped n- and p-type 4H-SiC

Beyer, F C ; Hemmingsson, C G ; Leone, S ; Lin, Y.-C ; Gällström, A ; Henry, A ; Janzén, E

Journal of applied physics, 2011-12, Vol.110 (12), p.123701-123701-5 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
Chloride-based CVD of 3C-SiC epitaxial layers on 6H(0001) SiC
Chloride-based CVD of 3C-SiC epitaxial layers on 6H(0001) SiC
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Chloride-based CVD of 3C-SiC epitaxial layers on 6H(0001) SiC

Leone, Stefano ; Beyer, Franziska ; Henry, Anne ; Kordina, Olle ; Janzén, Erik

Physica status solidi. PSS-RRL. Rapid research letters, 2010, Vol.4 (11), p.305 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
Resultados 1 2 3 4 5 next page

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Mostrar Somente

  1. Recursos Online (83)
  2. Revistas revisadas por pares (99)

Refinar Meus Resultados

Tipo de Recurso 

  1. Artigos  (85)
  2. Anais de Congresso  (27)
  3. Book Chapters  (3)
  4. Mais opções open sub menu

Data de Publicação 

De até
Refinar
  1. Antes de1999  (7)
  2. 1999Até2001  (19)
  3. 2002Até2004  (13)
  4. 2005Até2008  (30)
  5. Após 2008  (48)
  6. Mais opções open sub menu

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.